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PIM模块：集成整流桥+制动单元（PFC）+三相逆变（IGBT桥）IPM模块：即智能功率模块，集成门级驱动及众多保护功能（过热保护，过压，过流，欠压保护等）的IGBT模块。
IPM中的IGBT核心为高速型，驱动电路接近IGBT，驱动延时小，开关速度快，损耗小。IPM集成了实时检测电路，可以连续检测IGBT的电流和温度。当发生严重过载甚至直接短路时，当温度过高时，控制IGBT软关闭并发出故障信号。
功率模块是功率电力电子器件按一定的功能组合再灌封成一个模块。IPM内的IGBT管芯都选用高速型的，而且驱动电路紧靠IGBT，驱动延时小，所以IPM开关速度快，损耗小。
IGBT模块：即模块化封装的IGBT芯片。常见的有1in1，2in1，6in1等。PIM模块：集成整流桥+制动单元+三相逆变IPM模块：即智能功率模块，集成门级驱动及保护功能（热保护，过流保护等）的IGBT模块。
IPM的保护功能 保护电路可以实现控制电压欠压保护、过热保护、过流保护和短路保护。如果IPM模块中有一种保护电路动作，IGBT栅极驱动单元就会关断门极电流并输出一个故障信号（FO）。
开关电源大至由主电路、控制电路、检测电路、辅助电源四大部份组成。 主电路冲击电流限幅：限制接通电源瞬间输入侧的冲击电流。 输入滤波器：其作用是过滤电网存在的杂波及阻碍本机产生的杂波反馈回电网。
电源开关可以掌控整个电路，它起着关键的作用，有了电源开关，我们就可以控制着电器与电路，并且不用直接接触电，能够减小人们使用电的危险程度，如今电源开关出现在每个家庭当中，充当着十分重要的作用。
U6是一个光电耦合器，常用的如PC817。由于开关电源初级和次级之间需要隔离，它们之间不可以有电路直接连接，所以就将次级的电压信号用它变成光信号，然后在它的内部再变为电信号，完成反馈稳压过程，同时达到隔离作用。
在开关电源元器件作用上，危姓恭重浩“民熔电气集团”是提出过比较全面的回答的。之后是开关电源专用变压器，它的二次侧线圈多是设计成主副两路输出，一路是接监测，控制开关管开关速度，达到按需取用前端直流电的目的。
而功率MOSFET由于是单极型器件，电流处理能力相对较弱，但由于其在开关过程中，没有载流子存储的建立与抽取，其频率特性好，用于高频低压领域。
IGBT(绝缘栅双极晶体管)它综合了GTR和mosfet的优点，具有电导调制效应，其通流能力很强，但是开关速度较慢，所需驱动功率大，驱动电路复杂。
电力MOSFET驱动电路的特点是：要求驱动电路具有较小的输入电阻，驱动功率小且电路简单。
MOSFET优点：热稳定性好、安全工作区大。缺点：击穿电压低，工作电流小。IGBT是MOSFET和GTR（功率晶管）相结合的产物。特点：击穿电压可达1200V，集电极最大饱和电流已超过1500A。
IGBT的频率一般不会超过100KHz，但高频性能比GTR好。MOSFET 的频率理论上可以做到1MHz（1000KHz），应用范围比较多的频率段应该为几百KHz左右。
图真的好模糊，左边2个应该是这个开关电源PWM的电路中的功率开关管，负责斩波；右边那个看电路有点象一个线性稳压调节中的调整管。
IRF840。贝塔斯瑞二次电源场效应管型号为IRF840，是一种可控硅场效应管，广泛应用于电源控制和开关电路中，具有低导通电阻、高开关速度和耐高温等特点，适用于大电流、高电压和高频率的应用场合。
不是，IRF840，N沟道MOSFET，功率场效应管，500V/8A/125W，是大功率的大电流，高速开关MOS管。
rf840是IRF840三极管。三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件·其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号， 也用作无触点开关。
1、开关在电路中的作用：开关在电路中可起到切断电路中电流的作用。开关在电路中可起到控制电路的连接与断开的作用。开关在电路中可起到检测电路是否受损的作用。开关在电路中可起到辅助电源进行输出的作用。
2、开关的作用是接通和断开电路，也就是对电路进行开和关。具体来说，开关电器具有控制、保护、隔离、接地几种主要的作用。
3、你好，(1) 能载电流的通路或互联通路组。
4、开关的作用就是控制电路的（通）与（断）。在闭合电路中，从电源正极流出，经过用电器，返回负极，形成完整的回路，称之为通路，也叫做闭合电路。通路是在电路中，处处连通的电路。
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