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选择MOS管的最后一步是决定MOS管的开关性能。影响开关性能的参数有很多，但最重要的是栅极/漏极、栅极/ 源极及漏极/源极电容。这些电容会在器件中产生开关损耗，因为在每次开关时都要对它们充电。
选择合适的MOSFET管对于驱动电路的设计至关重要。应选择具有低导通电阻、低反向恢复电荷和高开关速度的MOSFET管。此外，还应选择合适的电压和电流容量，以适应实际应用的需求。
Vds一般选用600V或者800V，Rds尽量小点的话效率会高点，还有就是承受电流的能力。别人10n60就是10A/600V的mos管。还有就是厂家，比如FairChild、SHIP等啊，差别蛮大的。
降压电路驱动电路的MOS管尺寸选择，选择依据如下：首先，确定降压电路的最大输入电压，MOS管的耐压，需大于等于3倍以上输入电压，确保MOS管不会被击穿。
1、是的！AO3401在这个电路中是起到开关作用，当VBUS端输入低电平时，Q101P沟道VMOS管AO3401的2脚栅极也为低电平，于是，1脚D漏极与3脚源极之间导通，将+5V VCC连接到VBUS端。
2、当通道的控制电压较低时，通道内的电流较小；当通道的控制电压较高时，通道内的电流较大。MOS管的工作原理可以用下图所示的电路来解释：图中的R1和R2分别表示MOS管的基极和漏极。
3、三极管常用于数字电路的开关控制。MOS管AO3401用于高频高速电路，大电流场合，以及对基极或漏极控制电流敏感的地方。场效应管AO3401和三极管都可以实现信号的控制和放大，但是由于它们的结构和工作原理完全不同，两者的区别非常大。
P沟道MOS管开关电路图：MOS管的工作原理(以N沟道增强型MOS场效应管)它是利用VGS来控制“感应电荷”的多少，以改变由这些“感应电荷”形成的导电沟道的状况，然后达到控制漏极电流的目的。
首先MOS管是四端器件，栅源漏衬，一般源衬短接。
在低压侧开关中，应采用N沟道MOSFET，这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。当MOSFET连接到总线及负载接地时，就要用高压侧开关。通常会在这个拓扑中采用PMOS管经典开关电路，这也是出于对电压驱动的考虑。
P沟道的管子使用的时候你只需要记住几件事情：当栅极（G）的电压比漏极的电压(D)小5V以上（有的管子可以更低），管子就开始导通，压差越大，G和S（源极）之间的电阻就越小，损耗也就越小，但是不能太大。
同理，导通电压为3V的P沟道MOS管，只要G的电压比S的电压低3V即可导通（S的电压比D的高）。
对于图中电路，当CMMB_PWRON大于等于3V时，AO3401处于关断状态，后端电路没有供电，当CMMB_PWRON为0V时，AO3401导通，后端电路得到供电。使用此开关时，L12不应焊接，否则此电路没有意义。
1、下图是两种PMOS管经典开关电路应用：其中第一种NMOS管为高电平导通，低电平截断，Drain端接后面电路的接地端；第二种为PMOS管典型开关电路，为高电平断开，低电平导通，Drain端接后面电路的VCC端。
2、MOS开关电路图电路图如下：AOD448是30V 75A的管子，是用5V驱动的，偏高了点。可以用AOD442，AO3416等管子，电压用5V就能驱动。当电压为5V时，只有26豪欧。电流2到3安没问题。
3、P沟道MOS管做开关用，通断5V3A的电路，接通时降压多少阻抗多大跟具体型号有关，且差别很大。例如：AO3401，通断5V3A的电路，接通时降压约0.185V，阻抗65毫欧姆。
MOS管在开关电路的作用是信号的转换、控制电路的通断。
带软开启功能的MOS管电源开关电路 这是很通用和成熟的电路，原理讲解参考自《带软开启功能的MOS管电源开关电路》。
MOS开关电路图电路图如下：AOD448是30V 75A的管子，是用5V驱动的，偏高了点。可以用AOD442，AO3416等管子，电压用5V就能驱动。当电压为5V时，只有26豪欧。电流2到3安没问题。
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