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两者的最大的区别是光MOS继电器通常需要消耗更多的功率，而光耦则可以有效地抑制功率损耗。此外，光MOS继电器在电路设计中更加复杂，而光耦则可以更简单地控制电源的开关。
光耦隔离就是采用光耦合器进行隔离，光耦合器的结构相当于把发光二极管和光敏（三极）管封装在一起。
隔离作用。众所周知，光耦起到信号的隔离作用。
MOS管通常需要驱动电路来控制其开关状态。光耦可以用于隔离控制信号与高电压/高电流的负载之间，以保护控制电路。但是，光耦本身并不能提供驱动信号，因此驱动电路仍然需要使用。
它是以光为媒介来传输电信号的器件，A3120光耦是专门驱动场效应管或者IGBT的专用光耦， 5脚是负电压输入端，通常使用-5V电压。
光耦输入侧光二极管需要加限流电阻。MOS管栅极需要加稳压管限压。24V可能导致MOS管g-s击穿。
应该要的，一般光耦驱动电流很小50mA MAX.如果你的驱动频率很高，因为S-D极电容比较大，电流小，一下子充不满，达不到驱动的电压的。
用低端电压和PWM驱动高端MOS管。用小幅度的PWM信号驱动高gate电压需求的MOS管。gate电压的峰值限制。输入和输出的电流限制。通过使用合适的电阻，可以达到很低的功耗。PWM信号反相。
单片机的PWM波可以驱动MOS管，但取决于你的MOS管类型，你要看你的MOS管手册里的Vgs和Ron之间的关系。
不建议使用以下这类用通用光耦搭的电路，有诸多麻烦。建议使用 TLP250 或类似芯片。
1、其次，TLP521的输出驱动电流很小，你这个电流太大，目前还没有听说用光耦做驱动器件的，并且三极管耐压也不够。加一个MOS管是最好的选择，可以用一个P沟道的MOS管，比如IR4435，两块钱搞定，直接用光耦驱动它就可以了。
2、电机输出接原极，电路更改 减小1K电阻到27欧姆。连个个10K电阻减小，上边560，下边1K 结束语：实际上这几个原件组合，如果按MOS管的等级来看，TLP521这样构成的驱动电路过于简单，是无法驱动的。内阻太大。
3、MOS管通常需要驱动电路来控制其开关状态。光耦可以用于隔离控制信号与高电压/高电流的负载之间，以保护控制电路。但是，光耦本身并不能提供驱动信号，因此驱动电路仍然需要使用。
光耦输入侧光二极管需要加限流电阻。MOS管栅极需要加稳压管限压。24V可能导致MOS管g-s击穿。
电路逻辑有问题。P沟道FET管必须加正电压才能截止，而你这个电路的正电压必须由导通的FET供应，如果管子截止了，24V电源就不再存在，管子就会重新导通………最后维持在半通不通状态。如果改用独立电源控制它，问题就能解决。
由于栅极和衬底之间有一层薄薄的二氧化硅绝缘层，所以栅极和衬底之间相当于存在一个电容。
用光耦由于里面只有一个三极管，驱动时只能做到快充或快放不能兼顾。另外，光耦驱动负载能力有限，大功率MOS管在快速开关过程中是需要较高驱动能力的。
光耦TLP521不能直接驱动mos管。tlp521是可控制的光耦合器件，光电耦合器件广泛运用在电脑终端机，可控硅系统设置，测量仪器、影印机、自动售票、家用电器，比如电风扇、加热器等。
光耦输入侧光二极管需要加限流电阻。MOS管栅极需要加稳压管限压。24V可能导致MOS管g-s击穿。
东芝光耦有很多种类，高速光耦有：TLP117： 5 V， 50 Mbps/TLP2066： 3 V， 20 Mbps/TLP2116： 5 V， 20 Mbps (2-in-1)。
1、光耦输入侧光二极管需要加限流电阻。MOS管栅极需要加稳压管限压。24V可能导致MOS管g-s击穿。
2、光耦TLP521不能直接驱动mos管。tlp521是可控制的光耦合器件，光电耦合器件广泛运用在电脑终端机，可控硅系统设置，测量仪器、影印机、自动售票、家用电器，比如电风扇、加热器等。
3、有个笔误，Q3门极电压012--Q3门极电压12V。这里黙认场效应管的门极开启电压（绝对值）是大于1V且小于11V，即门极在电源电压的高、低电平范围内能使沟道导通或截止、实现逻辑动作，比如是2V。
4、如果本来就共地没必要隔离；如果你是PWM调制信号还是用隔离变压器好，通过专门的驱动IC(我忘了，好像是IRF做的)驱动变压器，时间匹配是最好的。
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