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三极管工作电流影响三极管线性性和功耗,电流越大线性度越好,功耗也越大。没特别需求的时候可以取1mA,低功耗10-100uA,高性能取5mA-10mA都行,根据需求和具体三极管型号定。
你指的H参数指的是 hfe参数,也就是交流信号放大倍数(俗称β值)。放大倍数β值是Ic(集电极电流)与Ib(基极电流)关系的普遍表达式(即β=Ic/Ib),特指在晶体管放大区中电流的分配关系。
,RB在数值上很大(几百千欧),rbe本身很小(约1千欧)所以RB对输入电阻影响很小可以忽略。2,对于交流信号,12V的直流电源相当于接地,C2相当于短路,所以RC 与Rl并联。
放大倍数是一样的。计算公式是这样,βRc/rbe,rbe是三极管输入等效电阻,忽略信号源。
RBE经常用在计算三极管放大电路的输入电阻和放大倍数上面。
将放大电路中的CCCE短路,电源Vcc短路,得到交流通路,然后将三极管用H参数小信号电路模型代入,便得到放大电路小信号电路模型如下图所示。
1、将放大电路中的CCCE短路,电源Vcc短路,得到交流通路,然后将三极管用H参数小信号电路模型代入,便得到放大电路小信号电路模型如下图所示。
2、你所说的求晶体三极管放大电路的输出输入阻抗是在由“交流通路”进一步简化而来的“微变等效电路”而来的。在“微变等效电路”中电容相当于短路,所以根本不用考虑电容。
3、(1)分析电路中各元件的作用;(2)理解放大电路的放大原理;(3)能分析计算电路的静态工作点;(4)理解静态工作点的设置目的和方法。以上四项中,最后一项较为重要。
4、由于有集电极电压,uCE= UCC-iCRC,uCE中的变化量经耦合电容C2传送到输出端,从而得 到输出电压uo。当电路中的参数选择恰当时,便可得到比输入信 号大得多的输出电压,以达到放大的目的。
5、放大器是放大交流信号的,故电压放大倍数、输入输出电阻都是在交流情况下计算的,只有工作点属于直流偏置。你给这个电路中参数比较全,但是缺晶体管β值,不妨设β=100。计算分分析与设计两大类。
1、小信号模型就是,当信号通过三极管时,这个三极管可以近似等于这样一个双端口网络,你就可以把三极管这个抽象的元件具体化,以便近似计算。
2、把电路变成小信号模型的出发点是:电路中含有的核心元件(比如说三极管)是一个非线性元件,无法用数学手段对其进行研究,但是该非线性元件会有一个相对比较宽的线性区域。
3、小信号模型是在给定的静态工作点,用来计算交流响应时采用的等效电路,一般来说当vin小于VT也就是26mV时,能够近似等效计算。在这个输入电压量级,可以近似认为电路的静态工作点不发生变化,从而将电路的交流响应近似为线性。
4、我都解释下,偏置电阻Rb=(Ube-0.7v)/Ib,Ib*β=Ic,Ic=(Uc-0.7)/Rc。
1、小信号是指动态交流信号,而大信号是指直流信号,跟信号幅度的大小没有直接关系。
2、确切的说,应该是“大信号图解分析法和小信号模型分析法”。
3、大信号”。一般放大该信号的放大器叫功率放大器(PA)。小信号和大信号的界定,主要是针对三极管放大器件而言的。具体可以参照我以前的在此我就不赘述了。
4、先说第二点,三极管能放大交流大信号。回到第一个问题。大信号和小信号,线性和非线性是相对而言的。中间没有一条严格的分界线。1伏的时候是线性,1伏就是非线性啦?不会有如此突然的变化的。
5、我都解释下,偏置电阻Rb=(Ube-0.7v)/Ib,Ib*β=Ic,Ic=(Uc-0.7)/Rc。
6、信号:一般是含有丰富的频率分量的,但是所含能量又很小的交流信号。要使用这个信号,就要把它放大。
电压高于pn结的导通电压即可导通,0.7v左右。
①、向这硅三极管BE极的导通电压在0.6V~0.7V之间即可导通工作,不是说非得大于0.7V才能导通的。
Ube的电压基本固定,是0.7V。输入为固定电压时,由于隔离电容的存在,相当于没有输入。
以NPN型三极管为例,E极接地。三极管开:B极电压0.65V左右,C极0.1V左右,甚至更低,E极为零;三极管关:B极电压低于0.5V,甚至更低,C极接近于电源电压,E极为零;以上是实际经验数据,请参考。
硅三极管BE间的门槛电压是0.7v,锗三极管BE间的门槛电压是0.2v,而由外电路加在BE间的电压可以是动态变化的电压,当外加电压小于门槛电压值时,BE是关断的没有电流。
比如,我要Ic工作在10ma,反推Ib=10/β=0.1ma。查三极管的BE二极管曲线。发现Ib=0.1mA时,Ube是0.65V。Ok,外电路用个电阻分压,给它刚好0.65V。
关键词:电阻 等效电阻 三极管交流 二极管的小信号模型 晶体三极管 三极管小信号 电容 放大电路的输入电阻 三极管型号 耦合电容 三极管放大电路 输入电阻 三极管是什么
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