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1、拿其电阻率来说，电阻率主要决定于载流子的浓度和迁移率，两者均与杂质浓度和温度有关系。
2、而在半导体内，空穴的迁移率远远小于电子的迁移率，常温下，硅中空穴迁移率为450cm/V/S，电子迁移率为1450cm/V/S，所以P型半导体表现出的电阻率比N半导体大得多。
3、同一种半导体材料中，载流子类型不同，迁移率不同，一般是电子的迁移率高于空穴。如室温下，低掺杂硅材料中，电子的迁移率为1350cm^2/（VS），而空穴的迁移率仅为480cm^2/(VS)。
4、n型半导体费米能级靠近导带边，过高掺杂会进入导带。p型半导体费米能级靠近价带边，过高掺杂会进入价带。将半导体中大量电子的集体看成一个热力学系统，可以证明处于热平衡状态下的电子系统有统一的费米能级。
5、不是简单的混合，这种技术只有欧美有。当晶体管越来越小时，普通掺杂成功率越来越低，学学原子晶体，对半导体的认识会有收获。此外，氮元素电负性太大，与硅掺杂无法形成四价，只能是三价键，不可以导电的。
6、导体的导带和价带基本重合，禁带宽度为0，电子由价带进入导带基本无需额外能量，因此内部存在大量自由电子，具有低电阻率。
答案：塑料，硅，铜，铁四种物质中，塑料电阻率最大。在塑料，硅，铜，铁这四种物质中，塑料是绝缘体电阻率最大，硅是半导体电阻率大，铁和铜都是导体，铜的电阻率比铁小。
导电率从小到大：锡＜铁＜铝＜金＜铜＜银 导电最强的是银。导电率是国际单位制中电阻率的倒数，表示物质导电的性能。
锗、硅、硒、氧化铜、硼等的电阻率比绝缘体小而比金属大，我们把这类材料叫做半导体(semiconductors)。总结：常态下（由表可知）导电性能最好的依次是银、铜、铝，这三种材料是最常用的，常被用来作为导线等。
而是用它的电阻率来表征的。比如，一根很粗的铁丝的电阻是可以比一根很细的铜丝的电阻小的，然而，铁的导电性能是没有铜好的，因为铁的电阻率比铜的电阻率大。
电阻率大是指相同的截面积和长度的条件下，石墨的电阻大于铜和铁的电阻。虽然石墨可以导电，但是他的导电能力毕竟不如金属强。关于塑料，绝大多数塑料是不导电的，只有特殊的导电塑料才能导电，目前好像还只是试验阶段。
1、化学式GaAs，分子量1463，属闪锌矿型晶格结构，晶格常数65×10-10m，熔点1237℃，禁带宽度4电子伏。砷化镓于1964年进入实用阶段。
2、这时材料的电阻率请你用下式计算一下：电阻率=1/（载流子浓度*电子电荷*空穴迁移率），其中载流子浓度如上；电子电荷为常数；空穴迁移率=450。
3、在每10^5个硅原子掺入一个磷原子，则：1--磷的掺杂浓度是：10^17/cm^3；2--假如硅是单晶，在室温下杂质全部电离。
4、硅碳棒有较大的电阻率，在空气中加热部表面温度1100℃时，电阻率为0.0735-0.6852Ωm/mm2，硅碳棒的电阻随温度升高而呈非线性变化。
相对于应用而言，电阻率当然是越高越好。电阻越高，少子寿命越长，光电转化效率越高。但是，对于生产而言，电阻率越高，物料需要越干净，相应成本也就越高。从运营角度而言，以市场需求为指导方向。
所以高电阻率的硅片对太阳电池短路电流的贡献主要表现在长波光谱响应上。图1表示硅太阳电池基区电阻率对光谱响应的影响[2]。
高考 问题描述：在太阳能电池用多晶硅的制备过程中，在参杂前，硅的纯度大约99999%左右时，电阻率大约是多少 解析：纯硅的电阻率为214×1000欧姆/厘米，若掺入百万分之一的硼元素，电阻率就会减小到0.4欧姆/厘米。
单晶硅电池片在实验室最高转化效率为27%，普通商品化的转换效率为10%-18%。多晶硅太阳能电池实验室最高效率达到3%，普通商品化的一般为10%-16%。
太阳能电池片有p型层和n型层，当它们各自分别具有不同的电阻率时，就分别有不同的费米能级。形成p-n结后，就有不同的p-n结势垒高度，由此决定了不同的光生电压。
硅片检测硅片是太阳能电池片的载体，硅片质量的好坏直接决定了太阳能电池片转换效率的高低，因此需要对来料硅片进行检测。在进行少子寿命和电阻率检测之前，需要先对硅片的对角线、微裂纹进行检测，并自动剔除破损硅片。
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