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1、光耦可控硅是光电耦合器和可控硅组成的电路,作用类似于继电器。光电耦合器,简称光耦,是开关电源电路中常用的器件。光电耦合器分为两种:一种为非线性光耦,另一种为线性光耦。
2、晶闸管,又称可控硅(单向scr、双向bcr)是一种4层的(pnpn)三端器件。在电子技术和工业控制中,被派作整流和电子开关等用场。在这里,介绍它们的基本特性和几种典型应用电路。锁存器电路。
3、光耦双向可控硅工作原理光耦(Optocoupler)是一种光电器件,其主要功能是将电信号转换为光信号,再将光信号转换为电信号,从而隔离两个电路之间的电压和电流。它通常由一个发光二极管和一个检测器(例如,晶体管)组成。
4、由于光耦合器输入输出间互相隔离,电信号传输具有单向性等特点,因而具有良好的电绝缘能力和抗干扰能力。又由于光耦合器的输入端属于电流型工作的低阻元件。
5、耐压性不同。光电耦合器:俗称光耦,输入端是发光二级管发光,接收端为晶体管,耐压非常低,一般工作在DC24V以内。
6、MOC3041最大能承受1A的峰值输出电流,驱动BTA16是没有任何问题的,为了保证安全,建议给光耦的输出串联一个300欧姆左右的电阻到可控硅控制极。
1、IGT是2-15mA是触发电流范围,VGT是0.6-5V是触发电压范围,在这个范围内可控硅能够正常触发。单有触发电流或电压不能触发。
2、单向可控硅触发特性测试单向可控硅与二极管的相同之处在于都具有单向导电性,不同之处是可控硅的导通还要受控制极电压控制。
3、BT151 单向可控硅BT151-500R:断态重复峰值电压VDRM>550V,反向重复峰值电压VRRM>550V。平均通态电流IT(AV)=5A,通态电流有效值IT(RMS)=12A,通态不重复浪涌电流ITSM=120A。
接通电磁阀线圈(一般小于10W)可用BT136可控硅,光耦触发电阻选330欧姆,保护电阻100欧姆,保护电容选0.1u~0.022/1000v,CBB21,这种小负载也可不用保护电阻,电容。
可控硅触发需要的是触发脉冲,不是单一的电压;触发脉冲需要有一定的电压幅值和提供一定的电流,上升沿有一定陡度;触发脉冲需要与主回路同步,施加在控制极与公共端之间。
给你这个双向可控硅控制电路,按图安装即可。
虽然双向可控硅反向导通,但容易击穿,故必须使双向可控硅能承受这种反向电压。一般在双向可控硅两极间并联一个RC阻容吸收电路,实现双向可控硅过电压保护,图3 中的C2 、R8 为RC 阻容吸收电路。
在下献丑了,你这个电路是用左边+24V的直流电来控制光耦的通断,通过光耦的通断控制双向可控硅的触发极导通来实现对双向可控硅控制,从而进一步控制风机。R1,R2,R3都是限流电阻。
首先来说,220V交流电的负载是多大,是感性负载负载还是阻性负载,正常输出功率是多大等这些都要考虑进去。
bt131是双向可控硅参数是600V、1A,可以用mac97a08和MCR100-6代换 ,bt开头的一般都是双向可控硅,尾数一般是电压参数。双向可控硅在结构上相当于两个单向可控硅反向连接,这种可控硅具有双向导通功能。
它的符号没有统一的,有的用T、KS:有两个主端子(AA2),它两个可互换!还有一个公共门极(G)也叫控制极,门极电压几伏到几十伏不等。
BT1313及138参数一样:如图所示:600V反向重复峰值电压VRRM:600V通态平均电流IT:4A通态不重复浪涌电流ITSM:40A最高结温Tjm:110 ℃贮存温度。
在性能上,可控硅不仅具有单向导电性,而且还具有比硅整流元件更为可贵的可控性。它只有导通和关断两种状态。
1、可控硅导通条件:一是可控硅阳极与阴极间必须加正向电压,二是控制极也要加正向电压。以上两个条件必须同时具备,可控硅才会处于导通状态。另外,可控硅一旦导通后,即使降低控制极电压或去掉控制极电压,可控硅仍然导通。
2、当充电器开始充电时,电池组两端电压较低,不足以使晶体管VT导通。由RC组成的移相电路给可控硅提供触发电流。移相角度由RP2决定。负半周时可控硅截止。因此可控硅以可控半波整流方式经电池组充电。
3、充电器需要4伏~14伏电压能让bt151导通。bt151可控硅触发电压是4伏~14伏,BT151是一只单向可控硅,额定电流5A,耐压800V。
4、我没有看到雅迪充电器,别的充电器上的一个单向可控硅是防止电池极性搞反的,当电池极性正确时触`发可控硅向电池充电,因为在直流电路中可控硅导通后就不受控了,直至充电结束。
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