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1、IBQ为静态三极管基极B的电流；ICQ为集电极的电流；UCEQ就是集电极和发射极这间的电位差，也就是UCE。三极管放大电路的工作点是什么意思？ 简单的说就是给它一个静态的工作电流，这个电流由基极电流来确定，自己看看书吧。
2、同理，第二张图表明Uce和和集电极电流iC之间的关系，中间的Q为三极管的静态工作点；Uce为静态工作电流与正弦交流小信号电流之和。
3、Ucc一般指双极型集成电路的电源电压，因为这类电路中用的是双极型三极管，cc就表示多个双极型三极管，对于cmos数字集成电路大都用Udd表示电源电压，因其内部用的是MOSFET，而Uce指的是三极管c-e两极之间的电压。
4、三极管有三种工作状态：（用水龙头比喻三极管的工作）截止态：对电路相当于一根断了的导线，此时集电极电流为零，（相当于水龙头全关闭，滴水不漏），此时，发射结和集电结都是反偏。
5、Ib、Ic、Uce三个Q点参数中，Ic、Uce是内涵，Ib只是外延。稳定Q点，应该是稳定代表工作点的内涵参数。传统模电教科书没有区分工作点内涵与外延，自然就不清楚究竟应该稳定哪些参数。
1、基极B和发射极E之间等效为一个动态电阻，集电极C和发射极E之间等效为一个Ib的受控电流源，大小为βIb。晶体管促进并带来了“固态革命”，进而推动了全球范围内的半导体电子工业。
2、微变等效电路：所谓“微变”，就是指被放大的信号（us）变化幅度不大时，等效出来的电路。由于三极管属于非线性元件，无法采用直接分析的方法。
3、有源负载放大电路主要构成元件为晶体管、场效应管及若干电阻，这种放大电路以电流源电路作为有源负载，这样在电源电压不变的情况下，既可获得合适的静态电流，对于交流信号，又可以得到较大的等效电阻，从而提高电压增益。
1、基极B和发射极E之间等效为一个动态电阻，集电极C和发射极E之间等效为一个Ib的受控电流源，大小为βIb。晶体管促进并带来了“固态革命”，进而推动了全球范围内的半导体电子工业。
2、三极管等效电路在输入信号电压很小的条件下得出的。基极B和发射极E之间等效为一个动态电阻，集电极C和发射极E之间等效为一个Ib的受控电流源，大小为βIb。
3、首先画出交流通路，然后根据三极管的h参数再微变即得电路。答案及简要过程 见 图 。
4、测量方法：通过万用表可以测试，如果用数字万用表测试，可以直观的、准确的测量放大倍数，选择万用表档位在hfe档位上，万用表上有NPN或者PNP测试的三个小孔，三极管的b\c\e三个脚对应插进小孔中，就可以测出放大倍数了。
1、直流通路：用来计算放大电路的静态工作点，由于直流电路中电容相当于开路，所以直流通路中将电容开路，剩余电路就是直流通路。交流通路：在交流电路中，由于信号频率很大，所以电容阻抗很小，相当于短路。
2、先画出晶体管的微变等效电路 当输入信号很小时，在静态工作点附近的工作段可认为是直线。当Uce是常数时，ΔUвE与ΔIв之比称为晶体管的输入电阻。在小信号放大区，rье是常数。
3、放大电路的静态分析方法通常包括以下步骤：画出电路图，标注器件参数和电路元件之间的连接关系。根据电路的直流工作点，计算每个二极管和晶体管的偏置电压和偏置电流。
4、等效微变电路步骤如下：（1）将电路中所有的直流电压源短路，电流源断路。（2）将电路中的所有电容短路。（3）将电路中的三极管等效成 一个电阻和一个受控电流源组合的形式。
5、当放大电路的输入信号电压很小时，可以把三极管小范围内的特性曲线近似地用直线来代替，从而可以把三极管这个非线性器件所组成的电路当作线性电路来处理。用微变等效电路分析法分析放大电路的步骤：1）画直流（通路），求Q点。
6、三极管在实际的放大电路中使用时，还需要加合适的偏置电路。这有几个原因。首先是由于三极管BE结的非线性（相当于一个二极管），基极电流必须在输入电压大到一定程度后才能产生（对于硅管，常取0.7V）。
先画出晶体管的微变等效电路 当输入信号很小时，在静态工作点附近的工作段可认为是直线。当Uce是常数时，ΔUвE与ΔIв之比称为晶体管的输入电阻。在小信号放大区，rье是常数。
分为两部分，一部分为直流状态下，此时电容等同于断路，保留VDD，绘制即可；另外一部分为交流，此时VDD对地短接，电容等同于短路，以BJT管为核心，然后按照射极-集电极的顺寻把电阻挂上去就好了。
首先将电容短路，三极管用H参数等效电路代替。其次就可以交流通路与等效电路。最后在multisim里面照书上画了个放大电路就可以了。
但实际中要放大的信号往往远比0.7v要小，如果不加偏置的话。这么小的信号就不足以引起基极电流的改变(因为小于0.7v时，基极电流都是0)。如果事先在三极管的基极上加上一个合适的电流。
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