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1、你好:——★MOS管属于电压控制器件,它的输入阻抗非常高,很容易感应静电而击穿。所以应该采取措施加以保护。——★请看附图。...图中100K电阻和9V稳压二极管作保护,可以把感应静电限制、消除。
2、mos管烧坏了保险管却是好的的原因:Mos的栅极和源级间,源级和漏级间,栅极和漏级间内部都有等效电容。
3、用示波器看看mos管几个管脚处的电流电压,一般是脉冲尖峰击穿mos管。如果是这样的话加个吸收电路即可。
4、开关损耗与功率管的cgd和cgs以及芯片的驱动能力和工作频率有关,所以要解决功率管的发热可以从以下几个方面解决:A、不能片面根据导通电阻大小来选择MOS功率管,因为内阻越小,cgs和cgd电容越大。
5、要看看是击穿还是过流烧焦,比较难确认,还有可能是触发电路误动作(我还试过是没有考虑单片机上电时输出状态不确定的误触发)。击穿马上发生过流。
6、这样要炸先炸TVS,你那个开关怎么平时还连在负极上啊,平时就是断开悬空的啊,点焊的时候才通过时间控制器连接正极啊,你平时不连负极,充电的时候怎么会烧mos,你这不相当于不使用的时候都给DS间加了个逆向电压吗。。
1、因为电流太大,MOS管和电感因为有很小的阻抗,也会发热,如果热量不能迅速的释放,那么很有可能会因热量堆积,温度上升,导致MOS管热击穿,最终损坏。
2、原因很多。比如说:你超频了,在超频过程中你增加了CPU电压。 还有,你电脑电源质量不合格,一级二级虑波被省略,当你家里的电不稳定就会出面这程情况 你主板做工也有关系,如果主板供电不稳定的话也会出面MOS管被击穿。
3、超频后输出电流变大,导致电源本身功耗变大,反应为电源温度升高,降低电源输出稳定性,导致超频失败,甚至损坏电源。四相电源采用多达8颗晶体管,以2颗一组为单位对供往CPU的电流进行分流,同时还降低了各晶体管控制电流的时间。
4、电源管理芯片的问题!以及受控的PWM 线路。
5、可以考虑是不是电源问题造成的,一种是电源质量问题,再是电源功率不够。换个额定功率够用的大品牌电源应该就可以了。
MOS的体积小,输入电阻大,噪声低,功耗低,易于集成。这些性能远比三极管要好,三极管的关键问题在于管子损耗太大,效率低。
从印刷电路板边缘的接插件直接联线到器件也能引起器件损伤,必须避免一般的塑料包装,印刷电路板接插件上的 CMOS 或 NMOS 集成电路的地址输入端或输出端应当串联一个电阻,由于这些串联电阻和输入电容的时间常数增加了延迟时间。
之所以产生衬偏,是由于衬底往往统一接最高或者最低电位而电路中MOS管的源和漏不一定接最高或者最低电位。为了抑制衬偏,一般都是把衬底和源端接在一起,这样衬偏电压VSB=0.当然衬偏并不是一个坏现象,有时甚至是好的。
一个困难是MOS器件很容易被静电击穿,有人形容说:“MOS、MOS,一摸就死”;另一个难点是MOS器件栅氧化层电荷不易控制,因而大大影响了MOS电路的可生产性与工作稳定性。所以,大家对MOS集成电路的发展前途仍有很多疑虑。
由于MOS集成电路所采用的电路设计是基于CMOS技术的,因此其集成度相当高,这使得其非常适合在微处理器和数字电子设备中使用。
MOS场效应管比较“娇气”。这是由于它的输入电阻很高,而栅-源极间电容又非常小,极易受外界电磁场或静电的感应而带电,而少量电荷就可在极间电容上形成相当高的电压(U=Q/C),将管子损坏。
MOS管损坏主要原因:过流:持续大电流或瞬间超大电流引起的结温过高而烧毁;过压:源漏过压击穿、源栅极过压击穿;静电:静电击穿,CMOS电路都怕静电。
第MOS管本身的输入电阻很高,而栅-源极间电容又非常小,所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电,而少量电荷就可在极间电容上形成相当高的电压(U=Q/C),将管子损坏。
MOS 损坏主要原因:过流 --- 持续大电流或瞬间超大电流引起的结温过高而烧毁;过压 --- 源漏过压击穿、源栅极过压击穿;静电 --- 静电击穿,CMOS 电路都怕静电;MOS 开关原理(简要)。
1、不一定会击穿,击穿期间流过的电流的功率适当,晶圆产生的温度没有超过它能承受的高温,就不会坏。电流和时间的乘积产生热量,MOS有个热阻。。
2、当然会击穿了,谁告诉你通常只考虑栅源电源了,漏源电压就不考虑?没有像你说的考虑栅漏电压的,厂家给出的都是漏源的耐压值,在实际电路中你要结合你的电路来选择场效应管的耐压,还有就是耐流。
3、N--D之间电压应符合耐压极限参数,超出太多当然容易击穿损坏的。具体可查你选用元件手册。
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