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锗二极管的死区电压（锗二极管的死区电压为 ）

发布时间：2023-07-07
阅读量：51

本文目录一览：

锗管死区电压是0.1还是0.2?

1、当正向电压超过一定数值（硅管约0.5V，锗管约0.1V）后，二极管电阻变得很小，电流增长很快。这个电压往往称死区电压。

2、锗材料二极管的正向导通死区电压约为0.2V不到，一般导通后的压降按0.2V计算；硅材料二极管的正向导通死区电压约为0.6V，通后的压降按0.7V计算。

3、一般大略估算是按照锗管0.12~0.2V，硅管0.5~0.7V。但是实际二极管并不理想，不是按照某一个电压分解导通与否，而是一个随着电压增加逐渐导通的指数曲线。

二极管有哪些型号

可分为点接触型二极管、面接触型二极管和平面型二极管；根据用途，可分为TVS瞬态抑制二极管、ESD二极管、稳压二极管、整流二极管、肖特基二极管、快恢复二极管、超快恢复二极管等等。

按用途可分为TVS瞬态抑制二极管、ESD二极管、稳压二极管、整流二极管、肖特基二极管、快恢复二极管、超快恢复二极管等。

A大功率二极管有MBR2035CT、MBR2045CT 、MBR2060CT、MBR20100CT、C85-009*等型号。二极管是电子元件当中，一种具有两个电极的装置，只允许电流由单一方向流过，许多的使用是应用其整流的功能。

常用的国产普通开关二极管有2AK系列，高速开关二极管有2CK系列。进口高速、超高速开关二极管有1N系列、1S系列、1SS系列（有引线塑封）和RLS系列（表面安装）等等。PIN型二极管 可以把PIN二极管作为可变阻抗元件使用。

常见型号主要有：05Z2Y硅稳压二极管Vz=6至35V，Pzm=500mW。05Z18Y硅稳压二极管Vz=155至145V，Pzm=500mW。1N4001硅整流二极管50V，1A。1N4002硅整流二极管100V，1A。1N4003硅整流二极管200V，1A。

检波二极管常用的型号，有国产的2AP系列玻封锗二极管，进口的检波二极管有1N34/A、1N60等。以下是2AP系列二极管型号参数表。

一般硅、锗二极管的死区电压为多少?导通电压后又是多少

1、一般大略估算是按照锗管0.12~0.2V，硅管0.5~0.7V。但是实际二极管并不理想，不是按照某一个电压分解导通与否，而是一个随着电压增加逐渐导通的指数曲线。

2、硅为主要材料制成的二极管，死区电压0.6V左右、导通电压为0.7V左右。锗为主要材料制成的二极管，死区电压0.2V左右、导通电压为0.3V左右。

3、绪二极管的死区电压是0.2V。硅二极管的死区电压是0.5V，锗二极管的死区电压是0.2V。硅二极管的导通电压是0.7V，锗二极管的导通电压是0.3V。

锗材料二极管死区电压为多少伏

锗材料二极管的正向导通死区电压约为0.2V不到，一般导通后的压降按0.2V计算；硅材料二极管的正向导通死区电压约为0.6V，通后的压降按0.7V计算。

锗二极管导通电压为0.1V-0.3V，一般取0.2V，死区电压为0.1V左右。对于锗二极管 ，开启电压为0.2V，导通电压UD约为0.3V。锗二极管就是用锗材料制作的二极管。

一般大略估算是按照锗管0.12~0.2V，硅管0.5~0.7V。但是实际二极管并不理想，不是按照某一个电压分解导通与否，而是一个随着电压增加逐渐导通的指数曲线。

正向加电压时，如果是P型半导体，空穴参加导电，N型半导体电子参与导电。硅为主要材料制成的二极管，死区电压0.6V左右、导通电压为0.7V左右。锗为主要材料制成的二极管，死区电压0.2V左右、导通电压为0.3V左右。

绪二极管的死区电压是0.2V。硅二极管的死区电压是0.5V，锗二极管的死区电压是0.2V。硅二极管的导通电压是0.7V，锗二极管的导通电压是0.3V。

什么是二极管的死区电压?为什么会出现死区电压

1、所谓死区电压：由于PN结内部有自建电场，电子和空穴的漂移作用，其内部本身就具有一定的电能，也就是说它的内部本身带有电荷，利用它的单向导电性，其实就是给PN结加上外部电压，破坏了它内部自建电场的平衡。

2、因为实际应用的二极管并不是理想的，所以会有门槛电压和通态压降。

3、二极管电阻变得很小，电流增长很快。这个电压往往称死区电压。

4、二极管的死区电压，就是说低于驱动二极管的电压，各种二极管的阈值是不一样的，而管压降，说白了，就是指加在二极管中上的电压。

5、只有当正向电压达到某一数值（这一数值称为“门坎电压”，又称“死区电压”，锗管约为0.1V，硅管约为0.5V）以后，二极管才能真正导通。

...个死区电压.什么是死区电压?硅管和锗管的死区电压的典型值约为多少...

通常把电压Ur称为二极管的门限电压，也称为死区电压或阈值电压。由于硅二极管的Is远小于锗二极管的Is，所以硅二极管的门限电压大于锗二极管的门限电压。

死区电压也叫开启电压，击穿电压，是应用在不同场合的两个名称。死区电压，指的是即使加正向电压，也必须达到一定大小才开始导通，这个阈值叫死区电压，硅管约0.5V，锗管约0.1V。

一般硅二极管的死区电压约为0.5V。死区电压也叫开启电压，是应用在不同场合的两个名称。死区电压，指的是即使加正向电压，也必须达到一定大小才开始导通，这个阈值叫死区电压，硅管约0.5V，锗管约0.1V。

一般大略估算是按照锗管0.12~0.2V，硅管0.5~0.7V。但是实际二极管并不理想，不是按照某一个电压分解导通与否，而是一个随着电压增加逐渐导通的指数曲线。

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