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光耦的选型（光耦的选型参数）

发布时间：2023-07-05
阅读量：44

本文目录一览：

电路设计时光耦选型需要考虑哪些参数

还要考虑的参数有隔离电压、上升时间和下降时间、击穿电压、驱动极性等等。

结合电路设计的实际要求，就要选择单芯片集成多路光耦的器件。(2)光耦合器的电流传输比(CTR)的允许范围是不小于500%。

光耦的技术参数主要包括LED正向压降VF、正向电流IF、电流传输比CTR、输入级与输出级之间的绝缘电阻、集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO、集电极-发射极饱和电压VCE(sat)。

看你的应用，光耦的种类有很多。晶体管输出光耦（输入电流，输出耐压，电流传输比）可控硅输出光耦（触发电流，输出耐压，过零还是不过零）IGBT驱动光耦（输出电流峰值）高速光耦（速度，开路集电极还是推挽输出）。。

线性光耦合器的选取原则。在设计光耦反馈式开关电源时必须正确选择线性光耦合器的型号及参数，选取原则如下：①光耦合器的电流传输比(CTR)的允许范围是50%～200%。

请问如何利用光耦将15VPWM(频率5K)波信号转换为5VTTL信号,应该选择什么...

用比较器，LM393或LM339，比较器输入V-固定一电压值如10V，输入信号0-15V加到V+，输出加一上拉电阻如1K，上拉电阻的一端接输出，另一端接5V，这样输出就是0-5V的TTL信号了。信号是数据的电磁编码或电子编码。

购买标准模块，一般的光栅尺厂家都会提供的。就是光栅尺后面跟着的一个小盒子。自制一个转换模块，你可以通过制作一块线路板进行信号提取、升压、隔离等手段转换后获取5V TTL信号供PLC的高速计数模块读取。

首先要根据要处理的信号的频率来选择合适的光耦。高频（20K~1MHz）可以用高速带放大整形的光藕，如6N137/TLP113/TLP2630/4N25等。如果是20KHz以下可用TLP521。然后搭建转换电路。如将3V信号转换为5V信号。

光耦隔离电路和加热电路

1、当PWM输入为低电平时，光耦导通，输出端三极管饱和，电压接近0V，此时NMOS管的UG小于开启电压，NMOS管没导通，RDS很大，所以加热片上的压降很小，相当于没加热。

2、简单的说，光耦隔离电路使被隔离的两部分电路之间没有电的直接连接，主要是防止因有电的连接而引起的干扰，特别是低压的控制电路与外部高压电路之间。

3、这就完成了电—光—电的转换，从而起到输入、输出、隔离的作用。在光耦电路设计中，有两个参数需要格外注意，一个是反向电压Vr，是指原边发光二极管所能承受的最大反向电压，超过此反向电压，可能会损坏LED。

4、光耦隔离就是采用光耦合器进行隔离，光耦合器的结构相当于把发光二极管和光敏(三极)管封装在一起。

5、光耦的作用主要是隔离。可以测量好坏，但是需要在知道型号及参数的前提下，搭建简单的电路来实现。里面的三极管可以测量，但是前提是，发光二极管可以正常工作。它的结构很简单，内部由一个发光二极管和一个光敏三极管构成。

光耦型号如何选择

在设计光耦反馈式开关电源时必须正确选择线性光耦合器的型号及参数，选取原则如下：①光耦合器的电流传输比(CTR)的允许范围是50%～200%。

选择光耦型号的时候我们先要确定整个光耦电路的前端输入和后端输出的参数，然后再说设计电路，这样我们就可以知道我们才可以设计出我们想要的光耦电路，参数小了，电路无法正常工作；反之，参数设计得大了，电路很容易就烧掉了。

光耦主要做电气隔离用，有两种类型，一种是开关型的(常用)，一种是线性的(少用)。

首先是延迟时间，这个参数影响传输度。其次是传输比，这个参数影响传递效率 再次就是输出阻抗，这个参数影响驱动能力 还要考虑的参数有隔离电压、上升时间和下降时间、击穿电压、驱动极性等等。

光耦的耐压在5V以上，用817也可以价格便宜，4毛钱左右。521-1一个5到2块钱。6N系列属于快速光耦一般用于高速数据传输上。

ICE/IF)。光电晶体管集电极电流与VCE有关，即集电极和发射极之间的电压。可控硅型光耦还有一种光耦是可控硅型光耦。

单片机与光耦之间限流电阻的选型问题?

1、光耦可以用两种电压，一边5V，一边12V是完全可以的。817光耦二次侧最大电流50mA，.R4阻值要选220欧多些，R4电阻选用300欧姆的。你的图是单片机驱动光耦，没直接驱动三极管。

2、由于IO口的初始状态为1，所以刚上电时，继电器处于吸合状态。需要在5V和光耦1脚之间串一个1K电阻，否则光耦易烧掉。

3、R3阻值怎么选择： 满足让三极管饱和的情况下尽量阻值大一点。

4、光耦和431限流电阻选择，选光耦。A极接地，k极的电压一般在5~10V左右，然后流过k极的电流一般在10mA。

5、假定输出电压Vout从电阻Rout与地之间取出，则：通过 Io=(Vcc-Vce)/Rout，取Rout=1k（也可取其他值），算出 Io（Io不能超过器件允许最大值）通过 Ii=Io*CTR ，算出Ii 通过 Ii=(Vin-Vb)/Ri，算出Ri。

6、如你是用的这上标的型号的光耦和那相同的工作电压那你就按它中的电阻阻值装就可。如它们（光耦）的工作电压换成3V后就要另算了。

关键词：可控硅 电阻的 光耦隔离 三极管饱和 绝缘电阻 驱动光耦 高速光耦 光耦 电阻 线性光耦 上拉电阻 拉电阻

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