mos管开启电压是多少（mos管工作电压是多少伏?）

发布时间：2023-07-03

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MOS管，当器件由耗尽向反型转变时，要经历一个 Si 表面电子浓度等于空穴浓度的状态。此时器件处于临界导通状态，器件的栅电压定义为阈值电压，MOSFET的重要参数之一。

MOS管导通后的Vgs电压始终为该管的开启电压，和刚满足导通条件时比较，导通后随着源极S电位的升高，Vg电压也要升高，在漏极电流不变的的情况下Vgs是个常数。N沟道与P沟道是不一样的。

MOS管，当器件由耗尽向反型转变时，要经历一个 Si 表面电子浓度等于空穴浓度的状态。此时器件处于临界导通状态，器件的栅电压定义为阈值电压，它是MOSFET的重要参数之一。

最小的有不足2V的，最高的有接近10V的。通常Vds高的管子门极阈值电压也高，Vds低的管子门极阈值电压也低。（无论什么型号的MOSFET阈值电压只能控制MOSFET导通，但这时压降很大。大约2倍的阈值电压可以使MOSFET深度饱和。

mos管开启电压是多少（mos管工作电压是多少伏?）

是的，G极的电压需要2-4V之间。MOS管的source和drain是可以对调的，都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能，这样的器件被认为是对称的。

MOS管是电压驱动不需要电流，电流只用于栅极电容充电。

看是P沟还是N沟场管，它们的驱动电压是不同的，P沟驱动电压低，N沟驱动电压为0.6v以上。

场效应管驱动电压一般在10～15伏，最高电压为15V。

开启电压是指MOS由阻断到开始导通的最低门极电压，一般是3~5伏，导通电阻随门极电压的升高而减小。此管门极电压必须小于20V。

开启电压VT ·开启电压（又称阈值电压）：使得源极S和漏极D之间开始形成导电沟道所需的栅极电压；·标准的N沟道MOS管，VT约为3～6V；·通过工艺上的改进，可以使MOS管的VT值降到2～3V。

MOSFET开启电压5V的话，需要栅极电压高于源级电压5V才能导通，就是说如果源级电压是12V，栅极电压要12+5=17V才能导通。这个说的对。

使用有寄生二极管的P沟道MOS管，S的电压要高于D的电压，原因同上。下面是MOS管的导通条件，只要记住电压方向与中间箭头方向相反即为导通（当然这个相反电压需要达到MOS管的开启电压）。

1、导通阻抗是指MOS管处于导通状态时源极和漏极之间的电阻，这个数值越小导通效果越好；开启电压是指增强型场效应管加在栅极和源极之间的控制电压达到使之开始导通的电压值。

2、耗尽型mos管的开启电压一般小于零对吗对的问题的实质是：增强型MOS管的栅源电压也可以为0或负，只是这些情况与栅源电压未达到开启电压之前是完全一样的：截止。

3、场效应管的作用主要有信号的转换、控制电路的通断，这里我们讲解的是MOS管作为开关管的使用。

4、使用测电阻法看。首先预判一下管子开启电压大概多少，串上合适阻值的可变电阻器，保证管子别烧了，管子门极并电压表。观测两端电压，串电流表，看电路是否导通上电前变阻器阻值至最大。

5、此时器件处于临界导通状态，器件的栅电压定义为阈值电压，它是MOSFET的重要参数之一。MOS管的阈值电压等于背栅和源极接在一起时形成沟道需要的栅极对source偏置电压。如果栅极对源极偏置电压小于阈值电压，就没有沟道。