导通电阻小的mos管（导通电阻小的场效应管）

发布时间：2023-07-02

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N60在TO-220AB封装里的栅极阈值电压VGS(TH)为4V，是一款中小功率MOS管。10N60的脉冲正向电流ISM为40A，连续漏极电流(ID)为10A，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。

N60 ：N沟道MOSFET功率，10A 600V。10N60是耐压600V，电流10A的N沟道场效应管。13N50是耐压500V，电流13A的N沟道场效应管。只要你的实际应用电压不超过400V，就可以代换。电流不用考虑了。场效应晶体管简称场效应管。

根据查询10n60场效应管的结构参数可知，该设备的电压：600V，电流：10A，最大耗散功率：85WID，型号：10n60等。场效应管是一种具有放大作用（电压放大倍数可达30～倍）、输入阻抗高（10KΩ左右），电流小，重量轻等优点。

1、选择合适的MOSFET管对于驱动电路的设计至关重要。应选择具有低导通电阻、低反向恢复电荷和高开关速度的MOSFET管。此外，还应选择合适的电压和电流容量，以适应实际应用的需求。

2、　选择MOS管的下一步是系统的散热要求。须考虑两种不同的情况，即最坏情况和真实情况。建议采用针对最坏情况的计算结果，因为这个结果提供更大的安全余量，能确保系统不会失效。

3、Vds一般选用600V或者800V，Rds尽量小点的话效率会高点，还有就是承受电流的能力。别人10n60就是10A/600V的mos管。还有就是厂家，比如FairChild、SHIP等啊，差别蛮大的。

4、降压电路驱动电路的MOS管尺寸选择，选择依据如下：首先，确定降压电路的最大输入电压，MOS管的耐压，需大于等于3倍以上输入电压，确保MOS管不会被击穿。

5、如果是低频开关电路，可以选三极管，高频的要选MOS管。三极和一般工作在线性区，比如做一些线性电源。MOS管就要工作在完全开通状态。

1、把连接栅极和源极的电阻移开，万用表红黑笔不变，假如移开电阻后表针慢慢逐步退回到高阻或无限大，则MOS管漏电，不变则完好。然后一根导线把MOS管的栅极和源极连接起来，假如指针立刻返回无限大，则MOS完好。

2、mos管驱动电阻小于100下篇偏置电阻取最小。用普通小电阻即可，MOS管栅极电流很小，这个电阻主要跟上升与下降时间有关系，一般选择几十欧姆的电阻即可。

3、MOS管栅极串联电阻的确定方法：当 Rg 增大时，导通时间延长，损耗发热加剧； Rg 减小时， di/dt 增高，可能产生误导通，使器件损坏.应根据管子的电流容量和电压额定值以及开关频率来选取 Rg 的数值。

导通电阻小的mos管（导通电阻小的场效应管）