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听朋友说,在更换MOS管的时候,不同的主板,如果都是775的CPU,那么MOS管是可以互换的,上管之间也可以混用,下管之间也可以混用,以这样的原则来代换MOS管应该没问题吧。
有分上管和下管,用万用表就测出来。测其中上管的S极和另一个下管的D极是相通的就好了。要代换管的话,测阻值一样就可代换。
很简单的一般MOS管的特性一样N沟道的换N沟道的。
MOS管的衬底B与源极如果不连在一起,则D、S极可以互换,但有的MOS管由于结构上的原因(即衬底B与源极S连在一起),其D、S极不能互换。作开关管用的场效应管,一般都是功率型NMOS管,就属于这种特例。
主板缺一个MOS管不可以开机,mos一般用做开关管,是和电源连接的一般都是几相同时供电的,少了一相可能不稳定,而且不能开机。CPU有多相供电,供电电路中的MOS管不能随意被其他主板上CPU供电电路的MOS管替代。
mos管替换原则 三极管的代换原则 NPN型和PNP型三极管之间不能代换,硅管和锗管之间不能代换。
这两款电阻当然是不能通用的,只能使用原装一样的电阻才可以的。
这是功放电路中的限流电阻或电流负反馈电阻,不是管,要用0.25代0.27的也可以,那么必须把电路对称的相应的电阻全换成0.25比较合适,否则易形成电路工作点的漂移,影响中点电压,从而影响功放电路工作的稳定性。
R0代表0欧姆,2R2代表2欧姆,R85代表0.85欧姆。电阻和电容不一样,理论上来说,大了小了都不行。
1、听朋友说,在更换MOS管的时候,不同的主板,如果都是775的CPU,那么MOS管是可以互换的,上管之间也可以混用,下管之间也可以混用,以这样的原则来代换MOS管应该没问题吧。
2、N60C可以替代2N60的。2N60是功率场效应管参数是:硅、500V、2A、55W、RDS(on) ≤ 1 Ω、带阻尼;12N60C也是功率场效应管,参数:硅、600V、12A、51W、RDS(on)=0.65Ω、带阻尼。
3、MOS的阈值电压是一个范围值的。一般情况下与耐压有关,例如几十V的耐压一般为1-2V,200v以内的一般为2-4V,200V以上的一般为3-5V。MOS管,当器件由耗尽向反型转变时,要经历一个 Si 表面电子浓度等于空穴浓度的状态。
4、MOS管,当器件由耗尽向反型转变时,要经历一个 Si 表面电子浓度等于空穴浓度的状态。此时器 件处于临界导通状态,器件的栅电压定义为阈值电压,MOSFET的重要参数之一 。
5、对于以多晶硅为栅极的器件,器件的阈值电压因多晶硅的掺杂类型以及掺杂浓度而发生变化。可见,在正常条件下,很容易得到增强型PMOS管。为了制得增强型NMOS管,则需注意减少Qss、Qox,增加QB。
6、要反转就要更强的电场,阈值电压就上升了。MOS管的backgate掺杂能通过在gate dielectric表面下的稍微的implant来调整。这种implant被叫做阈值调整implant(或Vt调整implant)。考虑一下Vt调整implant对NMOS管的影响。
场效应管的代换只需大小相同,分清N沟道和P沟道即可。场效应管的代换中,功率大的场效应管可以代换功率小的场效应管。场效应管的代换中,技嘉主板的场管最好原值代换。
随便找个CPU供电的上管就可以替换它了。这个方法最简便。
N03: 09是代表D极耐流值为9A,N是代表N沟道(在主板上很少看到P沟道场管),03代表D-S耐压为30V,依次类推75N02,55N03,15N03,50N03等型号的管子,都是这样的定义。
主要注意P沟道对P沟道,N沟道对N沟道,大小差不多就可以了,不过最好的是用其它板上同位置的大小差不多的,一般都没什么问题,我们经常这样做。
是不可以随便换的。台式机主板,CPU有多相供电,供电电路中的MOS管是不可以用其它主板上CPU供电电路的MOS管任意代换。随便更换MOS管,容易烧MOS管。
肯定是P沟道换P沟道,N沟道换N沟道的,但是并不是单纯地只看这一点。
NPN型和PNP型三极管之间不能代换,硅管和锗管之间不能代换。
很简单的一般MOS管的特性一样N沟道的换N沟道的。
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