如何测量mos管波形（mos管的测量方法）

发布时间：2023-07-04

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你得具体说明你测量的是什么值，是VDS？你把示波器探针的夹子夹在S极处，越近越好，尽量避免干扰。你用的如果是数字示波器就设置单次触发，触发电压设置到680V，看看能不能捕捉到。

用单次触发，把触发电平位置设高些，避免抓到不想要的波形然后用光标手动测量就行了。

测量直流电压要先保证通道的耦合方式处于直流状态，像电池电压的话因为比较低，探头衰减比一般1X即可，垂直档位设置1V或者500mv。然后确保示波器的触发模式处于自动状态。

．比较测量法比较测量法就是用一已知的标准电压波形与被测电压波形进行比较求得被测电压值。

用示波器测量功能(Measure)或者光标(Cursor)测量功能进行测试。也可以用垂直量程x单位刻度计算得到电压值。

如果是电压太小或太大，应选择放大10倍或缩小10倍的旋档，得出的数值再除以10或乘以10。注意：示波器测得的最大电压值为峰值电压，正半周与负半周之间的最大相差值成为峰峰值。

如何测量mos管波形（mos管的测量方法）

从结构上看，N沟道耗尽型MOS管与N沟道增强型MOS管基本相似，其区别仅在于栅－源极间电压vGS=0时，耗尽型MOS管中的漏－源极间已有导电沟道产生，而增强型MOS管要在vGS≥VT时才出现导电沟道。

你的不足在于，没有很好地理解MOS管的工作原理N沟道管子，衬底是B，而且是P型半导体，B与源极S连在一起。

当uGSUTN之后，只要在恒流区，转移特性曲线基本上是重合在一起的。曲线越陡，表示uGS对iD的控制作用越强，也即放大作用越强，且常用转移特性曲线的斜率跨导gm来表示。P沟道增强型MOS管上面讲的是N沟道增强型MOS管。

N沟道耗尽型MOS管是MOS管不需要工作电压就有了导电沟道，而P型增强型MOS管则是需要一定的电压才能反型。

沟道的作用：连接两个N掺杂区，这样就可以导通了。沟道来自于P掺杂区，因为G极和衬底B之间电场的作用，电子大量聚集在G极这里，所以这一块的P区就变成了N区（所以叫“反型”层）。

1、测量直流电压要先保证通道的耦合方式处于直流状态，像电池电压的话因为比较低，探头衰减比一般1X即可，垂直档位设置1V或者500mv。然后确保示波器的触发模式处于自动状态。

2、将示波器探头与输出端连接，看示波器上是否有显示数据波形。

3、用示波器测量峰到峰的电压，一般按以下步骤进行：（1）连接示波器（2）按说明书接通示波器。（3）用校准信号校正Y轴增益。（4）输入选择在交流位置，将探头连接被测信号。

4、你的高频炉应该是中频加热炉，驱动板是反馈信号放大作用，输出脉冲信号触发可控硅振荡电路工作，要用示波器测试波形，如果测脉冲波形直接找到连接可控硅控制极G端，另一测试点为C端。

5、用示波器测流过mos管电流方法。将探头地线绕在承载待测电流的导线上，然后将接地夹连接到探头尖端。产生的电压再次与电流的变化率成正比测量。