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MOS管是压控器件它通过加在栅极上的电压控制器件的特性，不会发生像三极管做开关时的因基极电流引起的电荷存储效应，因此在开关应用中，MOS管的开关速度应该比三极管快。
简单地讲，就是用小的电流变化，利用晶体管的线性工作区域所谓放大特性，带动大的电流变化，起到放大作用。
通常在数千到数百万之间。MOS管的漏电流指的是MOS管通道内的电流，当MOS管的控制电压为0时，MOS管的漏电流也很小。MOS管在电路中有许多应用，如控制电流、放大电流、放大电压、放大信号、过滤噪声等。
所以β没有量纲。MOS管具有放大作用的基础是电压vgs对电流id的控制作用，这个控制量是gm，定义 gm=id/vgs，电流被电压除，它的量纲应该是电导。但是电压电流不在同一个回路中，所以过去就命名为跨导，回来才改成互导。
则控制mos管导通输出电流。参考电压可以来自于采样电阻，也就是在nmos的s极接一个大功率小电阻后接地，这个电阻做电流采样，当电流流过电阻后会形成电压，把它放大处理后做参考。
压降0.7v，则电容正极为15v左右。于是继电器得电，电压大小为12v到16v，主要取决于三极管饱和程度。这个有点类似于自举升压。我估计你这个继电器动作电压不是8v，因而这个驱动电路并不是放大电流而是放大电压的。
本来就是MOS管本身里有一个体二极管，是D级到S级，就按沟道不打开，电流不经过沟道过去，也可以先过它的体二极管到S级的。
小功率管以及集成电路中的MOS管一般没有这个二极管。如果D极电压高于S极是不是这个二极管就会导通那要看管子的极性，是P沟还是N沟。这是生产工艺造成的。漏极从硅片底部引出，就会有这个寄生二极管。
这个二极管是MOSFET内部的等效电路。从这个结构上可以看出来源极和漏极之间存在一个PN结，而二极管本身就是有一个PN结形成的，所以这个结构就等效于在源极和漏极之间并联了一个二极管。
会的，当VDS高到一定程度以后，会使寄生在DS之间的body diode击穿，从而导通，导通后极有可能烧坏。VDS瞬间过高，也会导致G极上产生电压，从而出现擎住效应，致使器件导通、烧坏。
是的。一般NMOS管只要保证GS端的电压大于开启电压，那么在DS间的电流不管正向、反向都能导通，当然，对于PMOS也一样。
阈值电压受衬偏效应的影响，即衬底偏置电位，零点五微米工艺水平下一阶mos spice模型的标准阈值电压为nmos0.7v pmos负 0.8，过驱动电压为Vgs减Vth。
nMOS：Vth=0.7V ，pMOS：Vth=-0.8V。MOSFET阈值电压V是金属栅下面的半导体表面出现强反型、从而出现导电沟道时所需加的栅源电压。
MOS的阈值电压，即是所谓的开启电压，不同型号的阈值会有不同的值；而通常情况下还与其耐压有关，例如几十V的耐压一般为1-2V，200v以内的一般为2-4V，200V以上的一般为3-5V。
关系是S极电压可以无条件到D极，MOS管就失去了开关的作用。MOS管是指场效应晶体管，有G(gate栅极)/D(drain漏极)/S(source源极)三个端口，分为PMOS管(P沟道型)和NMOS(N沟道型)两种。
UDSUGS-UGS(th)时，恒流区（相当于三极管放大区）；你现在可以计算一下：UDS=8VUGS-UGS(th)=2V，所以明显是属于恒流区，此时对于每个UGS，都有一个iD与它对应，MOS管可视为电压UGS控制的恒流源。
(1) 增强型NMOS管的转移特性：在一定VDS下，栅-源电压VGS与漏极电流iD之间的关系：IDO是VGS=2VT时的漏极电流。(2) 输出特性(漏极特性)表示漏极电流iD漏-源电压VDS之间的关系：。
通俗点说，就是用G极的控制电压来控制MOS管的导通，饱和，截止等状态。使得D极的输入电压，在S极的输出电压上体现出不同的状态。
Vds是场效应管漏极和源极间的电压，Vgs是栅极与源极间电压，指的是电压值不存在加减关系和电流方向。场效应管Vgs和Vds电压问题说明：MOS管的时候记得是G极电压，D极电压，S极电压这样叫。
1、首先MOS管是四端器件，栅源漏衬，一般源衬短接。
2、沟道的作用：连接两个N掺杂区，这样就可以导通了。沟道来自于P掺杂区，因为G极和衬底B之间电场的作用，电子大量聚集在G极这里，所以这一块的P区就变成了N区（所以叫“反型”层）。
3、产生误差电压，从而控制脉冲宽度；③脚为电流检测输入端，当检测电压超过1V时缩小脉冲宽度使电源处于间歇工作状态；④脚为定时端，内部振荡器的工作频率由外接的阻容时间常数决定，。 液晶电视开关电源不起振。
4、首先是因为自举升压电容，它是属于一个升压的电容，在使用的过程中，它的电压是不断变化的，电压不是一层不变的，两端的电压差是会很大的，如果一样的话，就无法正常使用，可能会发生故障，因此，两端电压是不一样的。
5、UC2844B，7脚电压高于36V，芯片报废。6脚5V，MOS管开始工作了，但管子发热。8脚和4脚产生震荡源，3脚反馈调整参与运算并改变激励波形占空比，从而实现稳压。
6、①、向这故障首先测量一下整流滤波后的300Ⅴ电压是否正常稳定。②、若以上都正常，那就在测量一下这VIPER22A芯片各引脚对地电压是否正常，如有异常，检查芯片异常脚周围元件，比如：限流电阻、小开关变压器等等。
1、逆变器工作原理逆变器是一种DC to AC的变压器，它其实与转化器是一种电压逆变的过程。
2、何为逆变器逆变器（inverter，又称变流器、反流器，或称反用换流器、电压转换器）是一个利用高频电桥电路将直流电变换成交流电的电子器件，其目的与整流器相反。
3、MOS管在电源控制IC的控制下轮流导通与截止，这样就有持续的电流供给CPU工作了，多相供电原理也是差不多的，只是相数多了几组，可以提供更大的工作电流。
4、N型MOS管四端器件 当栅源电压差小于阈值电压时（工作在亚阈值区），漏源之间有很小的电流，和栅源电压成指数关系。当栅源电压大于阈值电压时，并且漏源电压较大时，漏源之间有较大电流，其与栅源电压成平方关系。
5、直流变换：由MOS开关管和储能电感组成电压变换电路，输入的脉冲经过推挽放大器放大后驱动MOS管做开关动作，使得直流电压对电感进行充放电，这样电感的另一端就能得到交流电压。
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