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一、什么是电子管 电子管是一种在气密性封闭容器(一般为玻璃管)中产生电流传导,以获得信号放大或振荡的电子器件。早期应用于电视机、收音机扩音机等电子产品中,近年来逐渐被晶体管和集成电啃所取代,但目前在一些高保真音响器材中,仍然使用电子管作为音频功率放大器件。 电子管在电器中用字母“v”或“ve”表示,旧标准用字母“g”表示。 二、电子管的种类 (一)按用途分类 电子管按其用途的不同可分为电压放大管、功率大管、充气管、闸流管、引燃管、混频或变频管、整流管、振荡管、检波管、调谐指过管、稳压管等。 (二)按电极数分类 电子管按其电极数的不同可分为电压放大帆樱管、三极管、四极管、五极管、六极管、攻极管、八极管、九极管和复合管等。三极以上的电管又称为多极管或多栅管。 (三)按外形分类 电子管按其外形及外壳材料可分为瓶形玻璃管(st管)、“橡实”管、筒形玻璃管(gt管)、大型玻璃管(g式管)、金属瓷管、小型管(也称花生管或指形管蠢谈、mt管)、塔形管、超小型管(铅笔形管)等多种。 (四)按内部结构分类 电子管按其内部结构可分为单二极管、二极管、双二极三极管、双二极管极管、单三极管、功率五极管、束射四极管、束射五极管、双一极管、二极——五极复合管、又束射四极管、三极-五极复合管、三极-六极复合管、三极-七极复合管、束射功率各处室等多种类型。 (五)按阴极的加热方式分类 电子管按阴极的加热方式可分为直热式阴极电子管和旁热式阴极电子管。 (六)按屏蔽方式分类 电子管按屏蔽方式可分为锐截止屏蔽电子管和遥截止屏蔽电子管。 (七)按冷却方式分类 电子管按冷却方式可分为水冷式电子管、风冷式电子管和自然冷却式电子管。 晶体管是一种固体半导体器件,可以用于放大、开关、稳压、信号调制和许多其他功能。晶体管作为一种可变开关,基于输入的电压,控制流出的电流。 晶体管主要分为两大类:双极性晶体管(bjt)态档丛和场效应晶体管(fet)。 晶体管有三个极,双极性晶体管的三个极分别是发射极(emitter)、基极(base)和集电极(collector)。场效应晶体管的三个极分别是源极(source)、栅极(gate)和漏极(drain)。 1.在双极性晶体管中,发射极到基极的很小的电流会使得发射极到集电极之间产生大电流。 2.在场效应晶体管中,在栅极施加小电压来控制源极和漏极之间的电流。在模拟电路中,晶体管用于放大器,音频放大器,射频放大器,稳压电源,在计算机电源中,主要用于开关电源。 晶体管也应用于数字电路,主要功能是模拟电子开关。
1、栅极
由金属细丝组成的筛网状或螺旋状电极。多极电子管中排列在阳极和阴极之间的一个或多个具有细丝网或螺旋线形状的电极,起控制阴极表面电场强度从而改变阴极发射电子或捕获二次放射电子的作用。
这些端的名称和它们的功能有关。栅极可以被认为是控制一个物理栅的开关。这个栅极可以通过制造或者消除源极和漏极之间的沟道,从而允许或者阻碍电子流过。如果受一个外加的电压影响,电子流将从源极流向漏极。体很简单的就是指栅极、漏极、源极所在的半导体的块体。通常体端和一个电路中最高或最低的电压相连,根据类型不同而不同。体端和源极有时连在一起,因为有时源也连在电路中最高或最低的电压上。当然有时一些电路中FET并没有这样的结构,比如级联传输电路和串叠式电路。
2、漏极
场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。
一般的晶体管是由两种极性的载流子,即多数载流子和反极性的少数载流子参与导电,因此称为双极型晶体管,而FET仅兆郑是由多数载流子参与导电,它与双极型相反,也称为单极型晶体管。
在N型硅片两端各引出一个电极,分别称为源极和漏极,很薄的N区称为导电沟道。共漏极放大电路——源极输出器
3、源极
简称场效应管。一般的晶体管是由两种极性的载流子,即多数载流子和反极性的少数载流子参与导电,掘销因此称为双极型晶体管,而FET仅是由多数载流子参与导电,它与双极型相反,也称为单极型晶体管。
参考资料:
百族散颂度百科—栅极
百度百科—漏极
百度百科—源极
场效应管检测方法与经验
一、用指针式万用表对场效应管进行判别
(1)用测电阻法判别结型场效应管的电极
根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象,可以判别出结型场效应管的三个电极.具体方法:将万用表拨在R×1k档上,任选两个电极,分别测出其正、反向电阻值.当某两个电极的正、反向电阻值相等,且为几千欧姆时,则该两个电极分别是漏极D和源极S.因为对结型场效应管而言,漏极和源极可互换,剩下的电极肯定是栅极G.也可以将万用表的黑表笔(红表笔也行)任意接触一个电极,另一只表笔依次去接触其余的两个电极,测其电阻值.当出现两次测得的电阻值近似相等时,则黑表笔所接触的电极为栅极,其余两电极分别为漏极和源极.若两次测出的电阻值均很大,说明是PN结的反向,即都是反向电阻,可以判定是N沟道场效应管,且黑表笔接的是栅极;若两次测出的电阻值均很小,说明是正向PN结,即是正向电阻,判定为P沟道场效应管,黑表笔接的也是栅极.若不出现上述情况,可以调换黑、红表笔按上述方法进敬吵行测试,直到判别出栅极为止.
(2)用测电阻法判别场效应管的好坏
测电阻法是用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极G1与栅极G2之间的电阻值同场效应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏.具体方法:首先将万用表置于R×10或R×100档,测量源极S与漏极D之间的电阻,通常在几十欧到几千欧范围(在手册中可知,各种不同型号的管,其电阻值是各不相同的),如果测得阻值大于正常值,可能是由于内部接触不良;如果测得阻值是无穷大,可能是内部断极.然后把万用表置于R×10k档,再测栅极G1与G2之间、栅极与源极、栅极与漏极之间的电阻值,当测得其各项电阻值均为无穷大,则说明管是正常的;若测得上述各阻值太小或为通路,则说明管是坏的.要注意,若两个栅极在管内断极,可用元件代换法进行检测.
(3)用感应信号输人法估测场效应管的放大能力
具体方法:用万用表电阻的R×100档,红表笔接源极S,黑表笔接漏极D,给场效应管加上1.5V的电源电压,此时表针指示出的漏源极间的电阻值.然后用手捏住结型场效应管的栅极G,将人体的感应电压信号加到栅极上.这样,由于管的放大作用,漏源电压VDS和漏极电流Ib都要发生变化,也就是漏源极间电阻发生了变化,由此可以观察到表针有较大幅度的摆动.如果手捏栅极表针摆动较小,说明管的放大能力较差;表针摆动较大,表明管的放大能力大;若表针不动,说明管是坏的.
根据上述方法,我们用万用表的R×100档,测结型场效应管3DJ2F.先将管的G极开路,测得漏亮销侍源电阻RDS为600Ω,用手捏住G极后,表针向左摆动,指示的电阻RDS为12kΩ,表针摆动的幅度较大,说明该管是好的,并有较大的放大能力.
运用这种方法时要说明几点:首先,在测试场效应管用手捏住栅极时,万用表针可能向右摆动(电阻值减小),也可能向左摆动(电阻值增加).这是由于人体感应的交流电压较高,而不同的场效应管用电阻档测量时的工作点可能不同(或者工作在饱和区或者在不饱和区)所致,试验表明,多数管的RDS增大,即表针向左摆动;少数管的RDS减小,使表针向右摆动.但无论表针摆动方向如何,只要表针摆动幅度较大,就说明管有较大的放大能力.第二,此方法对MOS场效应管也适用.但要注意,MOS场效应管的输人电阻高,栅极G允许的感应电压不应过高,所以不要直接用手去捏栅极,必须用于握螺丝刀的绝缘柄,用金属杆去碰触栅极,以防止人体感应电荷直接加到栅极,引起栅极击穿.第三,每次测量完毕,应当G-S极间短路一下.这是因为G-S结电容上会充有少量电荷,建立起VGS电压,造成再进行测量时表针可能不动,只有将G-S极间电荷短路放掉才行.
(4)用测电阻法判别无标志的场效应管
首先用测量电阻的方法找出两个有电阻值的管脚,也就是源极S和漏极D,余下两个脚为第一栅极G1和第二栅极G2.把先用两表笔测的源极S与漏极D之间的电阻值记下来,对调表笔再测量一次,把其测得斗罩电阻值记下来,两次测得阻值较大的一次,黑表笔所接的电极为漏极D;红表笔所接的为源极S.用这种方法判别出来的S、D极,还可以用估测其管的放大能力的方法进行验证,即放大能力大的黑表笔所接的是D极;红表笔所接地是8极,两种方法检测结果均应一样.当确定了漏极D、源极S的位置后,按D、S的对应位置装人电路,一般G1、G2也会依次对准位置,这就确定了两个栅极G1、G2的位置,从而就确定了D、S、G1、G2管脚的顺序.
(5)用测反向电阻值的变化判断跨导的大小
对VMOS N沟道增强型场效应管测量跨导性能时,可用红表笔接源极S、黑表笔接漏极D,这就相当于在源、漏极之间加了一个反向电压.此时栅极是开路的,管的反向电阻值是很不稳定的.将万用表的欧姆档选在R×10kΩ的高阻档,此时表内电压较高.当用手接触栅极G时,会发现管的反向电阻值有明显地变化,其变化越大,说明管的跨导值越高;如果被测管的跨导很小,用此法测时,反向阻值变化不大.
二、.场效应管的使用注意事项
(1)为了安全使用场效应管,在线路的设计中不能超过管的耗散功率,最大漏源电压、最大栅源电压和最大电流等参数的极限值.
(2)各类型场效应管在使用时,都要严格按要求的偏置接人电路中,要遵守场效应管偏置的极性.如结型场效应管栅源漏之间是PN结,N沟道管栅极不能加正偏压;P沟道管栅极不能加负偏压,等等.
(3)MOS场效应管由于输人阻抗极高,所以在运输、贮藏中必须将引出脚短路,要用金属屏蔽包装,以防止外来感应电势将栅极击穿.尤其要注意,不能将MOS场效应管放人塑料盒子内,保存时最好放在金属盒内,同时也要注意管的防潮.
(4)为了防止场效应管栅极感应击穿,要求一切测试仪器、工作台、电烙铁、线路本身都必须有良好的接地;管脚在焊接时,先焊源极;在连入电路之前,管的全部引线端保持互相短接状态,焊接完后才把短接材料去掉;从元器件架上取下管时,应以适当的方式确保人体接地如采用接地环等;当然,如果能采用先进的气热型电烙铁,焊接场效应管是比较方便的,并且确保安全;在未关断电源时,绝对不可以把管插人电路或从电路中拔出.以上安全措施在使用场效应管时必须注意.
(5)在安装场效应管时,注意安装的位置要尽量避免靠近发热元件;为了防管件振动,有必要将管壳体紧固起来;管脚引线在弯曲时,应当大于根部尺寸5毫米处进行,以防止弯断管脚和引起漏气等.
对于功率型场效应管,要有良好的散热条件.因为功率型场效应管在高负荷条件下运用,必须设计足够的散热器,确保壳体温度不超过额定值,使器件长期稳定可靠地工作.
总之,确保场效应管安全使用,要注意的事项是多种多样,采取的安全措施也是各种各样,广大的专业技术人员,特别是广大的电子爱好者,都要根据自己的实际情况出发,采取切实可行的办法,安全有效地用好场效应管.
三.VMOS场效应管
VMOS场效应管(VMOSFET)简称VMOS管或功率场效应管,其全称为V型槽MOS场效应管.它是继MOSFET之后新发展起来的高效、功率开关器件.它不仅继承了MOS场效应管输入阻抗高(≥108W)、驱动电流小(0.1μA左右),还具有耐压高(最高1200V)、工作电流大(1.5A~100A)、输出功率高(1~250W)、跨导的线性好、开关速度快等优良特性.正是由于它将电子管与功率晶体管之优点集于一身,因此在电压放大器(电压放大倍数可达数千倍)、功率放大器、开关电源和逆变器中正获得广泛应用.
VMOS场效应功率管具有极高的输入阻抗及较大的线性放大区等优点,尤其是其具有负的电流温度系数,即在栅-源电压不变的情况下,导通电流会随管温升高而减小,故不存在由于“二次击穿”现象所引起的管子损坏现象.因此,VMOS管的并联得到广泛应用.
众所周知,传统的MOS场效应管的栅极、源极和漏极大大致处于同一水平面的芯片上,其工作电流基本上是沿水平方向流动.VMOS管则不同,从图1上可以看出其两大结构特点:第一,金属栅极采用V型槽结构;第二,具有垂直导电性.由于漏极是从芯片的背面引出,所以ID不是沿芯片水平流动,而是自重掺杂N+区(源极S)出发,经过P沟道流入轻掺杂N-漂移区,最后垂直向下到达漏极D.电流方向如图中箭头所示,因为流通截面积增大,所以能通过大电流.由于在栅极与芯片之间有二氧化硅绝缘层,因此它仍属于绝缘栅型MOS场效应管.
国内生产VMOS场效应管的主要厂家有877厂、天津半导体器件四厂、杭州电子管厂等,典型产品有VN401、VN672、VMPT2等.
下面介绍检测VMOS管的方法.
1.判定栅极G
将万用表拨至R×1k档分别测量三个管脚之间的电阻.若发现某脚与其字两脚的电阻均呈无穷大,并且交换表笔后仍为无穷大,则证明此脚为G极,因为它和另外两个管脚是绝缘的.
2.判定源极S、漏极D
由图1可见,在源-漏之间有一个PN结,因此根据PN结正、反向电阻存在差异,可识别S极与D极.用交换表笔法测两次电阻,其中电阻值较低(一般为几千欧至十几千欧)的一次为正向电阻,此时黑表笔的是S极,红表笔接D极.
3.测量漏-源通态电阻RDS(on)
将G-S极短路,选择万用表的R×1档,黑表笔接S极,红表笔接D极,阻值应为几欧至十几欧.
由于测试条件不同,测出的RDS(on)值比手册中给出的典型值要高一些.例如用500型万用表R×1档实测一只IRFPC50型VMOS管,RDS(on)=3.2W,大于0.58W(典型值).
4.检查跨导
将万用表置于R×1k(或R×100)档,红表笔接S极,黑表笔接D极,手持螺丝刀去碰触栅极,表针应有明显偏转,偏转愈大,管子的跨导愈高.
注意事项:
(1)VMOS管亦分N沟道管与P沟道管,但绝大多数产品属于N沟道管.对于P沟道管,测量时应交换表笔的位置.
(2)有少数VMOS管在G-S之间并有保护二极管,本检测方法中的1、2项不再适用.
(3)目前市场上还有一种VMOS管功率模块,专供交流电机调速器、逆变器使用.例如美国IR公司生产的IRFT001型模块,内部有N沟道、P沟道管各三只,构成三相桥式结构.
(4)现在市售VNF系列(N沟道)产品,是美国Supertex公司生产的超高频功率场效应管,其最高工作频率fp=120MHz,IDSM=1A,PDM=30W,共源小信号低频跨导gm=2000μS.适用于高速开关电路和广播、通信设备中.
(5)使用VMOS管时必须加合适的散热器后.以VNF306为例,该管子加装140×140×4(mm)的散热器后,最大功率才能达到30W.
(6)多管并联后,由于极间电容和分布电容相应增加,使放大器的高频特性变坏,通过反馈容易引起放大器的高频寄生振荡.为此,并联复合管管子一般不超过4个,而且在每管基极或栅极上串接防寄生振荡电阻.
电子管和晶体带州管的区别如下:
1、定义不同
电子管:电子管,是一种最早期的电信号放大器件。被封闭在玻璃容器(一般为玻璃管)中的阴极电子发射部分、控制栅极、加速栅极、阳极(屏极)引线被焊在管基上。利用电场对真空中的控制栅极注入电子调制信号,并在阳极获得对信号放大或反馈振荡后的不同参数信号数据。
早期应用于电视机、收音机扩音机等电子产品中,近年来逐渐被半导体材料制作的放大器和集成电路取代,但目前在一些高保真的音响器材中,仍然使用低噪声、稳定系数高的电子管作为音频功率放大器件(香港人称使用电子管功率放大器为“胆机”)。
晶体管:晶体管(transistor)是一种固体半导体器件,具有检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等多种功能。晶体管作为一种可变电流开关,能够基于输入电压控制输出电流。
与普通机械开关(如Relay、switch)不同,晶体管利用电讯号来控制自身的开合,而且开关速度可以非常快,实验室中的切换速度可达100GHz以上。
2、发展历史不同
电子管:1883年,发明大王嫌乎托马斯·爱迪生正在为寻找电灯泡最佳灯丝材料,曾做过一个小小的实验。
1904年,世界上第一只电子二极管在英国物理学家弗莱明的手下诞生了,这使爱迪生效应具有了实用价值。弗莱明也为此获得了这项发明的专利权。
1906年,美国发明家德福雷斯特(De Forest Lee),在二极管的灯丝和板极之间巧妙地加了一个栅板,从而发明了第一只真空三极管。
1947年,美国物理学家肖克利、巴丁和布拉顿三人合作发明了晶体管——一种三个支点的半导体固体元件。
晶体管:1947年12月,美国贝尔实验室的肖克利、巴丁和布拉顿组成的研究小组,研制出一种点接触型的锗晶体管。
1945年秋蠢者蔽天,贝尔实验室成立了以肖克莱为首的半导体研究小组,成员有布拉顿、巴丁等人。
1950年,第一只“PN结型晶体管”问世了,它的性能与肖克莱原来设想的完全一致。今天的晶体管,大部分仍是这种PN结型晶体管。
1956年,肖克利、巴丁、布拉顿三人,因发明晶体管同时荣获诺贝尔物理学奖。
3、组成不同
电子管:阴极:阴极是用来放射电子的部件, 分为氧化物阴极和碳化钍钨阴极。栅极:电子管的栅极根据它们在管中所起的作用不同分为一栅、二栅, 有时也称为控制栅、帘栅。阳极:阳极是收集阴极发射出来的大部分电子的电极。
晶体管:晶体管有三个极:双极性晶体管的三个极,分别由N型跟P型组成发射极(Emitter)、基极(Base) 和集电极(Collector);场效应晶体管的三个极,分别是源极(Source)、栅极(Gate)和漏极(Drain)。
参考资料来源:百度百科-电子管
参考资料来源:百度百科-晶体管
导语:电子管和晶体管都是我们生活中常用的元件,它们外观相似。功能相近,如果不是很了解的话,常常会让大家分不清楚,那么,电子管和晶体管到底有什么区别呢?下面的这篇文章来为大家揭示电子管和晶体管的区别,希望对大家有所帮助。
电子管的简介
在为大家介绍二者之间的区别之前,先为大家分别介绍电子管和晶体管。首先,我们先来了解电子管的知识。电子管属于一种信号放大器,常常被密封在玻璃管内,能够利用电场对于真空中控制栅,对电子调制器发出信号,能够使音响器材等器材保持音质,扩大音频功率。
电子管种类繁多,不同种类的电子管有着不同的功能。电子管在现在已经很少使用了,这是因为电子管的体积过大,而且功耗过高,所以一般情况下,它的寿命都比较短,已经被晶体管所替代。但是在大功率无线设备等器材中,它仍然有着重要的作用。
晶体管的简介
晶体管是电子管的升级产品,现在已经几乎完全替代了电子管。它是一种固体半导体的电子元件,晶体管有着检测电波、整合电流、扩大功率、稳定电压的作用。使用的范围较为广阔,所以成为现在各种电子产品中最为重要的电子器件。
现在的晶体管有很多种类,比较常用的晶体管有半导体三极管、电力晶体管、光晶体管、双极晶体管、单电子晶体管这几种。这些晶体管有着消耗电流少,寿命长,不需要预热的优点。
电子管和晶体管的区别
通过上面对电子管和晶体管的简单介绍,想必大家已经对电子管散颤亩和晶体管已经有了比较全面的认识,也对电子管和晶体管的差别有了初步的认识,下面为大家归纳电子管和晶体管的主要的差别。
电子管价格:
auneT1MK224BITUSBDAC电子管价格:780元
雅琴品牌SD-CD2高保真电子管CD升级器6J1电子管价格:880元
新款医用胆机用曙光电子管811AFU-811FU811J价格:95元
美国RCA6AH6电子管6ah6直代6j5电子管A1耳放升级必备管价格:15元
出口型长沙曙光电子管EL84代6P14价格:43元
英国声PSVANE贵族之声UK6SN7/6N8P/6H8C/CV181电子管价格:195元
曙光6p3p电子管精确配对代换6P3PKT666CA7EL346n3c电子管价格:30元
曙光EL34B电子管免费配对升级6P3P6L6GCEL34价格:40元
二、电子管的种类:
(一)按用途分类
电子管按其用途的不同可分为电压放大管、功率大管、充气管、闸流管、引燃管、混频或变频管、整流管、振荡管、检波管、调谐指过管、稳压管等.
(二)按电极数分类
电子管按其电极数的不同可分为电压放大管、三极管、四极管、五极管、六极管、攻极管、八极管、九极管和复合管等.三极以上的电管又称为多极管或多栅管.
(三)按外形分类
电子管按其外形及外壳材料可分为瓶形玻璃管(ST管)、“橡实”管、筒形玻璃管(GT管)、大型玻璃管(G式管)、金属瓷管、小型管(也称花生管或指形管、MT管)、塔形管、超小型管(铅笔形管)等多种.
(四)按内部结构分类
电子管按其内部结构可分为单二极管、二极管、双二极三极管、双二极管极管、单三极管、功率五极管、束射四极管、束射五极管、双一极管、二冲森极——五极复合管、又束射四极管、三极-五极复合管、三极-六极复合管、三极-七极复合管、束射功率各处室等多种类型。
(五)按阴极的加热方式分类
电子管按阴极的加热方式可分为直热式阴极电子管和旁热式阴极电子管.
洞渣(六)按屏蔽方式分类
电子管按屏蔽方式可分为锐截止屏蔽电子管和遥截止屏蔽电子管.
(七)按冷却方式分类
电子管按冷却方式可分为水冷式电子管、风冷式电子管和自然冷却式电子管.
晶体管是一种固体半导体器件,可以用于放大、开关、稳压、信号调制和许多其他功能.晶体管作为一种可变开关,基于输入的电压,控制流出的电流.
晶体管主要分为两大类:双极性晶体管(BJT)和场效应晶体管(FET).
晶体管有三个极,双极性晶体管的三个极分别是发射极(Emitter)、基极(Base)和集电极(Collector).场效应晶体管的三个极分别是源极(Source)、栅极(Gate)和漏极(Drain).
1.在双极性晶体管中,发射极到基极的很小的电流会使得发射极到集电极之间产生大电流.
2.在场效应晶体管中,在栅极施加小电压来控制源极和漏极之间的电流.在模拟电路中,晶体管用于放大器,音频放大器,射频放大器,稳压电源,在计算机电源中,主要用于开关电源.
晶体管也应用于数字电路,主要功能是模拟电子开关.
首先,在外形上,电子管有一层玻璃罩,为电字元件提供了真空的环境,而晶体管则不然,而晶体管则看起来比较简单,是由半导体制作而成的。其次,在功能上,电子管和晶体管也有着巨大的差别,电子管的功能主要是扩大音响设备的功率,是一种信号放大器,功能比较单一,而晶体管则是一种多功能的电子器件,能够集整流、信号调制、扩大功率、稳定电压为一体,功能齐全。在使用效果的方面,电子管和晶体管还是有着巨大的差别,电子管的使用寿命较短,而且在使用的过程中功耗较大,电器容易发热,而晶体管的使用寿命较长,功耗较小,能够减少电能的流失,而且散发出的废热较少。
6BW4是一种小功率双三极管,电压放大系数为20至60,最大阳极电哗灶压为250V,最大整流器直悉悄流输出电流为100ma。
以下是6BW4的一些主要参数:
- 极性特性:双三极管
- 电压放大系数:20至60
- 最大阳极电压(Vap):250V
- 阳极最大功率(Pa):1.5W
- 网络输入电阻(ri):3.3KΩ
- 最大直流静态电流(Ia):22.5mA
- 最大整流器直流输出电流:100mA
- 灯丝电压(Uf)睁芦渣:6.3V
- 灯丝电流(If):0.3A
需要注意的是,以上数据仅供参考,具体的参数可能因制造厂家和使用条件的不同而有所不同。
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