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MOS管开关电路是利用一种电路,是利用MOS管栅极(g)控制MOS管源极(s)和漏极(d)通断的原理构造的电路。MOS管分为N沟道与P沟道,所以开关电路也主要分为两种。
PWM MOS管驱动实际是将PWM信号经过MOS进行功率放大,将PWM信号变成具备一定功率输出或有一定电流灌入能力的PWM波形。其常见的电路有PWM MOS管底边驱动,半桥输出、H桥输出和三相弯埋全桥输出。
常见pwm驱动mos管开关电路:只是单个MOS管的普通驱动方式像这种增强型NMOS管直接加一个电阻限流即可。由于MOS管内部孝塌有寄生电容有时候为了加速电容放电,会在限流电阻反向并联一个二极管。
pwm驱动mos管这个电路提供了如下的特性:
1、用低端电压和PWM驱动高端MOS管。
2、用小幅度的PWM信号驱动高gate电压需求的MOS管。
3、gate电压的峰值限制。
4、输入和输出的电流限制。
5、通过使用合适的电阻,可以达到很低的功耗。
6、PWM信号反相。NMOS并不需要这个埋慎蚂特性,可以通过前置一个反相器来解决。
可以用单片机的PWM信号控制mos管的轿樱开通和关断,漏哗然后mos管后端接负载。
一个MOS管,PWM的占空比变化(比如从50到100%),MOS管输出电压(比如100V)会变化(在这样的情形下,比如在纯阻性负载上,其峰值电压还是100V,平均值为50V)。
mos管是金属(metal)—返帆行氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管,或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的,他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下,这个两个区是一样的,即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。
N沟道的MOS管,单片机可以直接控制。单片机的供电电压一定要充足稳定
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