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1、N65是10A/650V的N沟道 MOSFET 场效应管，可以用20N60（20A/600V）代换。
2、①、关于以上这款K2651场效应管，是不可以用20N60场效应管代用的，原因是，那K2651场效应参数是//耐压：900V//电流：6A//。
3、N60和35N60都是MOSFET（金属氧化物场效应晶体管）器件的型号。虽然它们都有相似的特性和参数，但是它们还是有区别的，不能直接替换。
4、我修充电器用的都是7N60B，其它如4N60B，8N60B，6N60B，都可以代换。
这些大功率的进口的比较多，台湾也有几个品牌。这个有20A，29A，30A，33A，34A，38A，45A，600V47A MOS管，50A，55A，60A。海飞乐技术封装这些MOS。
V MOS管 或者 650V MOS管 海飞乐技术，台湾芯片，质量可靠。
V70A，600V72A的MOS，600V74A，600V77A，600V80A，600V85A，600V88A的MOS，600V90A，600V95A，600V100A，600V110A，600V120A的MOS管。
场效应管8N60C的参数是：10A，600V，可以用SSS7N60B，T2SK2545(2SK3562)，IRFBC40，STP8NK60ZFP进行代换。
MOSFET模块简称MOS模块，一般采用SOT-227封装，海飞乐技术封装碳化硅MOS管，SIC MOS模块，包括车用低压大电流MOSFET模块。功率MOS模块有以下优点：开关速度快，安全工作区宽，热稳定性好，线性控制能力强，电压控制。
V，N沟道功率MOSFET 20A电流大于15A，是可以的。600V电压少于650V，这个就不一定了，如果负载小于600V就可以，如果负载大于600V，就不行了。一般设计余量应该不止50V，因此我觉得可以试试。望采纳。。
在工业领域，IPB107N20N3G可以应用于电力电子设备、电机控制等，提高其性能和可靠性。在消费电子领域，IPB107N20N3G可以应用于笔记本电脑、手机等设备的电源管理系统，提高其效率和续航能力。
工作性质：三极管用电流控制，MOS管属于电压控制.成本问题：三极管便宜，mos管贵。功耗问题：三极管损耗大。驱动能力：mos管常用来电源开关，以及大电流地方开关电路。
驱动能力：MOS管常用于功率开关和大电流开关电路。三极管常用于数字电路的开关控制。MOS管AO3401用于高频高速电路，大电流场合，以及对基极或漏极控制电流敏感的地方。
N60除上述参数外，还有电极间电容（MOS管三个电极之间的电容，数值越小管子的性能越好）、高频参数等参数。
技嘉从P35开始用NECEL的MOS，NECEL被收购后换了ONsemi。低端板子也是NIKOsemi的天下。intel的主板多数时候用ONsemi，infineon都用过，最近的P67突然启用民用消费类市场很少见的大牌子，Vishay。
国产MOS管 多年来，新洁能始终专注MOSFET、IGBT领域，取得了不少突破：是同时拥有“沟槽型功率MOSFET”、“超结功率MOSFET”、“屏蔽栅功率MOSFET ”及IGBT 四大产品平台的本土企业。
这些大功率的进口的比较多，台湾也有几个品牌。这个有20A，29A，30A，33A，34A，38A，45A，600V47A MOS管，50A，55A，60A。海飞乐技术封装这些MOS。
型号是83T03GH。好盈天行者电调是无人机配件，MOS管是电调上的晶体。
我修充电器用的都是7N60B，其它如4N60B，8N60B，6N60B，都可以代换。
MOSFET模块简称MOS模块，一般采用SOT-227封装，海飞乐技术封装碳化硅MOS管，SIC MOS模块，包括车用低压大电流MOSFET模块。功率MOS模块有以下优点：开关速度快，安全工作区宽，热稳定性好，线性控制能力强，电压控制。
海飞乐技术有很多规格参数：20V、30V、40V、50V、60V、80V、100V、200V、500V、600V。 封装有：TO-220，TO-247，TO-3P，SOT-227。台湾工研院技术支持。
功耗（PD）：125W 二极管正向电压(VSD)：5V 最大脉冲正向电流ISM：48A 零栅极电压漏极电流(IDSS)：1uA 工作温度：-55~+150℃ 引线数量：3 12N60是TO-220封装系列。
你的耐压要多高的？如果600v的那就用 12n60可以了，这颗mos是12a的电流600v耐压。看你留的余量多少咯。
最大功耗(PD)：320W 开启延迟时间(td(on))：181NS 关断延迟时间(td(off))：255NS 二极管正向电压(VF)：9V 工作温度：-55~+150℃ 二极管反向恢复时间(trr)：55NS 引线数量：3 MP40N120场效应封装系列。
这是一个非常重要的参数，决定了MOS管7N60开启时的功耗。该参数通常随着结温的增加而增加。因此，该参数在最高工作结温下的值应作为损耗和压降计算；（3）VGS(th)，开启电压（阈值电压）。
N60 ：N沟道MOSFET功率，10A 600V。10N60是耐压600V，电流10A的N沟道场效应管。13N50是耐压500V，电流13A的N沟道场效应管。只要你的实际应用电压不超过400V，就可以代换。电流不用考虑了。场效应晶体管简称场效应管。
一般来讲，电流大于10A的，电压高于500V的可以称为大功率，但不绝对。
ASEMI低压MOS管SI2302的参数为：最大电压为30V，最大电流为4A，Rds（on）为0.14Ω，漏极极容为7nF，能耗为8W，最大功耗为5W。
关键词：mos管
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