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在MOS管的工作过程中,如果栅极电流过大,会导致栅极和栅极氧化膜受到损坏,从而影响MOS管的性能和寿命。
栅极控制源极和漏极间的电流,MOS导通后源和漏之间形成沟道,电流可以在沟道中流动,n管是漏流向源,p管相反。而MOS栅极一端是多晶硅,绝缘的,没电流,只是控制沟道电流的大小,就像水龙头一样。
MOS管是电压控制型器件,只需在栅源极之间施加合适电压,沟道即可开启。在沟道开启时,需要一个瞬时大电流将给栅极电容充电,让沟道尽快开通,这个电流往往是A级的。
因为 Bipolar三极管的集电极电流是基极电流的β倍,其值通常为 100-800。而MOS 管的栅极电流非常小,趋于零(对于 2N7002,直流情况下,栅极漏电流在 10nA级),这样一来,在通常的集电极MOS 管的电流增益远远大于 Bipolar。
确定MOS管的额定电流。该额定电流应是负载在所有情况下能够承受的最大电流。与电压的情况相似,确保所选的MOS管能承受这个额定电流,即使在系统产生 尖峰电流时。mos管,即在集成电路中绝缘性场效应管。
确定MOS管的额定电流。该额定电流应是负载在所有情况下能够承受的最大电流。与电压的情况相似,确保所选的MOS管能承受这个额定电流,即使在系统产生 尖峰电流时。两个考虑的电流情况是连续模式和脉冲尖峰。
MOS管的的最大允许电流是靠设计参数来确定的,使用电气参数测量方法无法确定,不过可以使用测量导通电阻方法估算,大约是V/导通电阻,V是参考压降,取值0.8-3,高压管取值大些,低压管取值小些。
参考器件手册,MOS管的使用,散热条件很重要!要大的散热器帮助散热!DS接一个大功率的负载电阻(有可调的),然后试着调整!但一般不这样做。
1、导通内阻用工具无法测量,但是可以根据以下公式判断:R=U/I。也即,导通时候电流I可以测量,MOS管压降U可以测量(供电电压减去负载电压)。
2、MOS管最大持续电流=MOS耐电压/MOS内阻值。该额定电流应为负载在所有条件下可承受的最大电流。 与电压情况类似,即使系统产生尖峰电流,也要确保所选的MOS晶体管能够承受此额定电流。
3、在低压侧开关中,应采用N沟道MOS管,这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。当MOS管连接到总线及负载接地时,就要用高压侧开 关。通常会在这个拓扑中采用P沟道MOS管,这也是出于对电压驱动的考虑。
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