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1、第一：对于装设高频振动器的电动机电源上面，工作人员应该安装上有效地漏电保护设备，接地或者是接零设备，从而可以保证其安全可靠。
2、原理：由于高频振动筛(高频筛)采用了高频率，一方面破坏了矿浆表面的张力和细粒物料在筛面上的高速振荡，加速了大密度有用矿物和析离作用，增加了小于分离粒度物料与筛孔接触的概率。
3、正弦振动方式的加速度是按余弦规律变化，过度比较平稳，冲击较小。正弦振动方式在连铸生产中得到了广泛的应用。 连铸拉速的提高，造成了结晶器向上振动时与铸坯间的相对运动速度加大，特别是高频振动后此速度更大。
4、高频与低频振动没有严格的区分，一般10Hz以下为低频，10-—1000Hz为中频，1000Hz以上为高频。在隔振设计中，通常把 100Hz 以上的干扰振动称作高频振动， 6-100Hz 的振动定义为中频振动， 6Hz 以下的振动为低频振动。
1、维修可控硅电路是需要理论基础的，因为它即涉及电子电路技术又涉及高压带电操作的安全技术，如果没有把握就不要弄了，真的很危险的。
2、整流输出电压为直流电压：220V*0.9=198V；可以作为光控开关用，由于光敏电阻的阻值随光照度的增强而减小的变化趋势。但是图中的VS应该不是双向晶闸管，而是单向晶闸管，因为经过整流后的是直流电压，不能用到双向晶闸管。
3、．2 双向可控硅控制电路 由于负载一般为大功率器件（电压从几百伏至上千伏，电流从几安培至几十安培），因此，8031单片机工作部分与可控硅触发部分采用MOC3021双向可控硅输出型光电耦合器，图3为1路可控硅触发控制电路。
4、可控硅直接由交流220v变直流24v不合适，因为这样可控硅的导通角就要非常小，因此输出的直流脉动非常大，不适合一般电子电器电路的使用。
5、调光控制器设计在日常生活中，我们常常需要对灯光的亮度进行调节。本调光控制器通过单片机控制双向可控硅的导通来实现白炽灯(纯阻负载)亮度的调整。
1、A 是阳极， K 是阴极， G 是控制极。从电路图可知：1号可控硅的阳极 A1 与2号可控硅的阴极 K2 在内部是连接在一起的，并且与器件外部的两个端子 ① 、K2 相连 。注意：①、 ②、③、是连接大电流的主端子。
2、这是个延时断电电路。单向可控硅，前面有全桥整流当然工作在直流了。按下SB电容充电，当达到触发电压可控硅导通H灯亮，此后电容电压逐渐降低（延时），可控硅关断，H灯灭。
3、调节RP的阻值，就可以改变电容器C的充电时间，也就改变了第一个Ug发出的时刻，相应地改变了晶闸管的控制角，使负载RL上输出电压的平均值发生变化，达到调压的目的。
4、焊机从直流输出端的分流器上，取出电流信号，做为电流负反馈信号，随着直流输出电流的增加，负反馈亦增加，可控硅的导通角减小，输出直流电压下降，从而获得了下降的外特性。
1、-20mA是电流模拟信号，这个模块里有两个单向可控硅，用到交流里调压要两个可控硅反并联使用 ，每个可控硅分别控制交流电的正半周与负半周，所以两个可控硅都要触发。
2、双向可控硅控制电路如下图，闭合开关后按一下按钮，双向可控硅控制极(G)有电流通过而触发导通(TT2导通)，继电器得电吸合。
3、双向可控硅接线如图：可控硅是P1N1P2N2四层三端结构元件，共有三个PN结，分析原理时，可以把它看作由一个PNP管和一个NPN管所组成。当阳极A加上正向电压时，BG1和BG2管均处于放大状态。
1、可控硅是P1N1P2N2四层三端结构元件，共有三个PN结，分析原理时，可以把它看作由一个PNP管和一个NPN管所组成。当阳极A加上正向电压时，BG1和BG2管均处于放大状态。
2、单相桥式整流器KBPC2510侧面有接线标志，具体接线方法看下面图片。
3、可控硅有A，K，G三脚，当AK间加上交流电，在KG之间加一触发信号，单向可控硅在交流半波（10毫秒内）任意时间起加触发，其信号可很短，（例如10微秒的脉冲）可控硅导通。
4、单项可控硅反并联。记得要加RC保护电路。单向可控硅，控制交流电，必须反并联，所以2和3 要短接，起来用。可控硅的介绍：这是一个由3个晶闸管造成的共阳晶闸管模块，主要用于三相半波整流电路。
5、T2脚接温控器的22接线端，同时接继电器的另一端和电源的应该是火线，T1脚接用电器。
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