MOS管W值（mos管各参数详解）

发布时间：2023-07-05

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1、驱动芯片的最大电流来自于驱动功率MOS管的消耗，简单的计算公式为：I=cvf，考虑充电的电阻效益，实际I=2cvf，其中c为功率MOS管的cgs电容，v为功率管导通时的gate电压，所以为了降低芯片的功耗，必须想办法降低c、v和f。

2、首先，MOS管发热的原因是什么？MOS选型不合理，内阻较大，或者是封装导热性不好，导致温升较高。散热效果不好，MOS管是贴在PCB板上的还是拧在散热片上的。

3、在用示波器测试过程中，要特别注意这两个测试点的波形，在逐步升高输入电压的时候，如果发现峰值电压或者峰值电流超过设计范围，并注意MOS管发热情况，如果异常，应该立刻关闭电源，查找原因所在，防止MOS管损坏。

4、MOS管的功率，一般是指Maximum Power Dissipation--Pd，最大的耗散功率，具体是指MOS元件的容许损失，可从产品的热阻上求得。

5、选择好MOS管器件的第一步是决定采用N沟道还是P沟道MOS管。在典型的功率应用中，当一个MOS管接地，而负载连接到干线电压上时，该MOS管就构成了低压侧开关。

6、电流太高，没有做好足够的散热设计，MOS管标称的电流值，一般需要较良好的散热才能达到。所以ID小于最大电流，也可能发热严重，需要足够的辅助散热片。

MOS管W值（mos管各参数详解）

充满后MOS管就关闭，电容放电，就是这样的一个过程，简单来说就是开关电源，详细的自己可以去看更多的资料学习。

当然是短路啊，把电容2个引脚都对地，相当于将电容2个引脚接在一起短路。如果这是一个1uF以下的电容，电压12V以下，这样短路是不会有什么危险的。

只是电容的作用)，所以FET的栅极电流很小(电容的电流损耗)。最常见的FET在栅电极下使用一薄层二氧化硅作为绝缘体。这种晶体管被称为金属氧化物半导体(MOS)晶体管，或金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。

1、由于在栅极与芯片之间有二氧化硅绝缘层，因此它仍属于绝缘栅型MOS场效应管。国内生产VMOS场效应管的主要厂家有877厂、天津半导体器件四厂、杭州电子管厂等，典型产品有VN40VN67VMPT2等。表1列出六种VMOS管的主要参数。

2、类型：绝缘栅型场效应管/MOS场效应管，沟道类型：N型沟道，导电方式：增强型，适合频率：中频。ID中并不包含开关损耗，并且实际使用时保持管表面温度在25℃（Tcase）也很难。

3、三极管的导通条件是：发射结加正向电压，集电结加反向电压。发射结加正向电压，就是基极和发射极之间所加电压Ube，是按箭头的指向加PN结的电压，即硅管加0.7V；锗管加0.2V。