功率器件开关速度（功率开关部分的主要作用）

发布时间：2023-05-16

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本文目录一览：

1、有MOS管的开关速度可以大于10M么？求推荐！！！
2、IGBT，GTR，VMOSFET，SCR，GTO的开关速度比较？答案
3、IGBT与MOSFET的开关速度比较？

有MOS管的开关速度可以大于10M么？求推荐！！！

帮你查了一下，晶体管中能达到10M的大功率器件只有SIT，也就是静态感应晶体管，一般的功率MOSFET管达不到行判，最高也就3MHz的样子。你这种速度的开关肢困，还不如用高速光电耦合器，比如6N137这种（作开关历带念用）。

IGBT，GTR，VMOSFET，SCR，GTO的开关速度比较？答案

GTO一般最高只能做到亏世几百Hz,但功率较大，已达到3000A、4500V的容量。

SCR

的频率一般不超过10KHz,电流可以到几千A，电压6000V以上。

GTR目前其额定值已达1800V/800A/信消2kHz、1400v/600A/5kHz、600V/3A/100kHz。

IGBT的频率一般不会超过100KHz,但高频性能比GTR好。

MOSFET

的频率理论上可以做到1MHz（1000KHz）,应用范围比较多的频率段应该为几百KHz左右。

所以排序大概为：GTOSCRGTRIGBTMOSFET

另外，销坦肢设计电路中选择功率器件不能只考虑频率，还有如开关损耗、驱动电路的设计、电流电压等级，所以说这是个折衷考虑的结果。

功率器件开关速度（功率开关部分的主要作用）

IGBT与MOSFET的开关速度比较？

因功率MOSFET具有开关速度快，峰值电流大，容易驱动，安全工作区宽，dV/dt耐量高等优点，在小功率电子设备中得到了广泛应用。但是由于导通特性受和额定电压的影响很大，而且工作电压较高时，MOSFET固有的反向二极管导致通态电阻增加，因此在大散拆卖功率电子设备中的应用受至限制。

IGBT是少子器件，它不但具有非常好的导通特性，而且也具有功率MOSFET的许多特性，如容易驱动，安全工作区宽，峰值电流大，坚固冲逗耐用等，一般来讲，IGBT的开关速度低于功率MOSET，但是IR公司新系列IGBT的开关特性非常接近功率MOSFET，而且导通特性也不受工作电御裂压的影响。由于IGBT内部不存在反向二极管，用户可以灵活选用外接恢复二极管，这个特性是优点还是缺点，应根据工作频率，二极管的价格和电流容量等参数来衡量。

IGBT的内部结构，电路符号及等效电路如图1所示。可以看出，除了P衬底外，IGBT的剖面与功率MOSFET相同。尽管IGBT与功率MOSFET的结构有许多相同之处，但是IGBT的工作过程非常接近极型晶体管。这是由于衬底P注入的少子使N区载流子浓度得到显著提高，产生电导通调制效应，从而降低了N区的导通压降。而功率MOSFET的结构不利于电导调制，因此，在N区中产生很大在导通压降，对500V的MOSFET来说，该导通压降大约为70%。如等效电路所示，IGBT可等效为N沟道MOSFET驱动PNP管的达顿结构。结型场效应管JFET承受大部分电压，并且让MOSFET承受较低的电压，因此，IGBT具有较低的导通电阻RDS(ON).

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