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MOS开关电路图电路图如下:AOD448是30V 75A的管子,是用5V驱动的,偏高了点。可以用AOD442,AO3416等管子,电压用5V就能驱动。当电压为5V时,只有26豪欧。电流2到3安没问题。
这是很通用和成熟的电路,原理讲解参考自《带软开启功能的MOS管电源开关电路》。
mos管是电压控制元件,在某些方面使用起来很方便,当然,在开关电路中,由于mos管的导通电阻很小,所以使用也非常好,在开关电路中应用,就是一个能够受控制的开关,一般是受电压信号的控制。
是电机驱动,用的就是MOS的开关特性。另外,数字电路中所用到的三极管和MOS就是一个开关,因为数字电路只有0和1。图中的PWM是单片机IO端口直接过来的,0V和5V可变。后面一个推挽电路,然后给MOS。
PNP开关电路:NPN开关电路:3V控制5V开关电路 总结:PNP和P-MOS管的电路是兼容的,区别在于MOS一般通过的电流更大,NPN和N-MOS同理。另外,P-MOS管和N-MOS管的电路不可兼容,即N-MOS管不能接在VCC上作开关功能。
1、三极管用电流控制,MOS管属于电压控制。成本问题:三极管便宜,MOS管贵。功耗问题:三极管损耗大。驱动能力:MOS管常用来电源开关,以及大电流地方开关电路。
2、MOSFET和IGBT是电压控制器件,类似于场效应管,可通过栅极电压控制其导通和关断,开关速度高于GTO,由于MOSFET的耐压水平不能再继续提高,后推出场效应管与双极型管结合的器件IGBT。
3、MOSFET是指金属氧化物场效应管,具体的可分为P沟道和N沟道,一般用得多的是N沟道的。MOS管是电压控制型的元件,可以用一个驱动电压来控制其漏极和源极的通断从而实现开关功能。
根据功率和电流选型,24V的额定电压,再乘以额定工作电流,就是需要选择的额定功率。
可选择的方案是二极管“或”(有或没有负载共享)和优先级供电处理器。不论选择哪种方法,选择正确的电源给负载供电都需要仔细设计,以避免毁掉整个系统。
买质量等级高电源,电源的等级越高做的筛选实验越多,质量控制越高,可靠性也就越高。
电源模块是可以直接贴装在印刷电路板上的电源供应器,其特点是可为专用集成电路(ASIC)、数字信号处理器(DSP)、微处理器、存储器、现场可编程门阵列 (FPGA) 及其他数字或模拟负载提供供电。
电流稳定,并且让电源模块正常工作。从上面的介绍中,我们可以看出,这些电子原件都起着非常重要的作用,对于保证电源模块的稳定性非常重要。因此,在电源模块的设计和选型中,正确选择这些电子原件是非常重要的。
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