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1、很简单!但使用220V,控制输出在10-14V,不合理,因为相差太大,控制不稳定,输出波形太尖;而且一旦失控,220V的电压直接加在发热管上,后果很严重。最好是把220V变压到20-30V左右,再用可控硅控制。
2、朋友,比如可控硅是P1N1P2N2四层三端结构元件,可控硅共有三个PN结,分析原理时,可以把可控硅看作由一个PNP管和一个NPN管所组成。 当可控硅阳极A加上正向电压时,BG1和BG2管均处于放大状态。
3、可以的,可控硅的触发电流不大。需要选择合适容量的可控硅和适当的散热器。
4、如果需要快速通断,那么可控硅也是不能直接使用的。交流电和脉动直流除外。在直流电路中,可控硅一旦开启就无法关闭。除非外部电压消失。当然,现在已经有可控制关断的可控硅。但是对价格不清楚。24V3A电路的总功率是72W。
5、控制380V电压选可控硅其反耐压值1200V的从电压角度来说没问题,你既回做220V的,也就能做380V的。220V和380V区别在于前者为相(对地)电压,后者为线(间)电压。
6、使用单片机输出PWM信号,即可得到不同的控制电压,以控制可控硅的导通情况。复杂一点的需要做闭环系统,也就是通过ADC输入后,形成一个闭环的电压监测,依据此值来控制输出,使输出电压与预设的电压一致。
可控硅的触发电压一般为1~2V吧,具体的参数可以查手册。可控硅,是可控硅整流元件的简称,是一种具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件,亦称为晶闸管。
这两个双向可控硅的耐压都是600V,最大电流分别是16A。触发电压一般在2V以下,触发电流一般在5-30mA比较多。不是型号相同触发电流就一样的。触发电压和触发电流大了不要紧的,开关速度会加快。
a可控硅的触发电压一般在0.5V左右。110a可控硅的触发电压一般在0.5V左右是因为在正常工作状态下,可控硅的阳极电压会随着控制极(即门极)的电压变化而变化。
单片机可以控制单向可控硅,对于小功率单向可控硅,控制极电流只要几毫安,电压3到5伏(1伏左右就可开通,注意不要误 触发),单片机可以直接驱动。但最好用光偶隔离。大功率可控硅,触发电流几十毫安,要加功率放大才行。
一般这类可控硅触发电压在10V触发电流2A左右,由于触发脉宽很窄所以感觉触发电流很小。为了可靠触发一般都是使用电容器放电形式触发,通常电容器的充电电压在18V以上才可以保证充电饱满。
可控硅触发的常用几种形式:光耦、dbmcu。DB3触发的时候触发电压在30v,其他更低。关键不是电压,可控硅是电流触发器件,你需要知道的是电流的极限而非电压极限。
可控硅导通条件:一是可控硅阳极与阴极间必须加正向电压,二是控制极也要加正向电压。以上两个条件必须同时具备,可控硅才会处于导通状态。另外,可控硅一旦导通后,即使降低控制极电压或去掉控制极电压,可控硅仍然导通。
同是10A的可控硅,最小触发电流可能有的不足一毫安,有的要几十毫安。
单片机可以控制单向可控硅,对于小功率单向可控硅,控制极电流只要几毫安,电压3到5伏(1伏左右就可开通,注意不要误 触发),单片机可以直接驱动。但最好用光偶隔离。大功率可控硅,触发电流几十毫安,要加功率放大才行。
可控硅获得导通必须具备以下两个条件:(1)阳极电位比阴极电位高,并大于它的起始电压。
单片机可以控制单向可控硅,对于小功率单向可控硅,控制极电流只要几毫安,电压3到5伏(1伏左右就可开通,注意不要误 触发),单片机可以直接驱动。但最好用光偶隔离。大功率可控硅,触发电流几十毫安,要加功率放大才行。
最大正向平均电压降:2V 维持电流:<20mA 控制极触发电流:<20mA 控制极触发电压:<5V 控制极不触发电压:>0.3V 控制极不触发电流:>0.4mA 没有脉冲波,用直流同样可以触发可控硅,只要触发电流大于指标值。
(3) 平均通态电流IT(AV)=5A,通态电流有效值IT(RMS)=12A,通态不重复浪涌电流ITSM=120A。(4) 触发电流IGT<15mA(分档范围:3-4mA)。
可控硅的触发电压一般为1~2V吧,具体的参数可以查手册。可控硅,是可控硅整流元件的简称,是一种具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件,亦称为晶闸管。
一般这类可控硅触发电压在10V触发电流2A左右,由于触发脉宽很窄所以感觉触发电流很小。为了可靠触发一般都是使用电容器放电形式触发,通常电容器的充电电压在18V以上才可以保证充电饱满。
一般需要5V以上或者10mA左右的驱动电流,如图所示,这里RL为负载,R1为驱动限流电阻,如果你所使用的单向可控硅驱动电流很小,可以增大R1的值。
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