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1、Ta为环境温度，Tc为外壳表面温度，Tj为结温。Θja：结温（Tj）与环境温度（Ta）之间的热阻。Θjc：结温（Tj）与外壳表面温度（Tc）之间的热阻。Θca：外壳表面温度（Tc）与环境温度（Ta）之间的热阻。
2、Ta：Temperature Ambient 环境温度；Tc ：Surface Temperature of body物体的表面温度。实指该器件的表面温度 。也就是在上述两种条件下的集电极耗散功率。
3、表示环境温度。公式中，Ta(Ambient temperature)表示环境温度。Tj(Junction temperature)表示晶体管的结温，也就是封装内部半导体裸片的温度。硅片的最高温度一般为150度。P表示功耗，即在此晶体管上消耗掉的功率。
4、Ta是指电源最佳工作温度极限值，Tc表标整个驱动温度最高的地方。比如标示Ta=50度，意思是工作在50度环境以内，寿命是最高的，每超过10度，寿命降低一倍。Tc点主要是测温度时，温度探头要贴在Tc点上。
1、之间的关系是icbo变大m倍，ie变大am倍。那么ic=amie+micbo。当icbo趋于无穷大时，ie一定会趋于无穷大（ie远大于icbo），而 ie增大，要满足amie趋于无穷大的am越小，在根据m的经验公式可以推出vcb时逐渐减小的。
2、放大器输入特性主要与晶体管输入特性即晶体管输入特性曲线的斜率有关。那么别说“输入特性曲线略向左移”，纵使明显移动，也不会影响斜率呀。所以说Vcb对放大器输入特性，包括共基放大器输入特性没有什么影响。
3、无论是加在基极还是加在发射极，都会引起Ube的改变。当然这个改变是很小的，甚至测不出来，但会引起基极电流Ib的相应变化。你说的情况是因为当发射极加电压时，Ube发生了改变，Ib自然就变了，Ib变引起了Ie变。
三极管分为NPN和PNP两种类型，都有三个电极，C、B、E。NPN管的导通条件为，C电位B电位E电位。PNP管的到同条件为，E电位B电位C电位。总结到一点就是：集电结正向偏置、发射结反向偏置。
三极管的导通条件是发射结加正向电压，集电结加反向电压。发射结加正向电压，就是基极和发射极之间所加电压Ube，是按箭头的指向加PN结的电压，即硅管加0.7V。锗管加0.2V。
PNP管的导通条件是，UeUb，UcUb时可以可以导通三极管导通满足两个条件：（1）发射结正向偏置；（2）集电结反向偏置。同时满足才能导通。如果PNP管的E接+5V，只要B小于3V，C点电压为负且远远小于B点电压即可。
1、很多书店都把元增民《模拟电子技术》与铃木雅臣《晶体管电路设计》列为最佳搭档。说句心里话，读了元增民《模拟电子技术》，其他类似书一般不必再读。再读类似书，你绝对感觉没味。
2、这个是最基础的时机电路，很多电子类的书籍都有介绍的啦 如果要推荐的话可看看《555时基电路》是电子工业出版社出版的图书，作者是陈有卿。
3、给你电路图都无济于事，尤其是高频电路。高性能的开关电源也类似。这个领域太“妖魔”化了，所以被称为“魔电”、“魔鬼电路”，只要是本科生弄不明白，去到了博士后也白搭。
1、规格书中有很多参数，常用的参数是40V，3A的PNP型三极管，管脚顺序是e，c，b，全型号是KSB772。
2、B772三极管的完整型号是2SB772，类型是PNP三极管它的主要参数是：耐压Vcb0=60V，电流Icm=6A，耗散功率Pcm=15W。主要用途是音频功率放大。这两只三极管一般在功放电路中，做推动大功放管用。
3、三极管标注为Y2，实际型号是PNP型的SS8550，它的主要参数是：Vcbo=40V ，Icm=5A，Pcm=1W 。而B772完整型号是PNP型2SB772，它的主要参数是：Vcbo=40V ，Icm=3A，Pcm=10W 。
4、B772通常都是用在DPM控制电路的，控制12V或3V电压的。如2SB1182SB834 替换。三极管： 半导体三极管也称为晶体三极管，可以说它是电子电路中最重要的器件。它最主要的功能是电流放大和开关作用。
5、B772是PNP，管脚排列E，C，B， 数字表二极管档，黑表笔接B，红表笔接C，E，都是500-700，反之无穷大，收到三极管外围电路影响，大于1K就可认为管子没坏。
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