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①在光线作用下，电子逸出物体表面，物体的伏安特性发生了变化，这是外光电效应，如光电管，光电倍增管等。
外光电效应中最常用的就是PMT，光电倍增管，主要用于探测弱光，如荧光分析。内光电效应中常用的器件有Photodiode，简称PD，一般叫光电二极管，还有比较常见的器件有APD。
光电探测器是对半导体光电效应的重要应用，其中光敏管是此类光电器件的重要组成部分，光电探测仪在生活和科技中都有着非常广泛的应用。
内光电效应的代表器件有光电二极管、光电三极管、光电晶体管等。光电二极管。光电二极管（Photodiode）是一种利用内光电效应原理制成的器件，是一种半导体二极管结构，它能够将光信号转换为电信号。
光电效应分为光电子发射、光电导效应和光生伏特效应。前一种现象发生在物体表面，又称外光电效应。后两种现象发生在物体内部，称为内光电效应。
光电效应分为三类，分别是外光电效应、内光电效应和光生伏特效应。光电效应指的是高于某特定频率的电磁波照射下，某些物质内部的电子会被光子激发出来而形成电流，即光生电。
电效应可分为：外光电效应：指在光的照射下，材料中的电子逸出表面的现象。光电管及光电倍增管均属这一类。它们的光电发射极，即光明极就是用具有这种特性的材料制造的。
根据此效应产生电子的方式，可分为：外光电效应、内光电效应、后光电效应。
光电效应只能分为两类，光电效应分为：外光电效应和内光电效应。内光电效应是被光激发所产生的载流子（自由电子或空穴）仍在物质内部运动，使物质的电导率发生变化或产生光生伏特的现象。
光电导效应 ③吸收光线能量后，电子不逸出，并在物体内部自建场里产生光电压，这是光生伏特效应，如光敏二极管，三极管和光电池等。通过以上光电元件，我们可以把测量物的光变化转化成电变化。
外光电效应是被光激发产生的电子逸出物质表面，形成真空中的电子的现象。内光电效应是被光激发所产生的载流子（自由电子或空穴）仍在物质内部运动，使物质的电导率发生变化或产生光生伏特的现象。
内光电效应是光电效应的一种，主要由于光量子作用，引发物质电化学性质变化（比如电阻率改变，这是与外光电效应的区别，外光电效应则是逸出电子）。内光电效应又可分为光电导效应和光生伏特效应。
问题三：内外光电效应的区别 外光电效应指在光的照射下，材料中的电子逸出表面的现象。光电管及光电倍增管均属这一类。它们的光电发射极，即光明极就是用具有这种特性的材料制造的。
外光电效应（external photoelectric effect）：外光电效应是最常见的一种光电效应，当光子的能量大于物质表面的逸出功时，光子就可以引起金属表面电子的逸出。这样的现象经常应用在各种电子器件中，如光电导、光电池等。
外光电效应是指在光的作用下，物体内的电子逸出物体表面向外发射的现象。又叫光电发射效应。 总之，电子跑出去了---“ 外”光电效应 内光电效应指光照在物体上，使物体的电导率发生变化，或产生光生电动势的现象。
1、外光电效应的电子元件有哪些，外光电效应的电子元件有光电管、光电倍增管。
2、在光线作用下使电子逸出物体表面的现象称为外光电效应。基于外光电效应的光电元件有光电管，光电倍增管等。光电岛效应 有光电管，光电倍增管等。
3、光电效应有外光电效应、内光电效应和光生伏特效应三种。基于外光电效应的光电元件有光电管、光电倍增管等；基于内光电效应的光电元件有光敏电阻、光敏晶体管等；基于光生伏特效应的光电元件有光电池等。
1、外光电效应是被光激发产生的电子逸出物质表面，形成真空中的电子的现象。内光电效应是被光激发所产生的载流子（自由电子或空穴）仍在物质内部运动，使物质的电导率发生变化或产生光生伏特的现象。
2、外光电效应：指在光的照射下，材料中的电子逸出表面的现象。光电管及光电倍增管均属这一类。它们的光电发射极，即光明极就是用具有这种特性的材料制造的。
3、内光电效应 指在光的照射下，材料的电阻率发生改变的现象。光敏电阻即属此类。光电效应 光照射到某些物质上 ， 引起物质的电性质发生变化 ， 这类光致电变的现象统称为光电 效应。
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