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理论上MOS管可以由N颗并联，实际上MOS管并联多了容易引起走线很长，分布电感电容加大，对于高频电路工作产生不利的影响。下面以4颗为例说明MOS管的应用。
锂电池保护板电流是由保护IC检测电压和MOS管内阻决定的，如果保护IC无法更改，可以改MOS管，比如DW01与8205MOS，用一颗MOS管是2~5A，用两颗MOS管并联电流就会增加一倍。现在的大容量移动电源有的用3~4颗MOS管并联。
mos管并联一般都是在电流放大电路，当输出电流不够时，需要并联几个或几十个。
并联运用可以增大通过的电流，但是不能增加耐压，电流大了功率也能相应增大。
一般是一个。增加放电电流不能靠增加管子。一般来说保护板设置的MOS管的最大电流是与电池大小相匹配的。例如一般500毫安时的电池，MOS管的电流是6安。远大于电流放电电流的允许值。
1、一般情况下低压的逆变器选用MOS管好些，MOS针对低电压的应用比较多，型号也比较多，导通压降也会比较低。IGBT主要针对电压等级相对较高的应用。
2、你好：——★额定电压 48 V ，选择管子的耐压最低应该是额定工作电压的 2 倍，所以，使用大于、等于 100 V 的场效应管即可。
3、当电源IC与MOS管选定之后， 选择合适的驱动电路来连接电源IC与MOS管就显得尤其重要了。
4、无刷直流电机一般使用全桥驱动，即6个MOSFET分别构成上臂和下臂，通过MCU具有推挽输出的IO口控制。方案一 最常用的应该是3个P-MOS + 3个N-MOS，电路结构简单。如下图所示。
5、）MOS管比较脆弱，使用时候需要非常注意，例如导通切换的时候要仔细研究时序，否则容易造成桥直通，烧毁MOS管；2）大功率的MOS管门极需要比较高的驱动电压，否则不能正常导通，所以用电池驱动时，还需要加升压电路等。
6、mos管驱动要用图腾柱，是因为MOS管的栅极输入电阻极大，使得驱动电路必须以非常大的电流去给栅极电容充电和放电。
MOS IC 是什么意思？ mos管 mos管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应电晶体，或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。
主要原因是大部分MOS管集成在IC芯片中。因为MOS管主要为配件提供稳定的电压，所以一般用在CPU、AGP插槽、内存插槽附近。其中，CPU和AGP插槽附近布置了一组MOS管，而内存插槽共用一组MOS管。
从散热角度考虑：LED驱动电源和LED灯珠既是热源体又是受热体，根据多年设计经验，我们赛明源电源在设计30W以上电源时全部使用MOS管与控制IC分离方案。
电脑主板的MOS管是场效应晶体管器件，两个或三个一组，或多相组合，用来与主板上电压控制分配 IC配合，进行DC-DC直流电压变换，为CPU或内存，以及各板载IC芯片，或接口插槽，提供所需工作的稳定供电。
MOS管是金属－氧化物－半导体结构的场效应三级管，而普通三极管则是P-N-P或 N-P-N结构（双极工艺）的三极管，IC(集成电路)是采用MOS或双极工艺或复合工艺在半导体基片上制作若干个元器件并连接成电路的器件。
1、它是以光为媒介来传输电信号的器件，A3120光耦是专门驱动场效应管或者IGBT的专用光耦， 5脚是负电压输入端，通常使用-5V电压。
2、光耦输入侧光二极管需要加限流电阻。MOS管栅极需要加稳压管限压。24V可能导致MOS管g-s击穿。
3、这个光耦是用来驱动 IGBT栅极的， 原理嘛很简单，就是一个电源 通过一个晶体管后接到 IGBT的栅极，你给光耦输入信号，晶体管导通，电源的电压就加到IGBT的栅极啊，去掉信号就把电压跟IGBT的栅极断开，不去驱动他。
4、MOS管通常需要驱动电路来控制其开关状态。光耦可以用于隔离控制信号与高电压/高电流的负载之间，以保护控制电路。但是，光耦本身并不能提供驱动信号，因此驱动电路仍然需要使用。
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