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光耦816c用pc817替代。根据查询相关公开信息显示：光耦是电路设计中经常用到的隔离型器件，经常用在输入和输出间实现隔离。
这是不可以替代的，因为他们二者之间没有着太大的区别，那么后者是有极强的优化。
EL357N，EL3H7N等等都可以替换，功能是一样的。光耦合器（opticalcoupler，英文缩写为OC）亦称光电隔离器或光电耦合器，简称光耦。
N35可以替代光耦PC81光耦是开关电源电路中的常用器件，光电耦合器分为两种：一种为线性光耦，另一种为非线性光耦。
好像据我了解，没有光耦的隔离电压在5000V以上，你要求稳定，可以采用PC817A的，有可能你说不稳定，可能是用PC817D的，因为PC817的CTR（电流传输比）有A、B、C、D四档，PC817也有替换型号：如EL817或TLP781。
只有耦合系数不同 光耦817B档与C档只有耦合系数不同，其他方面是没有区别的，817C同B一般电路，可以直接换，看不出差异，如果有影响，调整一下光耦的供电电阻，改变增益，即可满足要求。
光耦817B和光耦817c的主要区别表现在CTR值上。CTR是发光管的电流和光敏三极管的电流比的最小值。
档位不同 PC817B系列产品是近段时间浮出水面的引起业内人士广泛关注的一种新的光电耦合器。基于自身体积小、寿命长、无触点、可靠性高、抗干扰能力强等优点。
CTR不同，及电流转换比，B档130-260% C档200~400 D档300-400%。C档的电流传输比要比B档更高些。C档的电流传输比是200~400%，B档是130~260%。
这个区别就是最后的字母是不一样的。有可能只是这个设备的位号不一样，所以其实本身还是相同的设置。
1、一般光耦正面右上角都有一个圆点凹槽，此标示第一脚。按逆时针方向，四个引脚一次为4。则4脚对应与输出端。4脚位三极管集电极，3脚位发射极。
2、根据知乎资料显示，这款光耦参数如下：高VCEO（集电极-发射极电压）：80V MAX。输入二极管正向电压：25V。最大集电极电流：50 mA。集电极和发射极的最大电压比：80V。4引脚DIP封装和SMT封装。
3、PC817用5mA驱动，在电源到光耦1脚串入470~1K的电阻都可以。34脚这边，最大驱动能力50mA.如果够得话，直接集电极接5V，发射极接输出。用在单片机等可以。如果要带比较重的负载。
4、光耦就是一个发光二极管和光敏三极管的组合，可以把它看成输入输出隔离的三极管，它的CTR（电流传输比）类似于三极管的电流放大倍数，所以你可以像三极管电平转换电路一样来计算所需值。
1、常用电源管理芯片有HIP630IS653RT923ADP316KA7500、TL494等。
2、PCF8563有三种芯片：PCF8563P、PCF8563T和PCF8563TS。PCF8563有两种封装形式，其中带后缀T的为SOIC-8封装，带后缀P的为DIP-8封装。它的引脚功能如下。
3、概述PCF8563 是低功耗的 CMOS 实时时钟/日历芯片，它提供一个可编程时钟输出，一个中断输出和掉电检测器，所有的地址和数据通过 I2C 总线接口串行传递。
4、带可编程接口的芯片：（开始复杂了）比如带诸如I2C、SPI等接口的芯片，像EEPROM存储芯片AT24C1FLASH存储芯片NAND25时钟芯片PCF856AD转换芯片0809 等。
参数几乎一模一样，光耦816反向耐压Vceo=70V，光耦817反向耐压Vceo=35V略低，频率同80KHz。光耦合器（opticalcoupler，英文缩写为OC）亦称光电隔离器或光电耦合器，简称光耦。
第一：816小于817即816＜817；第二：816是偶数，817是奇数；第三：光耦816和817的差别，输出部分的耐压不一样：PC817输出部分的耐压Vce0为35V，PC816输出部分的耐压Vce0为70V。第四：816和817之间的相差数最小整数是1。
这是不可以替代的，因为他们二者之间没有着太大的区别，那么后者是有极强的优化。
峰值正向电流不同 光耦PC817：光耦PC817的峰值正向电流（ICE max）为1A。光耦PC817B：光耦PC817B的峰值正向电流（ICE max）为5A。
光耦pc817坏了是可以替换jc817的，这两种光耦参数及引脚都一样，只是不同的厂家型号前缀不同。
PC817C光电耦合器已经被广泛应用于电压自动增益回路和稳压电路，以及光电测试电路和光控制电路中。 作用原理不同 PC817B是常用的线性光耦，在各种要求比较精密的功能电路中常常被当作耦合器件，具有上下级电路完全隔离的作用，相互不产生影响。
关键词：ical 光耦 816光耦 816c光耦 6光耦 线性光耦 PC81光耦 和光耦 电阻 光敏三极管 非线性光耦 c光耦
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