可控硅结深（可控硅vgd）

发布时间：2023-07-04

阅读量：54

本文目录一览：

1、结深不是势垒宽度。pn结势垒有一定的高度和一定的厚度，这完全由其中的空间电荷密度及其分布来决定。一般，空间电荷区可以采用所谓耗尽层近似（即认为空间电荷完全由电离杂质所提供的一种近似）。

2、光电二极管是将光信号变成电信号的半导体器件。它的核心部分也是一个PN结，结深很浅，一般小于1微米。pn结中的阻挡层是指的P型半导体和N型半导体结合时，多子自然扩散形成的反向电场区，和空间电荷没有关系。

3、PN结(PN junction)。采用不同的掺杂工艺，通过扩散作用，将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体(通常是硅或锗)基片上，在它们的交界面就形成空间电荷区称PN结。PN结具有单向导电性。

可控硅结深（可控硅vgd）

1、通过两个反并联的整流电路，可控硅能够把直流变交流，但没有电流放大作用。

2、个人认为不可以。这种移相式调压，会有直流份量和高次谐波施加在变压器上，可能是使变压损耗耗增大，变压器过热。如果可控硅的对称性不好，情况会更加严重。

3、可控整流是用晶闸管（可控硅）组成的整流器可以在交流电压不变的情况下，方便的改变直流输出电压的大小即可控整流。

4、单相可控硅相当于可调输出的二极管，单只单相可控硅输出定是直流电，用二只单相可控硅和二只二极管组成的全桥电路就可以得到可调的交流电，这种电路大多用在大功率电路中。双向可控硅可以直接输出交流电，大多用在小功率电路中。

5、交流。可控硅，英文名称为Silicon Controlled Rectifier，简写为SCR，是可控硅整流元件的简称，有时也将其称为晶闸管。

6、可控硅只能作交流调压。不能做直流调压。直流调压，现在采用开关电源。而模拟调压的直流电源效率很低。

硅材料对紫外光的响应较低，这是由于紫外光在硅材料中的透射深度极浅(波长在370nm以下，透射深度大于20nm)。载流子复合效应导致光响应随入射光波长的减小而迅速下降。

材料的能带结构：光电二极管的灵敏度与其材料的能带结构密切相关。能带结构对光电二极管的响应波长有很大的影响，材料的能带结构决定了它对特定波长的光子的吸收和发射能力。

一般来说，当光电二极管的负载电阻较大，也就是电流较小时，其响应时间会较长，因为电荷载体的移动速度较慢，需要更长的时间来达到稳定。