mos管镜像电流源（镜像电流源的优缺点）

发布时间：2023-07-05

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1、镜像源采用对称结构，ic≈Vcc/R，与β值几乎无关，而R值控制（相比β值）要准确得多且受温度影响较弱。电流源精度和稳定性都很好。镜像源还能一个基准控制多个电流源（即一带多）。

2、发射结正向偏置，集电结反向偏置。在共射电路中，UbeUon，Uce=Ube。所以基极和集电极电位相等是可以的。既然可以工作在放大区，那么基级电流和集电极电流就满足Ic=β*Ib，即集电极电流是基级电流的β倍。

3、后两者都是建立在前者基础上的。那么镜像电流源是怎么消除外外界影响来稳定三极管的呢？电源 Vcc通过电阻R和VT1产生一个基准电流然后通过镜像电流源在VT2的集电极得到相应的Ic2，作为提供给某个放大器的偏置电流。

4、镜像电流源电路中的电流通常是原始电流源电路中的电流值的一半，因为在这个电路中，使用了镜像电路来复制原始电路中的电流。镜像电路中的电流可以通过电路参数和组成电路的器件阻值计算得出。

5、因为相同基底上的相同的三极管，温度系数相同，相互抵消，有温度补偿作用。

6、ib是流进基极的电流，Ie是从发射极流出的电流，等于Ic与ib之和；IC是ib的β倍，的数值在数十到数百。所以“ib约等于Is*exp（Ube/Ut）”不成立。

1、判断mos工作在放大区，饱和区，截止区，击穿区。

2、下图表示CMOS反相器电路，由两只增强型MOSFET组成，其中一个为N沟道结构，另一个为P沟道结构。为了电路能正常工作，要求电源电压VDD大于两个管子的开启电压的绝对值之和，即VDD(VTN+|VTP|) 。

3、你所说的传输门它的输出可以是一个电压范围（比如输入1V输出就是1V），有些芯片用正负电源供电，还能传输可正可负的电压信号（输入-1V输出-1V）。

mos管镜像电流源（镜像电流源的优缺点）

1、镜像电流源，在集成电路中，为了向各个放大级提供合适的偏置电流，确定各级静态工作点，常常用到偏置电路。常见的偏置电路有镜像电流源，比例电流源和微电流源。后两者都是建立在前者基础上的。电源支路的电流就叫做镜像电流。

2、ib是流进基极的电流，Ie是从发射极流出的电流，等于Ic与ib之和；IC是ib的β倍，的数值在数十到数百。所以“ib约等于Is*exp（Ube/Ut）”不成立。

3、基本镜像电流源电路 T1与T2性能匹配，VCC、R和T1构成参考支路，提供参考电流IR，T2与放大级相连接，输出受IR控制的电流源电流Io。

4、镜像源采用对称结构，ic≈Vcc/R，与β值几乎无关，而R值控制（相比β值）要准确得多且受温度影响较弱。电流源精度和稳定性都很好。镜像源还能一个基准控制多个电流源（即一带多）。

1、电源 Vcc通过电阻R和VT1产生一个基准电流 I ref（如图所示）然后通过镜像电流源在VT2的集电极得到相应的Ic2，作为提供给某个放大器的偏置电流。

2、二端口网络输出电阻的简单计算方法是：设输入电流与输入电压均为0，输出电压为u时，计算输出电流i，输入电阻Ro=u/i；也可令输出电流为i，计算输出电压，结果不变。

3、输出电阻为：Ro=U/I=15/8=875（Ω）。

4、图a中，从输入电阻端看过去，实际为R1\R2\电流源三者的并联，电流源内阻为无穷大，因此，等效电阻Ri=R1*R2/(R1+R2)；图b中，R2与等效电阻计算无关，因为对于Ri而言，R2和电压u1是外电路。

5、Ie是从发射极流出的电流，等于Ic与ib之和；IC是ib的β倍，的数值在数十到数百。所以“ib约等于Is*exp（Ube/Ut）”不成立。在不需要精确计算的情况下，Ib与Ic相差数十到数百倍，当然可以忽略。

6、信号源除源后，输出端看进去的电阻为输出电阻。本题信号源除源后，ib=0，因此受控电流源输出也为0，相当于开路，因此输出端看进去的电阻只有Rc，Ro=Rc。