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硅二极管的死区电压（硅二极管的死区电压约为多少v）

发布时间：2023-07-07
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本文目录一览：

比较硅二极管与锗二极管的死区锻压、正向管压降、反向电流及反向电阻...

1、硅二极管反向电流远小于锗二极管反向电流，锗管为mA级，硅管为nA级。这是因为在相同温度下的ni比硅的ni高约三个数量级，因此在相同掺杂浓度下的少数硅浓度远低于少数铌的浓度，因此硅的反向饱和电流管非常小。

2、锗二极管反向耐压则低得多；硅二极管的反向漏电流很小，锗二极管的反向漏电流要大得多；硅二极管的温度系数比锗二极管大。

3、与锗相比，硅原子对电子的吸引力更大一些，使电子离开硅原子核需要的能量也就更大一些。

4、） 硅二极管反向电流比锗二极管反向电流小的多，锗管为mA级，硅管为nA级。

5、二极管的管压降：硅二极管（不发光类型）正向管压降0.7V，锗管正向管压降为0.3V，发光二极管正向管压降会随不同发光颜色而不同。

6、仅仅区分二极管是硅管还是锗管，是很容易的。一般的万用表，如MF4MF30、500型表，放在R×1K档，量二极管的PN结正、反向电阻。

二极管的死区电压为30.3伏

这个一定数值的正向电压称为死区电压；其大小与材料及环境温度有关。通常锗管的死区电压约为0．2V，硅管的死区电压约为0．5V。

所谓死区电压：由于PN结内部有自建电场，电子和空穴的漂移作用，其内部本身就具有一定的电能，也就是说它的内部本身带有电荷，利用它的单向导电性，其实就是给PN结加上外部电压，破坏了它内部自建电场的平衡。

一般大略估算是按照锗管0.12~0.2V，硅管0.5~0.7V。但是实际二极管并不理想，不是按照某一个电压分解导通与否，而是一个随着电压增加逐渐导通的指数曲线。

“死区电压”；当二极管的电流达到额定电流时，二极管两端的电压降称为通态压降。

解释一下死区电压

死区电压也叫开启电压，击穿电压，是应用在不同场合的两个名称。死区电压，指的是即使加正向电压，也必须达到一定大小才开始导通，这个阈值叫死区电压，硅管约0.5V，锗管约0.1V。

所谓死区电压：由于PN结内部有自建电场，电子和空穴的漂移作用，其内部本身就具有一定的电能，也就是说它的内部本身带有电荷，利用它的单向导电性，其实就是给PN结加上外部电压，破坏了它内部自建电场的平衡。

死区电压，指的是即使加正向电压，也必须达到一定大小才开始导通，这个阈值叫死区电压，硅管约0.5V，锗管约0.1V。（硅和锗是制造晶体管最常用的两种半导体材料，硅管较多，锗管较少）。

PN结具有正向导通性，但是实际中所加的正向电压过低时，仍不会有电流，以Si为例Si大概在0.6-0.7V之间，也就是说在PN节上加的正向电压低于此值时，PN结仍不导通，这个电压就是死区电压。

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...锗二极管的导通电压为(),死区电压为(),硅二极管的导通电压为(),死区...

硅为主要材料制成的二极管，死区电压0.6V左右、导通电压为0.7V左右。锗为主要材料制成的二极管，死区电压0.2V左右、导通电压为0.3V左右。

锗二极管导通电压为0.1V-0.3V，一般取0.2V，死区电压为0.1V左右。对于锗二极管 ，开启电压为0.2V，导通电压UD约为0.3V。锗二极管就是用锗材料制作的二极管。

二极管的伏安特性存在4个区：死区电压、正向导通区、反向截止区、反向击穿区。

绪二极管的死区电压是0.2V。硅二极管的死区电压是0.5V，锗二极管的死区电压是0.2V。硅二极管的导通电压是0.7V，锗二极管的导通电压是0.3V。

硅二极管死区电压约为0. 5V；锗二极管死区电压约0. 2V。在实际使用中，当二极管正偏电压小于死区电压时，视为其正向电流为零的状态。

一般大略估算是按照锗管0.12~0.2V，硅管0.5~0.7V。但是实际二极管并不理想，不是按照某一个电压分解导通与否，而是一个随着电压增加逐渐导通的指数曲线。

关键词：硅二极管 二极管的电流 二极管的死区 锗二极管的导通电压 二极管反向 二极管两端的电压 电阻 二极管的 发光二极管

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