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1、操作方法与步骤如下:multisim元器件的查找放置 电阻 basic-resistor 选择1K 2个。LED : diode-led 选择红色 1个。PNP: Trans-BJT_PNP 随便选择一个 这里选择一个2N2904。开关:basic-switch-spdt 选择一个。
2、如果一定要设置的话,在SPICE参数中BF基本就是电流放大倍数。双击元件打开特性窗口,打击edit model,修改。
3、“三极管β值离散很大。为表达三极管β值离散很大的现实,Multisim平台上的有型号真三极管β值及虚拟三极管β值均可以修改。
4、直接双击三极管,在value栏下方Edit Model,BF项23083数值改为70就行。点击左下方chang Part Model。
5、没看到电路很难判断原因。在三极管的参数中,比较重要的是电流放大倍数,在spice中是BF,三极管的默认参数中电流放大倍数是100,所谓的虚拟三极管实际是全部参数取默认值的默认三极管(use default)。
1、操作方法与步骤如下:multisim元器件的查找放置 电阻 basic-resistor 选择1K 2个。LED : diode-led 选择红色 1个。PNP: Trans-BJT_PNP 随便选择一个 这里选择一个2N2904。开关:basic-switch-spdt 选择一个。
2、当然从测试参数可以得到SPICE参数,这叫参数抽取。你给的这几个参数其实远远不够,这不是一个三极管的参数。如果一定要设置的话,在SPICE参数中BF基本就是电流放大倍数。双击元件打开特性窗口,打击edit model,修改。
3、“三极管β值离散很大。为表达三极管β值离散很大的现实,Multisim平台上的有型号真三极管β值及虚拟三极管β值均可以修改。
1、没看到电路很难判断原因。在三极管的参数中,比较重要的是电流放大倍数,在spice中是bf,三极管的默认参数中电流放大倍数是100,所谓的虚拟三极管实际是全部参数取默认值的默认三极管(use default)。
2、multisim元器件的查找放置 电阻 basic-resistor 选择1K 2个。LED : diode-led 选择红色 1个。PNP: Trans-BJT_PNP 随便选择一个 这里选择一个2N2904。开关:basic-switch-spdt 选择一个。
3、EWB 9?是要设置元件的参数还是仿真电路中的运行参数啊?元件的参数在元件的属性里面可以设置,如果是仿真电路的参数,应该是外加信号源,设置信号源的参数。
4、multisim 三极管设置方法:要使三极管工作在放大状态,必须设置好静态工作点。静态工作点一般选在适中的IC,选小了容易出现小信号失真,选大了会出现饱和失真。因此,选在1/2ICM左右比较合适。
5、当然从测试参数可以得到SPICE参数,这叫参数抽取。你给的这几个参数其实远远不够,这不是一个三极管的参数。如果一定要设置的话,在SPICE参数中BF基本就是电流放大倍数。双击元件打开特性窗口,打击edit model,修改。
6、“三极管β值离散很大。为表达三极管β值离散很大的现实,Multisim平台上的有型号真三极管β值及虚拟三极管β值均可以修改。
1、14用2N2222A代替,8050用2N5551 代替.三极管,全称应为半导体三极管,也称双极型晶体管、晶体三极管,是一种控制电流的半导体器件·其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号, 也用作无触点开关。
2、在multisim 10中,三极管9013用2N2222SC1812SC945代替;9015是常见的硅PNP型三极管,可以用8550、LM901SS9015代换;3DD01可以用3DD3DD3DD3DD11---3DD15代替。
3、S8550是小功率PNP型三极管,如果你是用在单片机什么上面的话,我建议你用2N3906代替,这个也是PNP管,而且性能比8550更好(特别是频率上,当然驱动个外接电路,蜂鸣器什么的,也没问题)。
4、、8050在multisim中分别可用2N5402N5551代替,13001看参数应是一个耐高压的达林顿管,如果你仿真的电压不高,可以用2SC2873试试,它的Vceo=50V,hFE与13001相近。
5、是NPN的,都可以用BC365代替。8550是PNP管,都可以用BC363代替。NI Multisim软件结合了直观的捕捉和功能强大的仿真,能够快速、轻松、高效地对电路进行设计和验证。
6、dg12 和 c8550都是小功率低频三极管,采用 一般的就可以了,但是类型要一致。9019019012等都可以。
关键词:multisim三极管 三极管发射结 电阻 三极管的参数 三极管参数
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