mos管门极（mos管门极电容）

发布时间：2023-07-04

阅读量：50

本文目录一览：

1、据我了解，门极是针对于电流驱动型器件来说的，它指的是电流驱动型器件的控制端。栅极是针对于电压驱动型器件来说的，至少是针对于具有MOS（金属+氧化物+半导体）结构的器件来说的，它指的是电压驱动型器件的控制端。

2、G：gate 栅极；S：source 源极；D：drain 漏极。N沟道的电源一般接在D，输出S，P沟道的电源一般接在S，输出D。增强耗尽接法基本一样。晶体管有N型channel所有它称为N-channel MOS管，或NMOS。

3、MOS管三个极，分别是栅极（G）源极（S）和漏极（D）。MOS器件是电压控制型器件，用栅极电压来控制源漏的导通情况。MOS管和三极管截止区：NMOS管的如果栅压小于阈值电压，MOS管相当于两个背靠背的二极管，不导通。

当DO-carera 为0V时候，Q92不导通。Dout92为高电平，近11V。Q94接通。当DO-carera 为3V时候，Q92导通，Dout92为低电平。Q94截止。

你图上是双极性晶体管，按你说条件算它MOS型晶体管。

Q94MOS的开通电压是12V，当Q92管子导通时，Q94是截止的，当Q92截止时，加在Q94的G的电压就是R097和R098的分压，割切R097的电阻很小，可以忽略，所以MOS的门极电压是大约12V。

有个笔误，Q3门极电压012--Q3门极电压12V。这里黙认场效应管的门极开启电压（绝对值）是大于1V且小于11V，即门极在电源电压的高、低电平范围内能使沟道导通或截止、实现逻辑动作，比如是2V。

Gate threshold voltage：门极驱动电压 min：1 最小值，2，1V typ：3 典型值，3V max：3，9V 最大值，9V 也就是说，1~9V都可以驱动门极。 3V是典型值，也就是推荐值。

这是大部分电路的理想要求哦至于肖特基二极管，应该是用来钳位的吧，保证输出不会高于某个电压值。比如钳位电压是5V，那么选中左边的时候，输出是5V而不是3V 。。

MOS是“金属-氧化物-半导体”的缩写，MOS电路由MOSFET（场效应管）构成，MOSFET的栅极与衬底及其他部分有绝缘层隔离，因此栅-衬间的电阻极大，而MOS电路的输入内部就是与栅极相接，所以输入阻抗高。

MOS管本身的输入电阻很高，而栅源极间电容又非常小，所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电，而少量电荷就可在极间电容上形成相当高的电压(U=Q/C)，将管子损坏。

阻抗高是因为mos的结构特点。栅极是氧化物绝缘层，电阻＞10兆欧姆。NPN就不行了，阻抗很低。驱动任意同类门是胡说八道。

你看一下MOS工作的时候有没有输入电流，如果有，说明MOS管没有坏；如果没有电流，直接换管子。

mos场效应管在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层，因此具有极高的输入电阻。结型场效应管在栅极与沟道之间是反偏的pn结形成的门极电压控制。所以输入电阻不及mos场效应管。

mos管门极（mos管门极电容）