mosfet光耦（光耦控制mos管开关电路）

发布时间：2023-07-06

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另外，光耦烧坏了，查一下是发光二极管端还是光敏三极管端。发光二极管端被烧坏，是限流电阻阻值过小了。而光敏三极管端烧坏，查一下电路，是因为电流过大，还是电压过高击穿的。要查原因，不能怨单片机。

一般光耦器件体积小，pcb光耦的输入、输出间冲孔断开隔离，提高耐压、绝缘强度，正常使用不会烧坏光耦的。

无非是输入端的电流太大，把发光二极管烧了，或者输出端的电流太大，把光电三极管烧了。有很多光耦的型号，要求各不相同。

如果本来就共地没必要隔离；如果你是PWM调制信号还是用隔离变压器好，通过专门的驱动IC(我忘了，好像是IRF做的)驱动变压器，时间匹配是最好的。

这种情况可能性比较大的就是工作电流太大了，就是从输出正极到光耦上串的电阻太小，一般来说48V输出从正极要先串个20多V的稳压管再经过一个贴片电阻1K左右来给光耦供电。

光耦不会因为电压高而烧坏。因为光耦是有保险丝的，如果电压高的化，保险丝就会因温度高而烧断，就会防止光耦被烧坏。

两只mosfet尽量选取特性一致的，且单只耐压大于总VDS的一半，悬浮高压略低于VDS的一半。这种电路的优点是驱动电路简单，占空比可以从0~100%。用隔离变压器驱动的电路我见过实物有6只mosfet串起来工作的。

当栅极/基极(G)电压大于MOSFET管开启电压（通常为2V），源极(S)到漏极(D)导通，导通电流很小，可以认为源极(S)和漏极(D)直接短接。这样负载负极被连通负载电源负极，负载工作。

将前极驱动笼统的看作“驱动源”，由于功率MOSFET的输入属于电压驱动，必然会存在器件输入电容，尤其在大功率，高频率时这种输入电容非常明显。

内部参数对并联均流的影响影响功率MOSFET并联均流的内部参数主要有阈值电压VTH、导通电阻RDS(on)、极间电容、跨导gm等。内部参数差异会引起动态和静态不均流。

1、你要驱动MOSFET的话需要把他的5脚和8脚接一起然后接VCC，6脚接栅极电阻，7脚接GND的。很简单的。

2、A。选用TLP250 光耦既保证了功率驱动电路与P W M 脉宽调制电路的可靠隔离，又具备了直接驱动MOSFET 的能力，使驱动电路特别简单。

3、我没有看芯片的资料，不过从这个电流的电流控制取样方式这个电流应该是 PWM 脉宽调制的。以前人们使用斩波恒流，需要对单独的每一路取样。二极管应该起的是保护作用。有问题联系我可以进一步讨论。

4、驱动电路隔离技术：由于 MOSFET 的工作频率及输入阻抗高，容易被干扰，故驱动电路应具有良好的电气隔离性能，以实现主电路与控制电路之间的隔离，使之具有较强的抗干扰能力，避免功率级电路对控制信号的干扰。

5、由于电机绕组是一个感性负载，对电流有一定的波波作用，而且脉宽调制电路的调制频率较高，一般大于20 kHz ，因此，虽然是断续通电，但电机绕组中的电流还是较平稳的。

mosfet光耦（光耦控制mos管开关电路）