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mos管压降（mos管压降过大）

发布时间：2023-07-07
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N沟道耗尽型MOS管工作在恒流区时,g极与d极之间的电...

从结构上看，N沟道耗尽型MOS管与N沟道增强型MOS管基本相似，其区别仅在于栅－源极间电压vGS=0时，耗尽型MOS管中的漏－源极间已有导电沟道产生，而增强型MOS管要在vGS≥VT时才出现导电沟道。

你的不足在于，没有很好地理解MOS管的工作原理N沟道管子，衬底是B，而且是P型半导体，B与源极S连在一起。

当uGSUTN之后，只要在恒流区，转移特性曲线基本上是重合在一起的。曲线越陡，表示uGS对iD的控制作用越强，也即放大作用越强，且常用转移特性曲线的斜率跨导gm来表示。P沟道增强型MOS管 上面讲的是N沟道增强型MOS管。

N沟道耗尽型MOS管是MOS管不需要工作电压就有了导电沟道，而P型增强型MOS管则是需要一定的电压才能反型。

p沟道耗尽型mos管在恒流区条件 可变电阻区就是栅级电压过了Th阈值，但是还没有完全导通的这个阶段，也就是米勒阶段 而恒流区是指栅极电压过了米勒阶段。

压降较大MOS管发热怎么办?

针对如上MOS发热原因：解决思路就出来了，更换内阻较小的MOS管，或者选择散热效果好的MOS管封装形式。改善MOS管散热条件，增加散热片等。

如果电感饱和电流够大，可以考虑将CCM（连续电流模式）改变成DCM（非连续电流模式），这样就需要增加一个负载电容了。这个也是用户在调试过程中比较常见的现象，降频主要由两个方面导致。输入电压和负载电压的比例小、系统干扰大。

MOS管发烫就说明在MOS管上的压降过大，你要检查一下MOS管的导通状态，这种状态不是简单的好或者不好，而是一个过程，你要好好调试一下，可能是你的导通电压UGS太小了。

开关电源中主要的发热元器件为半导体开关管、功率二极管、高频变压器、滤波电感等。不同器件有不同的控制发热量的方法。

通过测试结果分析后，改变栅极驱动电阻阻值，选择合适的频率，给MOS管完全导通创造条件，MOS工作后有效的降低了尖峰电压，又选择了内阻更小的MOS管，使在开关过程中管子本身的压降降低。同时合理选择的散热器。

MOS管的压降是指什么?2N60跟4N60相比哪个的压降大?

MOS的压降是指MOSFET饱和导通的时候，VDS=I*Ron的电压。一般是指静态的压降。知道导通阻抗和通过的电流的话用上面的公式就可以计算出来压降是多少了，一般在相同电流下，额定电流大的mosfET压降小。不要忘了前提条件。

MOS场效应管属于电压控制元件，这一点类似于电子管的三极管，但它的构造与工作原理和电子管是截然不同的。通常被用于放大电路或开关电路。而在主板上的电源稳压电路中，MOS主要是判断电位，它在主板上常用“Q”加数字表示。

n60c可以用K2645，K719，K794或fqp4n60c，fqp5n60c等代用。2n60c三极管是VMOS场效应管，其漏极电流是2A，耐压值是600V。

晕，2A算大电流...MOS跟三极管很不一样，额定电流普遍比三极管大得多，2A那简直是小电流了，MOS管中额定电流在几十安培的比比皆是。

为什么这个MOS管的压降会大于2V(实际电路用的AO4404)

1、选的型号不对额，可能mos管没有完全导通，可能mos管本身的内阻就大，那是因为mos管的内阻太大了；第二。

2、你在栅极施加的电压只有5V（对于单管而言我认为栅极电压低了，一般应该在12V左右比较好），这个电压下MOS管的夹断电阻依然比较大，所以输出只有8V。

3、由于MOS导通电阻很小，可以忽略其压降，发光管压降按2V计算，发光管电流取10mA即可，所以R=(VCC-2V)/10mA，如果VCC是5V那么电阻R=300Ω。

mos开通为什么电流先增大电压再减小

因为根据P=UI，某一电路的额定功率是一定的，电流与电压成反比关系，所以电流大电压就小。

因为阈值电压越高，饱和电流变小，所以速度性能越高，但是因为漏电流会变大，因此功耗会变差。所以mos电压越高，饱和电流越小。器件的阈值电压会随着沟道长度变小而变小，而饱和电流会随着沟道长度的变小而增大。

这是由于线圈作为电源是有内阻的 当你增加线圈 他本身的阻抗就加大了 所以 尽管是电压增加 单电流还是减小的。

）你的PCB上地绘制可能有问题，可能MOS开通瞬间大电流经过3V地，造成地电平发生变化。2）还有就是这个大电流如果与3V有关的话那就是启动电流太大了，串电感抑制瞬间大电流或者增加3V电容增加抗冲击能力。

由于电源本身原因造成电压减小的（如发电机输出电压减小等），负载阻值不变时其电流随着电压降低而减小。这种情况电压电流一起减小。

应该是整个电路的输出阻抗过大，从而导致接入负载后电压降低。一般来说，输出阻抗越低，电路带负载能力越强，受负载影响越小。

你好,我想问一下,如何做到mos管导通时其源漏间的压降等于0??谢谢!

根据以上原理分析，在你的问题中，如果要使MOS管作在开关状态，就要对栅极施加足够的电压，它才能充分起到开关作用。

场效应管通道时是纯电阻，越大的管子电阻越小。所以管子的电压降，理论上可以做得任意小，虽然不能等于零。再不够小，还可以多个管子并联。

你电路的问题很明显，要了解原理，请参考以下电路：带软开启功能的MOS管电源开关电路 这是很通用和成熟的电路，原理讲解参考自《带软开启功能的MOS管电源开关电路》。

MOS管导通是在其栅极（G）端施加高电平，而源极（S）和漏极（D）之间的电势差超过了临界电压时发生的。因此，如果我们想让MOS管导通，需要将G端连接到高电平电源。

和上一问一样，只有栅极和源极接正向电压才能导通，而且不能超过20V。接负电压和接0电压一样，都会截止。对。选用开启电压低一些的，Vdss＞5V，Idss＞100mA即可，可以用AO3400。

关键词：可变电阻 p沟道耗尽型mos管 mos管 电容 电阻

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