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mos管平台bjt（mos管简介）

发布时间：2023-07-05
阅读量：45

本文目录一览：

mos管与bjt工作原理的区别

1、工作性质不同 三极管是使用电流控制的，MOS管是属于使用电压控制的。成本问题不同 三极管非常的便宜，MOS管比较昂贵。功耗问题不同 三极管的损耗非常大，MOS管功效较小。

2、场效应管是单极，三极管是双极。场效应管是电压控制电流源，控制电压和电流属于不同的支路，因而电压的求解一般不难，而三极管要先建立模型，然后进行电路分析，求解过程特别是计算很复杂。

3、相比较说来，IGBT的工作频率比MOS管的工作频率低，但比一般BJT的工作频率要高，但电流处理能力比MOS管强，适用于中等电压中等电流；MOS管则通常由于其频率特性较好，适用于高频低压的情形。

4、mos管与IGBT模块工作原理是一样的，工作在开关状态，做开关电源、变频器末级输出使用。一般mos管功率小于IGBT；工作频率高于IGBT。

5、三极管BJT与场效应管FET的区别很多，简单列出几条：BJT放大电流，FET将栅极电压转换为漏极电流。

6、NPN、PNP是双极型晶体管（BJT）的类型； 而MOS是场效应管，类型分为N沟道的NMOSFET、P沟道的PMOSFET，还有结型的JFET。BJT与FET，BJT与MOS，在工作原理以及器件结构上都完全不同。

为什么双极型晶体管的速度比MOS管高?

采用功率MOSFET场效应作为开关电源中的功率开关，在启动或稳态工作条件下，功率MOSFET场效应管的峰值电流要比采用双极型功率晶体管小得多。

双极型晶体管与单极型晶体管（MOS管是其中一种）放大器的输入电阻差别很大，后者比前者要高好几个数量级。前者在放大时需要比较大的偏置电流，而后者对偏置电流的要求较低。

放大也可以但是不(A)低频更不可取。no（B）高频方面更不如三极管。也不是（C）至于饱和。MOS管有更低的内阻。所以（D）答案更适合。

场效应管除了和晶体管一样可作为放大器件及可控开关外，还可作压控可变线性电阻使用。场效应管的源极和漏极在结构上是对称的，可以互换使用，耗尽型MOS管的栅——源电压可正可负。因此，使用场效应管比晶体管灵活。

例如，MOS管所占芯片面积仅为双极型晶体管的15%。因此，场效应管适合于大规模集成。

双极型晶体管 晶体管全称双极型三极管(Bipolar junction transistor，BJT)又称晶体三极管，简称三极管，是一种固体半导体器件，可用于检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等。

为什么mos管的输入电阻很高?

1、MOS是“金属-氧化物-半导体”的缩写，MOS电路由MOSFET（场效应管）构成，MOSFET的栅极与衬底及其他部分有绝缘层隔离，因此栅-衬间的电阻极大，而MOS电路的输入内部就是与栅极相接，所以输入阻抗高。

2、MOS管本身的输入电阻很高，而栅源极间电容又非常小，所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电，而少量电荷就可在极间电容上形成相当高的电压(U=Q/C)，将管子损坏。

3、阻抗高是因为mos的结构特点。栅极是氧化物绝缘层，电阻＞10兆欧姆。NPN就不行了，阻抗很低。驱动任意同类门是胡说八道。

4、你看一下MOS工作的时候有没有输入电流，如果有，说明MOS管没有坏；如果没有电流，直接换管子。

5、mos场效应管在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层，因此具有极高的输入电阻。结型场效应管在栅极与沟道之间是反偏的pn结形成的门极电压控制。所以输入电阻不及mos场效应管。

6、N沟道MOS管的结构及工作原理N沟道金属-氧化物-半导体场效应管(MOS管)的结构及工作原理结型场效应管的输入电阻虽然可达106～109W，但在要求输入电阻更高的场合，还是不能满足要求。

multisim设置mos管参数设置

1、如果一定要设置的话，在SPICE参数中BF基本就是电流放大倍数。双击元件打开特性窗口，打击edit model，修改。

2、双击三极管，弹出对话框，在“参数”一栏中点击“编辑模型”，能看到参数，Bf表示正向放大倍数 如下图：最后还讲一下其他参数的意思：Is=xxf 反向饱和电流。

3、首先在Simulink中新建“New Model”，搭建无源单相全桥逆变电路，如下图所示。对单相全桥逆变的触发脉冲电路，如下图所示。其中，载波模块和调制波模块的参数设置分别如下：（调制波频率为50Hz，载波频率为5kHz）。

4、multisim元器件的查找放置 电阻 basic-resistor 选择1K 2个。LED ： diode-led 选择红色 1个。PNP： Trans-BJT_PNP 随便选择一个 这里选择一个2N2904。开关：basic-switch-spdt 选择一个。

5、MOSFET的开关控制电压是v(gs)。因此，V1应该加在Q1的g和s之间，而非g和地之间；Q2的d和g位置反了，V3不能加到Q2的g和s之间，故不能控制Q2的通、断；而且Q2内部的寄生二极管会将Q1导通的电源电压短路到地。

一个MOS模拟集成电路的基本单元电路的问题

首先MOS管是四端器件，栅源漏衬，一般源衬短接。

可以理解为负载为无穷大时的增益，即由MOS本身参数生成的增益，比如简单共源极情况下，本征增益大小为gm*ro，ro为MOS本身的等效电阻。

所有MOS集成电路(包括P沟道MOS，N沟道MOS，互补MOS—CMOS集成电路)都有一层绝缘栅，以防止电压击穿。一般器件的绝缘栅氧化层的厚度大约是25nm、50nm、80nm三种。

由于CMOS电路的输入阻抗很高，而输入电容又很小，当不太强的静电加在栅极上时，其电场强度将超过105V／com。这样强的电场极易造成栅极击穿，导致永久性损坏。

MOS管（金属氧化物半导体管）是一种电子元器件，具有高电阻比和较低的漏电流，常用于制造电路板和集成电路。MOS管由两个基极和一个漏极组成，其中基极之间形成一个控制电流的通道。

什么是ic管？哪些品牌比较好？

集成电路ICIC，即集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，并按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路。

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