mos管soa（mos管soa怎么测）

发布时间：2023-07-03

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MOS管的三个极分别是：栅极G、源极S、漏极D。

G：gate 栅极；S：source 源极；D：drain 漏极。N沟道的电源一般接在D，输出S，P沟道的电源一般接在S，输出D。增强耗尽接法基本一样。晶体管有N型channel所有它称为N-channel MOS管，或NMOS。

漏极和源极互换，若两次测出的电阻都很大，则为N沟道；若两次测得的阻值都很小，则为P沟道。判定源极S、漏极D：在源-漏之间有一个PN结，因此根据PN结正、反向电阻存在差异，可识别S极与D极。

MOSFET由三个极层组成，包括：源极(source)：连接到N沟道区域，电流进入晶体管的端点。汇极(drain)：连接到P沟道区域，电流流出晶体管的端点。连接极(gate)：与N沟道区域相隔离，通过一层氧化膜与N沟道区域相连。

三个脚为基极、集电极、发射机的是三极管。三个脚为栅极、漏极、源极的是MOS管。三极管和MOS管的外形看起来很像，实际是不同的东西。

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1、主体不同 MOS管：金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管。三极管：半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件。

2、速度：MOS管开关速度不高，三极管开关速度高工作性质：三极管用电流控制，MOS管属于电压控制阻抗：三极管输入阻抗小，MOS管输入阻抗大。频率特性：MOS管的频率特性不如三极管。

3、工作性质：三极管用电流控制，MOS管属于电压控制.成本问题：三极管便宜，MOS管贵。功耗问题：三极管损耗大，MOS管较小。驱动能力：mos管常用来电源开关，以及大电流地方开关电路。

1、G：gate 栅极；S：source 源极；D：drain 漏极。N沟道的电源一般接在D，输出S，P沟道的电源一般接在S，输出D。增强耗尽接法基本一样。

2、而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型；P沟耗尽型和增强型四大类。见下图。

3、场效应管分为结型(JET)管和绝缘栅型(MOS)管两种，符号如上，你可以想象成将字母J和字母M向左翻转90度，结型管符号好像翻转的J，MOS管右边的三个引出端好像字母M翻转后的三个点。这样就好记忆了。

4、分别代表漏源电压跟栅源电压。因为在mos管中，有3个极：D代表漏极，G代表栅极，S代表源极。

数字万用表置电阻挡，先假设一极为G，接红笔，黑笔接一极设为S，黑笔不动，红笔接第三极，若电阻很小，假设成功，红为G，黑为S，第三极为D.反复假设测量，符合以上假设完成测试。

UDSUGS-UGS(th)时，恒流区（相当于三极管放大区）；你现在可以计算一下：UDS=8VUGS-UGS(th)=2V，所以明显是属于恒流区，此时对于每个UGS，都有一个iD与它对应，MOS管可视为电压UGS控制的恒流源。

但是，前者只能在vGS0的情况下工作。而后者在vGS=0，vGS0，VPvGS0的情况下均能实现对iD的控制，而且仍能保持栅-源极间有很大的绝缘电阻，使栅极电流为零。这是耗尽型MOS管的一个重要特点。

G：gate 栅极；S：source 源极；D：drain 漏极。N沟道的电源一般接在D，输出S，P沟道的电源一般接在S，输出D。增强耗尽接法基本一样。无论N型或者P型MOS管，其工作原理本质是一样的。