理想二极管导通电压（理想二极管导通电压降为）

发布时间：2023-07-06

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1、二极管VD导通状态，输出电压Uo=-12V 因为二极管阳极电压为15-12=+3V，阴极通过电阻接到电源-极，所以为正向，导通状态，理想二极管压降为0，所以左边的电源-12V通过二极管到Uo。

2、先假设二极管都是截止的，再慢慢分析它们能否导通。a图，D1的正极是＋5V，负极是＋3V，肯定会导通，V0＝＋5V；D2将是截止的。b图，D1是截止的，此时暂时认为：V0＝＋3V；那么D2将是导通的，这时，会有：V0＝0V。

3、二极管处于正向导通状态，输出电压为15V（二极为理想二极管，正向导通压降为零，反向电阻为无穷大）。

4、二极管阳极最大参考电压15v，阴极10v，阳极阴极满足导通条件，Uo=15v。

理想二极管导通电压（理想二极管导通电压降为）

1、理想二极管正向导通零压降，0v都比-4v大，-2v比-4v大，上二极管导通後 Uo=0v，当Uo=0v，下二极管不满足导通条件，Uo=0v。

2、二极管处于正向导通状态，输出电压为15V（二极为理想二极管，正向导通压降为零，反向电阻为无穷大）。

3、设三输入端分别为ABC，输出端为F。则F=ABC。如果ABC中有‘0’，输出电压Uo为0.7V。如果ABC全为‘1’Uo为5V。

4、二极管VD导通状态，输出电压Uo=-12V 因为二极管阳极电压为15-12=+3V，阴极通过电阻接到电源-极，所以为正向，导通状态，理想二极管压降为0，所以左边的电源-12V通过二极管到Uo。

5、因为二极管VD对于6V或10V电源都是反向偏置，阻值无穷大。视二极管VD开路。

1、从结构上看，N沟道耗尽型MOS管与N沟道增强型MOS管基本相似，其区别仅在于栅－源极间电压vGS=0时，耗尽型MOS管中的漏－源极间已有导电沟道产生，而增强型MOS管要在vGS≥VT时才出现导电沟道。

2、你的不足在于，没有很好地理解MOS管的工作原理N沟道管子，衬底是B，而且是P型半导体，B与源极S连在一起。

3、当uGSUTN之后，只要在恒流区，转移特性曲线基本上是重合在一起的。曲线越陡，表示uGS对iD的控制作用越强，也即放大作用越强，且常用转移特性曲线的斜率跨导gm来表示。P沟道增强型MOS管上面讲的是N沟道增强型MOS管。

4、N沟道耗尽型MOS管是MOS管不需要工作电压就有了导电沟道，而P型增强型MOS管则是需要一定的电压才能反型。

1、因为是理想二极管，也就是认为二极管导通时在二极管两端的电压降为零。

2、理想二极管：就是正向压降为0，反向漏电流为0的二极管，这种二极管只存在于理论研究中；理想二极管是一种假设，根据题目要求假设，如为没有压降，没有损耗，反向不会击穿等理想状态。而实际二极管是达不到的。

3、因此开关管导通时产生的电流要通过二级管续流。开关管导通时，二极管反向电压等于电源电压，续流时，二极管正向导通，理想的压降为零，但实际使用时，用正向压降较低的肖特基二极管，压降会在0.3~0.7之间。