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听朋友说,在更换MOS管的时候,不同的主板,如果都是775的CPU,那么MOS管是可以互换的,上管之间也可以混用,下管之间也可以混用,以这样的原则来代换MOS管应该没问题吧。
有分上管和下管,用万用表就测出来。测其中上管的S极和另一个下管的D极是相通的就好了。要代换管的话,测阻值一样就可代换。
很简单的一般MOS管的特性一样N沟道的换N沟道的。
MOS管的衬底B与源极如果不连在一起,则D、S极可以互换,但有的MOS管由于结构上的原因(即衬底B与源极S连在一起),其D、S极不能互换。作开关管用的场效应管,一般都是功率型NMOS管,就属于这种特例。
1、是的,全桥电路mos耐压是电源的二倍左右,通常MOS管的导通电阻随耐压的4~6次方增加。
2、选用25V及以上的MOS主要是由你的应用电压决定,并根据经验留出足够的电压余量。理论上,电压越高,MOS越安全,可靠性也越高。但是,同等内阻下,电压越高,成本越高,栅极电容越大,速度也越慢。
3、MOS的阈值电压是一个范围值的。一般情况下与耐压有关,例如几十V的耐压一般为1-2V,200v以内的一般为2-4V,200V以上的一般为3-5V。
4、理论上是可以的,但玩具航模很少使用24V电压,通常都是三个锂电池串联11V多。当然假如需要,只要把产品电调的功率管更好耐压高一些就行了。V左右。
1、Vds一般选用600V或者800V,Rds尽量小点的话效率会高点,还有就是承受电流的能力。别人10n60就是10A/600V的mos管。还有就是厂家,比如FairChild、SHIP等啊,差别蛮大的。
2、这个主要是看你用在什么上面,然后根据你的应用选择参数。一般来说,考虑的参数是Vds,Ids以及Rds这三个,还有有的会考虑Ciss这个参数的,希望能帮到你。
3、,根据输出功率以及输入最小电压可以求出Ipft,一般mos的导通压降不大于最小Vdc的2%,所以可以推出其Rds。又由于Rds和温度有关,依据Rds选择是注意其余温度的关系。2,还有一种方法就是给定一个温差,然推出Rds。
4、我们一般使用的都是增强型MOS。选择MOS管,首先要考虑VGS,VDS电压。漏源级电流ID。这些是根据你MOS的使用场合和功率大小来决定的。
5、选用合适的输入电压规格;选择合适的功率。为了使电源的寿命增长,建议选用多30%输出功率额定的机种。例如若系统需要一个100W的电源,则建议挑选大于130W输出功率额定的机种,以此类推可有效提升电源的寿命。
那我们外部还是通过控制的MOS管的栅级电压来实现开关功能。跟三极管一样,打开管子的条件其实很简单,外部给对应的电压即可实现。但是需要注意的是N型管和P型管的导通情况不一样,两者的外部电路也不同。
带软开启功能的MOS管电源开关电路 这是很通用和成熟的电路,原理讲解参考自《带软开启功能的MOS管电源开关电路》。
是电机驱动,用的就是MOS的开关特性。另外,数字电路中所用到的三极管和MOS就是一个开关,因为数字电路只有0和1。图中的PWM是单片机IO端口直接过来的,0V和5V可变。后面一个推挽电路,然后给MOS。
1、集成电路ICIC,即集成电路是采用半导体制作工艺,在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件,并按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路。
2、Microelectronics--汤姆森微电子。汤姆逊是法国最大的国家企业集团,位居全球第四大的消费类电子生产商。 汤姆逊为全球四大消费电子类生产商之一。
3、PHILIPS皇家飞利浦电子公司是欧洲最大、全球名列前茅的电子公司之一。
1、配置问题:请检查电路中的配置参数是否正确,如开关频率、输入电压等。如果仍然无法找到问题,请请教专业人员帮助解决。
2、对于高频磁性材料引起的损耗,要尽量避免趋肤效应,对于趋肤效应造成的影响,可采用多股细漆包线并绕的办法来解决。
3、如果希望工作在开关状态。MOS管的驱动方式不正确。由于MOS栅极有很大的电容(几百上千Pf )因此开关开通与关断过程很长,会造成很大的损耗。所以会发烫。MOS管用于开关运行时需要良好的驱动电路。
4、根据描述,你的MOS管应该一直处于大电流工作状态,而没有起到PWM调节作用。你先不要接MOS,接VCC,测下7脚是否为VCC,8脚是否为5V,再测下其它脚看看。如果都正常再测下R4是否正常,再检查下R7与R8之间的电压。
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