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mos管动画(mos管三个工作区)

发布时间:2023-05-16
阅读量:76

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三极管的含义

什么是三极管  (也称晶体管)在中文含义里面只是对三个引脚的放大器件的统称,我们常说的三极管,可能是 如图所示的几种器件。

可以看到,虽然都叫三极管雀弯,其实在英文里面的说法是千差万别的,三极管这个词汇其实也是中文特有的一个象形意义上的的词汇。

电子三极管 Triode 这个是英汉字典里面“三极管”这个词汇的唯一英文翻译,这是和电子三极管最早出现有关系的,所以先入为主,也是真正意义上的三极管这个词最初所指的物品。其余的那些被中文里叫做三极管的东西,实际翻译的时候是绝对不可以翻译成Triode的,派岁掘否则就麻烦大咯,严谨地说,在英文里面根本就没有三个脚的管子这样一个词汇!

电子三极管 Triode (俗称电子管的一种)

双极型晶体管 BJT (Bipolar Junction Transistor)

J型场效应管 Junction gate FET(Field Effect Transistor)

金属氧化物半导体场效应晶体管 MOS FET ( Metal Oxide Semi-Conductor Field Effect Transistor)英文全称

V型槽场效应管 VMOS (Vertical Metal Oxide Semiconductor )

注:这三者看上去都是场效应管,其实金属氧化物半导体场效应晶体管 、V型槽沟道场效应管 是 单极(Unipolar)结构的,是和 双极(Bipolar)是对应的,所以也可以统称为单极晶体管(Unipolar Junction Transistor)

其中J型场效应管是非绝缘型场尘核效应管,MOS FET 和VMOS都是绝缘型的场效应管

VMOS是在 MOS的基础上改进的一种大电流,高放大倍数(跨道)新型功率晶体管,区别就是使用了V型槽,使MOS管的放大系数和工作电流大幅提升,但是同时也大幅增加了MOS的输入电容,是MOS管的一种大功率改进型产品,但是结构上已经与传统的MOS发生了巨大的差异。VMOS只有增强型的而没有MOS所特有的耗尽型的MOS管

彩变动感灯箱是什么原理?

彩变动感灯箱是我公司代理的一项数码科技专利产品,在国内、外广告灯箱中处于领先地位。运用自主研发的专业软件进行图像处理,将多幅不同的画面压缩成一幅图像,利用图像压缩、透镜放大原理,将压缩图像放大还原,并根据事先设计的要求,呈现出多幅如梦幻的多彩图案,犹如动画电铅纳影循环播放的效果。

广告心理学经典的“7秒原则”:如果一个广告能成功吸引消费者的注意力7秒以上,那么至少有70%的人(即使对您的产品无此需求),也会对新的照片、图片表现方式产生浓厚的兴趣。怎样才能使您的产品在汪洋般的同类广告中成功突围,并能抓住顾客的“眼球”呢?彩变动感灯箱能够为您提供一条有效的途径。

彩变动感灯箱的面世,有效克服了传统灯箱存在信息传递单一、画面静止单调、广告资源利用率低、吸引消费者眼球的能力有限等缺陷,它与转向灯箱、三面翻灯箱不同,其外观和显示效果如同放大的等离子电视。它基于网格遮挡理论,运用机械、光学、电子、电脑、数码图形等先进的光学和机械原理,融合多幅图片于一体,在同一灯箱内动态地展示2—3幅乃至多幅画面,图片变换时间任意设定,自然流畅,效果神奇,纯做能在瞬间抓住人们的“眼球”,恰到好处地诠释了消费心理学中的“七秒原则”,达到广告宣传的目的。

产品特点

彩变动感灯箱,其外观和显示效果如同放大的等离子电视,融合多幅图片于一体,图片变换时间任意设定,自然流畅,效果神奇,能在瞬间抓住人们的"眼球",恰到好处地诠释了消费心理学中的"7秒原则"。

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变色灯箱是一种灯光广告装置,为克服色彩单一无变化之缺点,本实用新型采用旋转彩色套筒,呈圆筒状,由玻璃套筒壁贴上透明彩纸;或彩色透明塑料片卷制而成,其套筒上下两端口分别与顶盖和套筒底盘槐裤没相连接,其套筒顶盖的上部与低速电机旋转轴坚固为一体,装入灯箱壳体内。本实用新型采用光源透过旋转彩色套筒实现灯箱色彩变化为特色,其色彩效果为均匀、渐变而富于动感,引人注目,广告性强。

三极管和场效应管是什么控制器件

三极管和场效应管是在放大、开关电路中应用非常普遍的电子元件。

1、三极管

最初发明的是三极管,以其优异的性能迅速代替了电子管,但后来在应用中三极管暴露出一些先天不足--结构上问题所导致的缺陷,在这种形势下迫切要求制造一种能够克服三极管缺陷的晶体管,于是场效应管就应用而生了。

2、场效应管

最大特点就是输入阻抗极高,这是三极管无法比拟的,然而它的出现并没有像晶体管淘汰电子管一样而完全取代三极管,它也不是万能的,在有些方面不雹仔如三极管,因此不能笼统的说谁好谁不好。

由于场运枝效应管是在三极管的基础上研制而成的,所以它许多方面和三极管有相似的地方,二者珠联璧合应用广泛。

扩展资料:

三极管和场效应管的区别

1、电极区别

三极管有基极b、发射极e、集电极c三个电极,场效应管也有G极、源极S、漏极D三个电极,它们二者有对应关系,电极的作用相似,即基极-栅极都是控制极,发射极对应源旁肆敏极,集电极对应漏极,都是被控电极。

2、控制类型

三极管是电流控制型器件,也就是通过基极电流的变化控制集电极电流的变化;场效应管属于电压控制型器件,也就是通过栅极电压的变化来控制源漏极电流大小。

二者的工作原理是不同的,三极管是通过基极电流来控制集电极电流大小的,而场效应管是通过栅压改变导电沟道的宽度来控制电流的变化。

3、阻抗差别

三极管输入阻抗较低,在几百欧姆-几千欧姆之间,基极电流较大,输出电阻较高,对前级电路影响较大,阻抗不匹配时几乎不能工作;场效应管的输入阻抗极高,达到兆欧以上,MOS管更高,栅极几乎没有电流,对前级电路影响较小,和三极管一样输出电阻也较高。

绝缘栅型场效应管之图解

增强型:VGS=0时,漏源之间没有导电沟道,在VDS作用下无iD。

耗尽型:VGS=0时,漏源之间有导电沟道,在VDS作用下iD。

1. 结构和符号(以N沟道增强型为例)

在一块浓度较低脊缓的P型硅上扩散两个浓度较高的N型区作为漏极和源极,半导体表面覆盖二氧化硅绝缘层并引出一个电极作为栅极。

其他MOS管符号

2. 工作原理(以N沟道增强型为例)

(1) VGS=0时,不管VDS极性如何,其中总有一个PN结反偏,所以不存在导电沟道。

VGS =0, ID =0

VGS必须大于0

管子才能工作。

(2) VGS0时,在Sio2介质中产生一个垂直于半导体表面的电场,排斥P区多子空穴而吸引少子电子。当VGS达到一定值时P区表面将形成反型层把两侧的N区沟通,形成导电沟道。

VGS 0→g吸引电子→反型层→导电沟道

VGS↑→反型层变厚→ VDS ↑→ID↑

(3) VGS≥VT时而VDS较小时:

VDS↑→ID ↑

VT:开启电压,在VDS作

用下开始导电时的VGS°

VT = VGS —VDS

(4) VGS0且VDS增大到一定值后,靠近漏极的沟道被夹断,形成夹断区。

VDS↑→ID 不变

3. 特性曲线(以N沟道增强型为例)

场效应管的转移特性曲线动画

4.其它类型MOS管

(1)N沟道耗尽型:制造时在栅极绝缘层中掺有大量的正离子,所以即使在VGS=0时,由于正旁野启离子的作用,两个N区之间存在导电沟道(类似结型场效应管)。

(2)P沟道增强型:VGS = 0时,ID = 0开启电压小于零,所以只有当VGS 0时管子才能工作。

(3)P沟道耗尽型:制造时在栅极绝缘层中掺有大量的负离子,所以即使在VGS=0 时,由于负离子的作用,两个P区之间存在导电沟道(类似结型场效应管)。

5. 场效应管的主要参数

(1) 开启电压VT :在VDS为一固定数值时,能产生ID所需要的最小 |VGS | 值。(增强)

(2) 夹断电压VP :在VDS为一固定数值时,使 ID对应一微小电流时的 |VGS | 值。(耗尽)

(3) 饱和漏极电流IDSS :在VGS = 0时,管子发生预夹断时的漏极电流。(耗尽)

(4) 极间电容 :漏源电容CDS约为 0.1~1pF,栅源电容CGS和栅漏极电容CGD约为1~3pF。

(5) 低频跨导 gm :表示VGS对运如iD的控制作用。

在转移特性曲线上,gm 是曲线在某点上的斜率,也可由iD的表达式求导得出,单位为 S 或 mS。

(6) 最大漏极电流 IDM

(7) 最大漏极耗散功率 PDM

(8) 漏源击穿电压 V(BR)DS 栅源击穿电压 V(BR)GS

原文链接: 绝缘栅型场效应管之图解 (sohu.com)

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