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B=K(m)I(m或s).其中K(m)是读出来的,I(m)或I(s)是做实验时各自固定的一个电流,括号内的字母是下标。
上、下表面的电势差U越大;电流越大,则电子定向移动的速率v越大,上、下表面的电势差U越大;由于B=B 0 +kz,所以U=(B 0 +kz )dv,所以 ,所以k越大,传感器灵敏度( )越高。选项AB正确。
由于通电导线周围存在磁场,其大小与导线中的电流成正比,故可以利用霍尔元件测量出磁场,就可确定导线电流的大小。利用这一原理可以设计制成霍尔电流传感器。
霍尔效应实验是指为了解霍尔效应测量磁场原理而进行的实验。目的与要求:1. 了解霍尔效应测量磁场的原理和方法;2. 观察磁电效应现象;3. 学会用霍尔元件测量磁场及元件参数的基本方法。
器件材料(决定灵明度系数K)。霍尔电势的方向还与半导体是P型还是N型有关,两者方向相反。设霍尔电势为EH 则:EH=KIB 注:B为与电流垂直的磁感应强度分量。
1、霍尔元件是应用霍尔效应的半导体。一般用于电机中测定转子转速,是一种基于霍尔效应的磁传感器。霍尔效应是指通电导体在垂直于外加磁场的作用下,可在垂直于电流方向及磁场方向的方向上产生电势差。
2、通过测量霍尔电势的大小间接测量载流导体电流的大小。因此,电流传感器经过了电-磁-电的绝缘隔离转换。
3、通过霍尔效应实验测定的霍尔系数,能够判断半导体材料的导电类型、载流子浓度及载流子迁移率等重要参数。
1、采用功率霍尔开关电路可以减小这些现象。霍尔器件通过检测磁场变化,转变为电信号输出,可用于监视和测量汽车各部件运行参数的变化。
2、高精度:集成霍尔传感器具有非常高的精度,可以实现微小磁场的检测,同时还具有非常高的稳定性和可重复性,使得它们在工业生产中得到了广泛的应用。
3、用霍尔位置传感器法测量位移的优点如下:结构牢固,体积小,重量轻,寿命长,安装方便,功耗小,频率高(可达1MHZ),耐震动。不怕灰尘、油污、水汽及盐雾等的污染或腐蚀。
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