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没有体二极管的mos（没有极性的二极管）

发布时间：2023-07-04
阅读量：42

本文目录一览：

...DS两端为什么会有一个反向二极管。有没有没有这个二极管的mos...

不是所有的MOS管都存在这个二极管，只有V-MOS管（垂直导电）才有。这个二极管也不是“加”上去的，是该类管子制作工艺过程中与底衬间的寄生二极管，天然存在，不要不行。

不是好多mos有反向二极管，而是大部分都有。测BVdss，不管有没有二极管，测试都是一样的。

mos管本身自带有寄生二极管，作用是防止vdd过压的情况下，烧坏mos管，因为在过压对mos管造成破坏之前，二极管先反向击穿，将大电流直接到地，从而避免mos管被烧坏。

本来就是MOS管本身里有一个体二极管，是D级到S级，就按沟道不打开，电流不经过沟道过去，也可以先过它的体二极管到S级的。

这是生产工艺造成的。漏极从硅片底部引出，就会有这个寄生二极管。小功率MOS管例如集成芯片中的MOS管是平面结构，漏极引出方向是从硅片的上面也就是与源极等同一方向，没有这个二极管。

mos管gs间没有寄生二极管吗?表笔测量gs电阻怎么无穷大?

MOS管有3个脚，分别为g栅，s源，d漏（不管是NMOS还是PMOS），g栅极与s和d是隔着氧化物的，所以gs间和gd间的电阻是无穷大的，而ds是可以互换的，那个电压高那边就是漏极。

MOS管本身自带有寄生二极管，作用是防止VDD过压的情况下，烧坏MOS管，因为在过压对MOS管造成破坏之前，二极管先反向击穿，将大电流直接到地，从而避免MOS管被烧坏。

用普通小电阻即可，MOS管栅极电流很小，这个电阻主要跟上升/下降时间有关系，一般选择几十欧姆的电阻即可。

应该正向导通，反向电阻无穷大。此时，剩下的就是g级，用R*1K档，黑表笔接g，红表笔接s，在g，s间充电，然后再将黑表笔接d，表指针会偏转，然后慢慢返回，说明管子是好的。

哪些型号的mos管没寄生二极管

1、一般大功率管有该二极管，小功率管和集成电路中的mos管没有该二极管。如果漏极从衬底硅片底部引出的，则会有该二极管，是漏极与衬底之间形成了PN结造成的。如果漏极从硅片的上面，与栅极相同的方向引出，则没有该二极管。

2、在MOS管原理图上可以看到，漏极和源极之间有一个寄生二极管。这个叫体二极管，在驱动感性负载(如马达)，这个二极管很重要。顺便说一句，体二极管只在单个的MOS管中存在，在集成电路芯片内部通常是没有的。

3、小功率管以及集成电路中的MOS管一般没有这个二极管。如果D极电压高于S极是不是这个二极管就会导通那要看管子的极性，是P沟还是N沟。这是生产工艺造成的。漏极从硅片底部引出，就会有这个寄生二极管。

4、不是所有的MOS管都有寄生二极管，只有V-MOS管才有寄生二极管。数字表的电阻档不能测量二极管，必须用二极管档测量，才能在一个方向测到电阻（电压），反方向不通。

所有的mosfet都有体二极管吗

1、这个二极管不是所有的MOS管都有，有没有与生产工艺有关。一般大功率管工艺为VMOS、TMOS等，就有这个二极管。它不是特意做出来的，是生产时自然形成的。小功率管以及集成电路中的MOS管一般没有这个二极管。

2、一般IGBT内都带一个反并的体二极管，并且是能够够满足功率管开关要求的。如果没有IGBT没有体二极管，可以外接一个，功率要求达到IGBT的峰值电流就差不多吧，要不IGBT烧了，二极管还没有烧。

3、所有的MOSFET全都带反并联二极管，因为那个二极管是寄生在晶元里的。IGBT也几乎是所有的都有带反并联二极管，但和MOSFET不同的是：它是有另外一个二极管晶元并联在CE极上的。

4、有的MOSFET内部会有个二极管，这是体二极管，或者叫寄生二极管、续流二极管。

5、因为MOSFET自带体二极管，因此反向加电压的话，二极管就会导通；因此MOSFET只有正向击穿电压，而没有反向击穿电压。所以只有很小的反向击穿电压。

IGBT带体二极管吗

1、一般都会带有二极管，但是有时候也不一定的。如果是单管的话，型号编码中电流数值后面含有“D”字母的话就代表内含快恢复二极管。不过还是要看具体的品牌的。

2、这是N沟道大功率场效应管，D-S间并联的是体二极管，是加工场效应管的副产物，相当于一只快恢复二极管。主要作用是消除反峰、防止反接。

3、用万用表电阻挡测二极管正反向电阻，即可判断出二极管的好坏。目前空调器中使用的二极管几乎全是硅二极管，测量时用万用表R×lOO或R×lk挡。

4、继流的作用。当负载为感性时，可以防止反峰电压损坏（击穿）管子。

5、同时还要注意IGBT有没有体二极管，图上没有标出并不表示一定没有，除非官方资料有特别说明，否则这个二极管都是存在的。IGBT内部的体二极管并非寄生的，而是为了保护IGBT脆弱的反向耐压而特别设置的，又称为FWD（续流二极管）。

如何选择最适合的MOS管驱动电路?

1、选择合适的MOSFET管对于驱动电路的设计至关重要。应选择具有低导通电阻、低反向恢复电荷和高开关速度的MOSFET管。此外，还应选择合适的电压和电流容量，以适应实际应用的需求。

2、　选择MOS管的下一步是系统的散热要求。须考虑两种不同的情况，即最坏情况和真实情况。建议采用针对最坏情况的计算结果，因为这个结果提供更大的安全余量，能确保系统不会失效。

3、Vds一般选用600V或者800V，Rds尽量小点的话效率会高点，还有就是承受电流的能力。别人10n60就是10A/600V的mos管。还有就是厂家，比如FairChild、SHIP等啊，差别蛮大的。

4、降压电路驱动电路的MOS管尺寸选择，选择依据如下：首先，确定降压电路的最大输入电压，MOS管的耐压，需大于等于3倍以上输入电压，确保MOS管不会被击穿。

5、如果是低频开关电路，可以选三极管，高频的要选MOS管。三极和一般工作在线性区，比如做一些线性电源。MOS管就要工作在完全开通状态。

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