mos管栅极电阻（mos管栅极电阻并联二极管）

发布时间：2023-07-03

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1、MOS管栅极并联的电阻是为了释放栅极电荷，不让电荷积累。总之与MOS管栅极并联的电阻稳压管起保护MOS管栅极的作用。

2、缓冲电阻，针对栅极控制信号的。根据MOS管的栅极电容和工作频率来选择，一般在7欧到100欧之间。一般MOS管资料内也会有个相应的栅极串入电阻参考值。

3、拉电阻实际就是输入电流在它上面流过展开一个工作输入电压，以便MOS工作。若无此拉电阻，电压受控元件是无法工作的，它不像普通电流受控的三极管一样，由栅流控制集电极电流。

4、这个电阻是叫驱动电阻，一般来讲，值从0-数百欧姆都是可以的一般来讲就是在MOS的温度和EMI折中示波器里量测电阻前后对地波形，可以看到电阻前的PWM比后面的要直。

5、一是为场效应管提供偏置电压；二是起到泻放电阻的作用：保护栅极G-源极S。

把连接栅极和源极的电阻移开，万用表红黑笔不变，假如移开电阻后表针慢慢逐步退回到高阻或无限大，则MOS管漏电，不变则完好。然后一根导线把MOS管的栅极和源极连接起来，假如指针立刻返回无限大，则MOS完好。

mos管驱动电阻小于100下篇偏置电阻取最小。用普通小电阻即可，MOS管栅极电流很小，这个电阻主要跟上升与下降时间有关系，一般选择几十欧姆的电阻即可。

MOS管栅极串联电阻的确定方法：当 Rg 增大时，导通时间延长，损耗发热加剧； Rg 减小时， di/dt 增高，可能产生误导通，使器件损坏.应根据管子的电流容量和电压额定值以及开关频率来选取 Rg 的数值。

igbt栅极电阻太小容易导致震荡甚至器件损坏。igbt栅极电阻选择过小，会引起IGBT承受短路过流能力下降，引起关断电压尖峰。

这是两个N沟道增强型CMOS管，在其栅极施加正电压将形成导电沟道，MOS管的漏-源极呈现低阻状态，相当于开关接通，电机转动。

用普通小电阻即可，MOS管栅极电流很小，这个电阻主要跟上升/下降时间有关系，一般选择几十欧姆的电阻即可。

若不出现上述情况，可以调换黑、红表笔按上述方法进行测试，直到判别出栅极为止。

1、栅极电阻太大了会与MOSFET的极间电容形成RC电路会严重印象MOSFET的充放电时间，造成MOSFET消耗功率过高，发热严重。

2、栅极电阻大小对开关过程影响的物理原因是栅极电阻小，给门极电容充电速度就快，电流变化就快。栅极电阻的存在势必会影响开关速度，即电容的充放电速度。为了减少谐波，可以通过增加栅极电阻来缩短开关时间。但是这将增加开关损耗。

3、R95电阻有两个作用，输入来的信号分压，和输入电流限流。DO输入的高信号有效。R096 R097 R098是一组工作点分压电路，接近10-11伏左右，DOUT92输入的低信号有效。

4、MOS管栅极电阻的选取可以通过以下步骤进行：确定电路的工作电压 range。确定工作状态下 MOSFET 的最大电流。根据最大电流和工作电压确定 MOSFET 的额定功率。通过选择电阻值来将功耗限制在额定范围内。

5、MOS管的输入电阻很高，使得其输入信号源驱动能力强，可以连接更多的负载。MOS管的输入电阻很高，可以减少输入信号源的电流消耗，降低功耗。MOS管的输入电阻很高，可以减少外部元器件的干扰，提高电路的抗干扰能力。

6、MOS管栅极串联电阻的确定方法：当 Rg 增大时，导通时间延长，损耗发热加剧； Rg 减小时， di/dt 增高，可能产生误导通，使器件损坏.应根据管子的电流容量和电压额定值以及开关频率来选取 Rg 的数值。

mos管栅极电阻（mos管栅极电阻并联二极管）