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单个mos管驱动（单个mos管驱动电路）

发布时间：2023-07-03
阅读量：68

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有单mos不需要其他元器件驱动的吗

1、和单片机搭配的MOS管VDSS=20V或30V的即可，UT230UT230UT3400、UT340NCE3010等等都可以用单片机驱动，可以根据你用的功率来选择。如果VDSS在60V或者一样一般就驱动不起来了，30V以下的VDSS的MOS一般都可以驱动。

2、一个是需要关注MOS管的最大驱动能力，也就是最大电流值。MOS管的耐压值，另外一个就是封装，主要是考虑散热问题。

3、东芝光耦有很多种类，高速光耦有：TLP117： 5 V， 50 Mbps/TLP2066： 3 V， 20 Mbps/TLP2116： 5 V， 20 Mbps (2-in-1)。

4、mos管驱动要用图腾柱，是因为MOS管的栅极输入电阻极大，使得驱动电路必须以非常大的电流去给栅极电容充电和放电。

5、因为一般DS耐压100V左右的NMOS，其栅极耐压也就20或30V，这个要看你的MOS的说明书。理论上，GS电压越高，NMOS导通内阻越小，但是，由于要给栅极电容充电到高压，所以整个开启速度会变慢，所以并不是电压越高越好。

求使用IR2110驱动单个mos管的电路

全桥逆变，用两个IR2110驱动四个MOS管，求应该加在IR2110的L(in)和H(in)上的SPWM的波型。 50 又MSP430的程序代码最好。跪求高手耐心解好答案加悬赏。... 又MSP430的程序代码最好。跪求高手耐心解好答案加悬赏。

不需要。美国IR公司生产的IR2110驱动器。它兼有光耦隔离(体积小)和电磁隔离(速度快)。

：H桥的上管可以用IR2110来驱动，这个芯片自己提供了一个自举功能，上管MOSFET（或IGBT）的源极电压是浮动的，自举电路可以保证上管的栅源之间的电压在开启电压阈值之上。

但是，导通内阻跟Vgs有一定关系，也就是说MOS没有完全导通时候内阻会大，毕竟MOS是电压驱动型器件。另外手册上的Rds（on）基本上就是该元件典型的内阻，只要完全导通，误差不很大。

对角线的mos管驱动波形应该一样。你看看U1HO和U2LO波形是否一致。U1HO和U2LO是否反相且带死区。

IR2110是专门的MOSFET管和IGBT的驱动芯片，带有自举电路和隔离作用，有利于和单片机联机工作，且IGBT的工作电流可达50A，电压可达1200V，适合工业生产应用。 综合上述三种方案，本设计采用方案三作为整个系统的设计思路。

如何驱动mos管,避免交越失真

1、交越失真产生的克服方法：避开死区电压区，使每一晶体管处于微导通状态，一旦加入输入信号，使其马上进入线性工作区。

2、Q5为NMOS管，R12为限流电阻（或是偏置电阻），源漏之间的二极管为保护二极管。 源极接地，电压为0，当栅极（即图中右眼驱动1）的电压大于开启电压Vth（一般为0.7V）时，就可在源漏之间形成导电沟道，产生电流。

3、，用低端电压和PWM驱动高端MOS管。2，用小幅度的PWM信号驱动高gate电压需求的MOS管。3，gate电压的峰值限制 4，输入和输出的电流限制 5，通过使用合适的电阻，可以达到很低的功耗。6，PWM信号反相。

4、选择专用的MOS管驱动器试试，主要从提高驱动电流，反应速度、驱动信号的上升速度及下降速度等考虑。

5、也就是说：要将负载与MOS管上下换个位置。然后这个电路在MOS管关掉时，gs之间的电路是48V，超过了其最大耐压为20V。三极管的基极电流一般只有1mA就可以让其饱和导致了。具体的，你可以看一下这个三极管的规格书。

单片机PWM驱动mos管

单片机驱动mos管电路主要根据MOS管要驱动什么东西， 要只是一个继电器之类的小负载的话直接用51的引脚驱动就可以，要注意电感类负载要加保护二极管和吸收缓冲，最好用N沟道的MOS。

MOS管开关电路是利用一种电路，是利用MOS管栅极（g）控制MOS管源极（s）和漏极（d）通断的原理构造的电路。MOS管分为N沟道与P沟道，所以开关电路也主要分为两种。

MOS管上产生的压降为 0.4V，不足以影响负载吧？门极导通电压为1V~4V，标称3V；7V的锂电池，饱和是2V，选择3V工作的单片机，足够驱动了。

ir2104可以只驱动一个MOS管嘛,或者驱动两个独立接地的MOS管,不是上下...

每一相都有高位的MOS和低位的MOS，要驱动这两个MOS而且还不能同时开 同时关，必须上开下关 或者下开上关，所以要用互补的PWM控制。如果用专用的MOS驱动芯片去驱动MOS管，是可以用一路PWM控制一相的。

电阻103多用在mos管驱动，目的是释放栅极积累的电荷，避免误导通。如你所画用三极管，103和101形成分压，降低电压变化速率，也起稳定作用。

我想问下关于N沟道MOS全H桥驱动电机问题。我用的是2片IR2104S驱动4个NMOS，但是输入为低电平mos下管长期打开，PWM工作时会切换。

我最近也在用IR2110，做一个交流逆变电源。 IR2110的高端驱动电平(6脚与5脚)相对于COM是悬浮的，必须通过开通半桥的下管给VB-VS脚所接的自举电容充电，这样7脚才有足够的电荷驱动半桥的上管。

关键词：如何驱动mos管 光耦隔离 mos管 东芝光耦 输入电阻 mos管驱动 高速光耦 单个mos管驱动 电容 驱动mos管

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