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1、原因分析:可控硅高温特性差,在大电流时失去正向阻断能力;整流变压器漏抗引起波形畸变。采取措施:更换可控硅;解决整流变压器漏抗匹配问题。
2、可控硅整流装置输出电压异常的处理步骤如下:(1)直流电压输出降低,经调压后仍不能升高时,应检查交流电压是否过低,整流元件是否损坏或失去脉冲,熔断器是否熔断,交流电源是否非全相运行。
3、可控硅调压电路的负载一般是不允许接滤波电容的,因为可控硅一旦触发,如果阳极间有电压,即便触发电压撤销,它仍然会导通的,这是它区别于其他控制器件的关键一点。
4、经桥式整流后的交流电变成脉动直流,当单向可控硅G极的控制电压消失时,最多只能维持半个交流电周期便到了零电压点,A-K间便会截止。
5、先测量下变压器B的左边次级线圈有没有输出(最好是能断开输出的一根脚测比较准确),如果没有那就是单结管的电路部分出了问题,很可能是管子烧了。
6、可能是由于整流装置运行时的谐波较大,导致过流过压动作。解决问题的方法,一是查询原先的谐波分析报告,二是对交流侧进行录波分析。
1、可控硅是P1N1P2N2四层三端结构元件,共有三个PN结,分析原理时,可以把它看作由一个PNP管和一个NPN管所组成,当阳极A加上正向电压时,BG1和BG2管均处于放大状态。
2、TG35C60是一款双向可控硅。TG-C金封的外观形式。可用于调光,调压,调温,调速等等线路中,其他作业可以去可控硅生产厂家环旭微看看,有详细的说明。
3、就说明双向可控硅是好的,可以使用;反之,若测得T2-T1,、T2-G之间的正反向电阻较小甚或等于零.而Tl-G之间的正反向电阻很小或接近于零时.就说明双向可控硅的性能变坏或击穿损坏。
4、BT136和BT137都是双向可控硅,平均有效电流分别是4A个8A,触发电流5-50MA,一般按15MA设计。电压600V,非绝缘型。
双向可控硅也叫三端双向可控硅,简称TRIAC。双向可控硅在结构上相当于两个单向可控硅反向连接,这种可控硅具有双向导通功能。
可控硅的结构:内部有相互交叠的4层PN区组成,有三个PN结,三个电极,即阳极A 阴极K 控制极G .三个PN结实际构成了两个相互连接的三极管。一个是PNP,一个是NPN ,每个管子的集电极连接导另一个管子的基极,形成正反馈。
三极管 sān jí ɡuǎn 晶体管(transistor)是一种固体半导体器件,可以用于检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制和许多其它功能。
三极管与可控硅是两码事;三极管具有放大作用,就是基极输入的电信号,可以有倍率的放大;而可控硅是没有这个作用的,在控制极上给信号,可控硅就导通,可以把它看做一个可控制导通和断开的二极管。
三极管分:NPN型硅、锗管。PNP型硅锗管。管脚分基极b、集电极c和发射极e。其主要作用是电流放大、小电流控制大电流等。晶闸管俗称可控硅。用于大功率的交流电与直流电的相互转换。
BT169D是0.5A、600v的单向可控硅三极管 参数 触发电流为0.5mA。
TG35C60是一款双向可控硅。TG-C金封的外观形式。可用于调光,调压,调温,调速等等线路中,其他作业可以去可控硅生产厂家环旭微看看,有详细的说明。
就说明双向可控硅是好的,可以使用;反之,若测得T2-T1,、T2-G之间的正反向电阻较小甚或等于零.而Tl-G之间的正反向电阻很小或接近于零时.就说明双向可控硅的性能变坏或击穿损坏。
参数可以替代,但两种晶闸管的封装差别比较大,焊接以及散热要特殊处理一下。
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