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5v驱动mos管（mos管驱动电路原理）

发布时间：2023-07-07
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5V驱动下,80N10管子严重发烫,求MOS管选型

如果MOS管没有完全饱和导通，必须按实际漏极源极的电压和电流计算。额定功率是指使用足够大的散热器所能承受的耗散功率。9W的话，必须加足够的散热器。

在低压侧开关中，应采用N沟道MOS管，这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。当MOS管连接到总线及负载接地时，就要用高压侧开关。通常会在这个拓扑中采用P沟道MOS管，这也是出于对电压驱动的考虑。

如果温度不是太高，例如75°一下，可以不用处理，如果温度确实太高，可以考虑在管子上加一块散热片。微星的板子有很多型号管子上就有散热片，附图是一个例子供你参考。

-5v可以驱动的mos管，所有的开关三极管、MOS管、可控硅、节能灯、电子镇流器里使用的1300130013007等都能被驱动。根据相关公开资料查询了解到，MOS，是MOSFET的缩写。

分析这次MOS管故障的原因，根据开关电源以前的所了解的，一般引起MOS管发热的原因是：1：驱动频率过高。2：G极驱动电压不够。3：通过漏极和源极的Id电流太高。

三极管用电流控制，MOS管属于电压控制.成本问题：三极管便宜，MOS管贵。功耗问题：三极管损耗大。驱动能力：MOS管常用来电源开关，以及大电流地方开关电路。高速开关三极管用场效应管，速度都很快。

5V信号控制5V电源开关选什么MOS管?

控制电源的通断一般用PNP型三极管，如果电流在250MA以下的话可以用S8550，如果电流比较大的话可以用TIP42。在PNP三极管基极上再接一个NPN的推动三极管如S945，S9014都可以。

带软开启功能的MOS管电源开关电路 具体的分析，见文章《带软开启功能的MOS管电源开关电路》不过要求2A电流的话，图示的MOS管已经到达上限了，除非有充足的降温措施，不然稳定性不够，还是换用更大封装的管子会比较好。

-5v可以驱动的mos管，所有的开关三极管、MOS管、可控硅、节能灯、电子镇流器里使用的1300130013007等都能被驱动。根据相关公开资料查询了解到，MOS，是MOSFET的缩写。

为什么非得要5V？IRF630是4V的开启电压，你可以用电阻分压5V，下端4V上端1V，将分压点4V端连IRF630的G极，可实现5V开启导通。

漏极-源极耐压Vdss，一般Vdss值大于MOS管的D极最大尖峰10%以上为安全值，D极最大尖峰电压指的是在AC264V输入时测试。

5v单片机驱动BUCK电路的MOS管,求具体驱动电路或者方法!!

1、图一：适合开关频率不高的场合，一般低于2KHz。其中R1=10K，R2 R3大小由V+决定，V+越高，R2 R3越大，以保证电阻及三极管功耗在允许范围，同时保证R2和R3的分压VPP=V+ 减10V，同时V+不能大于40V。

2、单片机驱动mos管电路主要根据MOS管要驱动什么东西， 要只是一个继电器之类的小负载的话直接用51的引脚驱动就可以，要注意电感类负载要加保护二极管和吸收缓冲，最好用N沟道的MOS。

3、所以在单片机驱动MOS的电路中，通常会采用三极管作为前级驱动，由电源电压驱动MOS管开启，有些开启电压较高的MOS管，还会提高驱动电压，而不使用单片机的5V供电，比如12V、15V等等。

4、单片机任意一个I/O口通过一个三极管控制SG3525的10脚。I/O口和三极管基极间串个几K的电阻，发射极接地，集电极接SG3525的10脚同时接个10K电阻上拉至15脚。单片机发高电平时工作，低电平时关断。

常说的5vmos管指的是什么电压是5v

MOSFET开启电压5V的话，需要栅极电压高于源级电压5V才能导通，就是说如果源级电压是12V，栅极电压要12+5=17V才能导通。这个说的对。

V/5V指的是适应CMOS/TTL电平，不是指电源电压不同。电源电压这个说法不准确。就PSIPICE而言，参数会略有区别。如果你的电路是CMOS/TTL兼容的，那么就可以混用。

是的，G极的电压需要2-4V之间。MOS管的source和drain是可以对调的，都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能，这样的器件被认为是对称的。

为什么非得要5V？IRF630是4V的开启电压，你可以用电阻分压5V，下端4V上端1V，将分压点4V端连IRF630的G极，可实现5V开启导通。

而电阻产生的压降略等于电源电压时，就是饱和。VGS＝3V，电流在8A左右，如果VDS为5V，那负载超过0.625R时就会饱和（8A*0.625R＝5V）。而此时如果电阻只有0.1R，那电流需要50A才能饱和，那VSG就需要约4V才行。

mos管做开关电路,5V接G,S极,则D,S极导通,但是断开5V驱动,为什么管子还是...

1、你确定是nmos么，如果是，用万用表测量D到S的电阻或者np结电压，如果电阻很小，就是mos的ds击穿了，换一个mos管试一试，如果是np结电压在0.7v左右，那可能是选了个pmos带反向保护的。

2、G：gate 栅极；S：source 源极；D：drain 漏极。N沟道的电源一般接在D，输出S，P沟道的电源一般接在S，输出D。增强耗尽接法基本一样。晶体管有N型channel所有它称为N-channel MOS管，或NMOS。

3、mos管是电压控制元件，在某些方面使用起来很方便，当然，在开关电路中，由于mos管的导通电阻很小，所以使用也非常好，在开关电路中应用，就是一个能够受控制的开关，一般是受电压信号的控制。

4、你控制端电压加多少？怎么加？电路图上没反应出来，光悬空那肯定是不行的，应该接高电平信号。

5、这个地方就乱了，除非你有专门的驱动电路。你这里只有Q3用的是对的，你拆掉Q1和Q2，设备+接到VCC，设备-接到Q3的D，通过Q3的G就可以控制设备了。

关键词：5v驱动mos管 mos管 mos管驱动 开关三极管 驱动mos管 Mos管做 可控硅

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