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mos管选型手册（mos管选型参数）

发布时间：2023-07-05
阅读量：39

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丝印A57h1的mos管是什么型号?

MOSFET开关的总功率可用如下方程表达：Psw=（Eon+Eoff）×开关频率。而栅极电荷（Qgd）对开关性能的影响最大。

另外，不同厂家的丝印字体有特色，像英飞凌和ST的就完全不同。另外，看封装也是一种办法，以600V MOS管为例，25A以下，一般是TO-220；25A以上，基本是TO-247封装或更大。如果标称几十A，而封装很小，就值得怀疑了。

mos管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。

这个是台湾大中集成电路出的MOS管。公司商标：sinopower。你这个件是N沟道增强型MOS场效应管。型号全称是SM4337NSKP。DFN5X6A-8_EP封装。丝印第二行为单号。30V/55A。

MOS管有N沟道和P沟道两类，每一类又分为增强型和耗尽型两种。即：N沟道增强型管、N沟道耗尽型管、P沟道增强型管、P沟道耗尽型管。具体到型号，你可以在网上搜一下，有MOS管型号对照表。

要做一个30V,80A的恒流电子负载,怎么选择mos管呢?是不是功率越大越好...

选择好MOS管器件的第一步是决定采用N沟道还是P沟道MOS管。在典型的功率应用中，当一个MOS管接地，而负载连接到干线电压上时，该MOS管就构 成了低压侧开关。

，根据输出功率以及输入最小电压可以求出Ipft，一般mos的导通压降不大于最小Vdc的2%，所以可以推出其Rds。又由于Rds和温度有关，依据Rds选择是注意其余温度的关系。2，还有一种方法就是给定一个温差，然推出Rds。

MOS导通后就是一个阻值很小的电阻，这个电阻叫Rds_on，即D、S间的电阻；流过MOS管D、S极的电流就会发热，P=i*i*Rds_on Rds_on与导通电压Vgs有关，Vgs越小（大于导通阈值电压5~6V），Rds_on越大。

一般电子负载可以选择恒压模式、恒流模式及恒阻值模式。而开关电源多为恒压输出，电子负载多选择恒流模式，即通过调节电子负载的电流值来改变负载的功率。

一般情况下都可以，要注意其耐压，只能高不能低，但某些地方需要注意其频率，导通电压等。

d=80a、p tot=107w（25°c）我发现n03前面的数字越小，这种管子的功率越高，不知道是不是这样。

三极管和MOS管在做开关电源电路设计中如何区别及选用

1、三极管BJT与场效应管FET的区别很多，简单列出几条：三极管用电流控制，MOS管属于电压控制，BJT放大电流，FET将栅极电压转换为漏极电流。

2、MOS管在使用时漏极D和源极S之间也存在最大电压，MOS管在工作时DS两端的电压不能超过规定值。一般而言MOS管的耐压值比三极管的耐压值高很多。从工作稳定性考虑，一般要留有30%-50%，甚至更多的余量。

3、如果是低频开关电路，可以选三极管，高频的要选MOS管。三极和一般工作在线性区，比如做一些线性电源。MOS管就要工作在完全开通状态。

4、三极管和mos管做开关用时可用以下两种方法来区别。工作性质：三极管用电流控制，mos管属于电压控制。成本问题：三极管便宜，mos管贵。功耗问题：三极管损耗大。

开关mos管选型需要注意哪些参数

1、选用合适的输入电压规格；选择合适的功率。为了使电源的寿命增长，建议选用多30%输出功率额定的机种。例如若系统需要一个100W的电源，则建议挑选大于130W输出功率额定的机种，以此类推可有效提升电源的寿命。

2、，根据输出功率以及输入最小电压可以求出Ipft，一般mos的导通压降不大于最小Vdc的2%，所以可以推出其Rds。又由于Rds和温度有关，依据Rds选择是注意其余温度的关系。2，还有一种方法就是给定一个温差，然推出Rds。

3、还有：F、开关频率 G、开通、关断时间 H、损耗（开通、关断能量）I、安装方式等。

4、法则之四：选择MOS管的最后一步是决定MOS管的开关性能 影响开关性能的参数有很多，但最重要的是栅极/漏极、栅极/源极及漏极/源极电容。这些电容会在器件中产生开关损耗，因为在每次开关时都要对它们充电。

5、Vds一般选用600V或者800V，Rds尽量小点的话效率会高点，还有就是承受电流的能力。别人10n60就是10A/600V的mos管。还有就是厂家，比如FairChild、SHIP等啊，差别蛮大的。

MOS管的功耗计算方法?Mos管发热严重解决方法?MOS管选型?

驱动芯片的最大电流来自于驱动功率MOS管的消耗，简单的计算公式为：I=cvf，考虑充电的电阻效益，实际I=2cvf，其中c为功率MOS管的cgs电容，v为功率管导通时的gate电压，所以为了降低芯片的功耗，必须想办法降低c、v和f。

首先，MOS管发热的原因是什么？MOS选型不合理，内阻较大，或者是封装导热性不好，导致温升较高。散热效果不好，MOS管是贴在PCB板上的还是拧在散热片上的。

在用示波器测试过程中，要特别注意这两个测试点的波形，在逐步升高输入电压的时候，如果发现峰值电压或者峰值电流超过设计范围，并注意MOS管发热情况，如果异常，应该立刻关闭电源，查找原因所在，防止MOS管损坏。

台达DOP-107BV

1、配置触摸屏：在台达DOP-107BV触摸屏中，打开触摸屏设置软件，并配置通讯参数。通常需要配置与PLC相同的通讯口（COM口）、波特率、数据位、校验位、停止位等参数，并设置与PLC相应的寄存器或数据区。

2、台达触摸屏dop107bv里面的sm是特殊辅助继电器，特殊辅助继电器sm用来表示PLC的某些状态。提供时钟脉冲和标志知进位，借位标志。设定PLC的运行方式。或者用于步进顺控。禁止中断。设定计数器是bnit数还是减计数等。

3、。台达触摸屏dop107bv用2软件版本，台达触摸屏又称为台达人机界面，是由中达电通股份有限公司研发、生产、销售的知名触摸屏品牌之一。

4、首先下载DOP软件，用数据线和屏链接之后，设置通讯参数，点击上传就可以啦，然后再把程序下载到另一台屏上即可。

5、台达dop107bv与变频器通讯读取错误是线路出现了问题。出现这样的情况需要去维修了都是需要换一个新的线路。

6、进入系统菜单，看你用那一款人机界面，如果有SYS键的话，进入系统菜单就可以更改。没有的话，你在人机软件里做一个系统时间日期键也是可以进行成年历修改的。

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