可控硅触发时间（可控硅触发角度最大多少度）

发布时间：2023-07-03

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电流-IT(RMS)： 0A 电压-VDRM： ≥600V 触发电流： IGT ≤18-25mA BTA08是可控硅整流元件的简称，是一种具有三个PN 结的四层结构的大功率半导体器件，亦称为晶闸管。

晶闸管的最大时间参数是最大失控时间。根据查询相关公开信息显示，晶闸管的最大失控时间是两个相邻自然换相点之间的时间，它与交流电源频率和晶闸管整流器类型有关。

Ug到来得早，可控硅导通的时间就早；Ug到来得晚，可控硅导通的时间就晚。通过改变控制极上触发脉冲Ug到来的时间，就可以调节负载上输出电压的平均值UL(阴影部分的面积大小)。

否则就失控了。问题补充：如果可控硅的触发电流时间很长：在交流，半波电路里，到下半波，可控硅处于反向，自然关断，再到下一正半波，如果触发电流还存在，则该正半波又导通，可控硅就相当于整流二极管。有问题再说。

快速响应：可控硅导通和断开速度快，在高频电路中有着很好的性能。可控硅在很多工业领域中都有着广泛的应用，如电力系统，电机控制，逆变器，调速器，负荷控制等。

具有效率高、无机械噪声和磨损、响应速度快、体积小、重量轻等诸多优点。

可控硅触发时间（可控硅触发角度最大多少度）

在使用隔离电源控制可控硅时，通常需要考虑过零。过零是指交流电压信号通过0的瞬间。在交流电路中，电压会周期性地从正值到达负值，而过零点是电压变化的一个重要时刻。

至于过零触发，是指阳极电压或电流比较低的情况下进行触发，避免可控硅在导通瞬间产生大的电流变化和电压变化，这两个变化率太大，会对器件产生威胁。

检测就用运放构成比较器比较的好；MOC3061中的过零检测主要用于改变双向可控硅G极上触发脉冲的极性，双向可控硅导通方向就随着极性的变化而改变，从而能够控制交流电负载。

过零检测的目的是为了减小对电网的干扰。MOC3021是即时触发的，不带过零检测，使用这种光耦触发可控硅，在开启的瞬间，电流冲击会在电网上形成一个负跳变，幅度由电流的大小决定。这种跳变多了，电网自然就不干净了。

1、可控硅实现交流电调压实际是调功，一般有两种方案1，调节单位时间内交流脉冲个数。2，是通过控制可控硅的导通角来调节电流大小。全导通为180度，一般工作在60到140度左右一般第二种方式比较常用。

2、加一个反馈电路，把输出的电压与调节电位器的值进行比较放大，再把误差值送进调节器。具体实现的电路你自己再想吧。

3、可控硅必须检测过零信号。只有零点以后触发，才会有效。而且在下一个零点到来的时候，可控硅会自动关闭。你这个程序里面只有一句P=1，没有P=0，那么这个端口一直开启，没有关闭。负载将一直投入。不可能关闭。

4、单片机可以控制单向可控硅，对于小功率单向可控硅，控制极电流只要几毫安，电压3到5伏（1伏左右就可开通，注意不要误触发），单片机可以直接驱动。但最好用光偶隔离。大功率可控硅，触发电流几十毫安，要加功率放大才行。

5、可控硅调速电路输入的是直流电，通过一个滤波电容稳定电压。

可控硅导通需要有两个条件，一是在阳极和阴极之间加正向电压，二是在控制极加触发电压，两个条件同时具备可控硅才能导通。

可控硅的移相触发：可控硅需要在控制极施加触发电压才能导通，在可控硅交流调压电路中，改变触发脉冲相对输入交流波形的位置，可使可控硅得到不同导通角来改变输出电压。

强电触发：采用MOC306MOC3021等高压光耦，从可控硅的A极引入触发电压，这种触发不需要其他触发电源，电路非常简单，主要元器件工作在400V强脉冲环境，可靠性最差。采用触发二极管电路与这种结构相似。