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mos管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管。或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。
MOS管全称是MOSFET，意思是金属绝缘栅型场效应管，因为它的栅极与沟道之间有一层绝缘层而得名，且栅极通常采用铝金属作为材料而得名。它是场效应管的一种（另外一种是结型场效应管）。
场效应晶体管（FieldEffectTransistor缩写(FET)）简称场效应管。主要有两种类型（junctionFET—JFET)和金属-氧化物半导体场效应管（metal-oxide semiconductor FET，简称MOS-FET）。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。
场效应管就是MOS管，场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管，MOS管可以说是一种通俗的叫法吧，一些采购工程比较喜欢叫MOS管。
它是由金属、氧化物和半导体所组成，所以又称为金属---氧化物---半导体场效应管，简称MOS场效应管。(1)结构原理它的结构、电极及符号见图3所示，以一块P型薄硅片作为衬底，在它上面扩散两个高杂质的N型区，作为源极S和漏极D。
1、场效应管是靠栅极（G）与源极（S)之间的电压，来控制漏极（D)和源极的电流大小。用的时候要通过调节Vgs来达到Rds可变的效果。场效应管类似于一个水龙头，你通过控制阀门来控制流量。栅极就是那个阀门。
2、使耗尽层具有一定宽度，但宽度上下不均匀，这是由于漏源之间的导电沟道具有一定电阻，因而漏源电压UDS沿沟道递降，造成漏端电位高于源端电位，使近漏端PN结上的反向偏压大于近源端，因而近漏端耗尽层宽度大于近源端。
3、在该区域UDs值较小，沟道电阻基本上仅受UGs控制。当uGs一定时，ip与uDs成线性关系，该区域近似为一组直线。这时场效管D、S间相当于一个受电压UGS控制的可变电阻。
4、有，MOS管原理就是通过栅源电压去控制漏源电流，即ID=gm*Ugs（此时应保证MOS管处于放大状态），其中gm是低频跨导，有专门的计算公式可以算出来的，与三极管的共射交流电流放大系数贝塔相比，gm变化更快一些。
5、场效应管可以用作可变电阻。场效应管可以方便地用作恒流源。场效应管可以用作电子开关。
6、场效应管 （1）场效应管是电压控制器件，它通过UGS来控制ID；（2）场效应管的输入端电流极小，因此它的输入电阻很大。
1、MOS管一般又叫场效应管，与二极管和三极管不同，二极管只能通过正向电流，反向截止，不能控制，三极管通俗讲就是小电流放大成受控的大电流，MOS管是小电压控制电流的。
2、MOS管：场效应管。采用绝缘栅结构的晶体三极管，输入阻抗高，输出呈电阻态。
3、MOS场效应管属于电压控制元件，这一点类似于电子管的三极管，但它的构造与工作原理和电子管是截然不同的。通常被用于放大电路或开关电路。而在主板上的电源稳压电路中，MOS主要是判断电位，它在主板上常用“Q”加数字表示。
4、MOS管即金属氧化物半导体型场效应管，属于场效应晶体管中的绝缘栅型。因此，MOS管有时被称为场效应管。在一般电子电路中，MOS管通常被用于放大电路或开关电路。MOS管的特性 开关特性。
MOS管作用：用途广泛，包括电视机高频头（高频，小电流）到开关电源（高压大电流），现在把MOS和双极型（普通三极管）复合在一起（IGBT，绝缘栅双极型晶体管），广泛应用于大功率领域。
mos管的作用如下：MOS工作在导通区或者截止区的时候可以当开关使用。外加PWM信号可以用于调压，电机调速等方面。
MOS管的主要作用是放大电信号，用于电子设备中的开关控制、电源管理、数据传输等方面。MOS管的原理是基于PN结的反向偏置效应，即当PN结处于反向偏置状态时，其电阻非常大，电流几乎为零。
MOS管：场效应管。采用绝缘栅结构的晶体三极管，输入阻抗高，输出呈电阻态。
从结构上看，N沟道耗尽型MOS管与N沟道增强型MOS管基本相似，其区别仅在于栅－源极间电压vGS=0时，耗尽型MOS管中的漏－源极间已有导电沟道产生，而增强型MOS管要在vGS≥VT时才出现导电沟道。
你的不足在于，没有很好地理解MOS管的工作原理N沟道管子，衬底是B，而且是P型半导体，B与源极S连在一起。
当uGSUTN之后，只要在恒流区，转移特性曲线基本上是重合在一起的。曲线越陡，表示uGS对iD的控制作用越强，也即放大作用越强，且常用转移特性曲线的斜率跨导gm来表示。P沟道增强型MOS管 上面讲的是N沟道增强型MOS管。
N沟道耗尽型MOS管是MOS管不需要工作电压就有了导电沟道，而P型增强型MOS管则是需要一定的电压才能反型。
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