mos管输出特性曲线（mos管输出特性曲线上翘）

发布时间：2023-07-05

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1、做如下一个电路，用DC扫描分析，（simulate | analysis | DC sweep）描V3，输出V1电流，适当设置开始电压、终止电压和步长。

2、选择.ac分析，输出添加一个表达式，表达式为输出变量除输入变量。适当修改纵轴和横轴格式。分析就可以弹出曲线窗口了。放大倍数为2的最大输出为±6V的放大电zhi路。Vo=2Vi（Vo≤6v）一个电压比较（鉴定）电路。

3、MULTISIM中三极管输出特性曲线是仿真出来的，具体方法如下：⒈放置三极管符号2N3904。⒉放置IV特性分析仪表图标。⒊双击IV特性分析仪表图标，打开其显示面板。⒋在显示面板右上角的选项框三角符号，在下拉列表中选择BJT NPN。

4、双击BJT图标出现对话框。点击Editmodel，出现含有β参数显示BF的对话框。修改β参数。再次点击已修改参数之前或之后的部分，使整行呈深颜色显示，同时对话框下边的changepartmodel由灰暗变为清晰有效。

1、导致了场效应管特性曲线不同的原因是，场效应管工作时栅极一般只需要一个电压就可以，电流很小或者为零，所以，要实现这点，结型场效应管和MOS型采用不同的办法实现了这个效果。

2、场效应管分为N沟道和P沟道，主要以N沟道增强型为主，也比较容易辨别N沟道和P沟道，各个品牌的命名方式就可以看出，比方的：FQPF5N60，N就代表N沟道，FQP27P06，P就代表P沟道。

3、一是输出特性曲线（ID=f（VDS）| VGS=常量），二是转移特性曲线（ID=f（VGS）|VDS =常量）。绝缘栅场效应三极管分为：耗尽型→N沟道、P沟道增强型→N沟道、P沟道。

mos管输出特性曲线（mos管输出特性曲线上翘）

1、目前半导体元件包括：二极管、三极管、场效应管、晶闸管、达林顿管、LED以及含有半导体管的集成块、芯片等。

2、光电二级管，光敏电阻，光敏二级管，发光二级管等。符号为：若是感光元件，则在原器件中上部打两个向内的箭头，表示吸光的意思。若是发光元件，则在原器件中上部打两个向外的箭头，表示发光的意思。

3、半导体光电器件如光导管、光电池、光电二极管、光电晶体管等；半导体热电器件如热敏电阻、温差发电器和温差电致冷器等。

4、③ 太阳电池。将光辐射能转换成电能的器件。1954年应用硅PN结首先研制成太阳电池。它能把阳光以高效率直接转换成电能，以低运行成本提供永久性的电力，并且没有污染，为最清洁的能源。根据其结构不同，其效率可达5%～20%。

5、基本的半导体器件主要有以下几种：pn结二极管，金属氧化物场效应晶体管（MOS），双极晶体管（BJT），结型场效应晶体管。pn结二极管结构：其中pn结二极管由n型半导体和p型半导体接触产生。